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公开(公告)号：CN104003350B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410205595.4
申请日：2014-05-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于体硅谐振式压力传感器的圆片级封装方法，其步骤包括：1)根据谐振式压力传感器的结构选取合适的SOI硅片和进行阳极键合的玻璃片；2)对SOI硅片的器件层进行台阶刻蚀，形成器件结构；3)去除部分埋氧层，释放器件结构；4)将SOI片和玻璃片进行真空阳极键合；5)对硅片进行减薄；6)通过光刻定义引线窗口，然后刻蚀硅，露出埋氧层；7)去除引线窗口内的埋氧层；8)在硅片表面淀积二氧化硅，形成电学隔离；9)对淀积的二氧化硅进行刻蚀，形成pad孔；10)淀积金属pad。本发明采用圆片级封装，工艺流程简单，能够大大降低体硅谐振式压力传感器的真空封装成本。
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公开(公告)号：CN105842841A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610289281.6
申请日：2016-05-04
Applicant: 北京大学
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B26/005
Abstract: 本发明涉及一种基于Parylene的柔性电润湿显示装置及制备方法。该柔性电润湿显示装置，包括若干顶电极、若干底电极和位于顶电极与底电极之间的柔性介质层；在顶电极上设有用于分隔各显示单元的侧壁，在各显示单元的腔室内填充有两种互不相溶的液体，其中有且只有一种液体导电；在柔性介质层与底电极之间设有彩色滤光片；在各显示单元外部设有柔性密封层。所述柔性介质层和所述柔性密封层优选采用Parylene材料。本发明所提供的电润湿显示技术具有密封性好、功耗低的优点，是未来移动便携设备显示的一套成熟可行的解决方案。
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公开(公告)号：CN103011056B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210501839.4
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式锚点中锚点的数目。可以通过光刻允许的最小间距、保持有利于应力释放的极限间距两个因素确定组合式锚点中锚点间的间隙尺寸。本发明还提供一种采用所述组合式锚点结构MEMS器件。本发明通过对锚点的分布进行合理的设计以减小工艺过程中带来的热失配应力，从而增强基于SOG工艺制造的微结构的键合强度，能够显著提高工艺成品率，提高基于SOG工艺制造的MEMS器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103072941B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310012777.5
申请日：2013-01-14
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在结构层上淀积金属层；采用表面牺牲层工艺制作第二层牺牲层和封装层，并制作封装区域内外互联部分；湿法腐蚀所有牺牲层，释放MEMS器件结构并利用粘附效应完成自封装。本发明适用于红外传感器等具有可动结构的MEMS器件，可使MEMS器件本身和封装一起完成，能够缩短封装周期，提高工艺质量和成品率，降低封装成本。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102336386B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110301733.5
申请日：2011-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种三维实体针尖柔性微电极阵列及其制作方法。该微电极阵列包括：包裹在绝缘的柔性衬底中分立绝缘柱阵列、电极、导电引线，其中绝缘柱头部呈针尖状，被电极包裹，针尖电极裸露在外，导电引线沿着绝缘柱和绝缘的柔性衬底铺设，一端与电极相连，另外一端裸露在外，所述绝缘柱为实心结构，从而保证电极能扎入刺激部位，有效提供电刺激和记录。为制得该三维实体针尖柔性微电极阵列对硅材料采用硅划片-腐蚀法，以制得三维实体针尖柔性微电极阵列。该发明提供的三维实体针尖柔性微电极阵列可应用于神经电刺激和记录，并广泛应用于神经疾病治疗、神经康复、神经生物学基础研究等领域。
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公开(公告)号：CN102515089B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110433579.7
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。
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公开(公告)号：CN102962015B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201210472827.3
申请日：2012-11-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种以固定的纳米材料微球作基底的DNA或RNA合成装置，包括供液装置和基片；其中，基片上设有通孔阵列，纳米材料微球固定于各孔中，所述纳米材料微球经表面化学修饰后作为DNA或RNA合成的基底材料，将脱氧核糖核苷酸或核糖核苷酸单体溶液及反应试剂通过供液装置加入到固定有微球的各孔中，在微球表面完成DNA或RNA合成。该装置综合了微流体合成方法和微阵列合成方法的优势，既具有微流体合成方法合成量适中、高通量、无交叉污染的特点，又具有微阵列合成方法合成工艺简单、合成效率高的特点，有望应用于合成特异性短链寡核苷酸的场合，例如引物、探针和由短链组成长链的合成工作等。
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公开(公告)号：CN102716771B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210186933.5
申请日：2012-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明提供一种实现高温高压的连续流动型微流控芯片及其制备方法。该微流控芯片包括入口、混合区、加热区、增压区和出口；混合区实现反应物的混合，加热区提供高温的反应环境，增压区为加热区提供高压环境；加热区和增压区设有测温传感电阻。该方法首先通过光刻和DRIE定义微流体通道图形；然后通过硅-玻璃阳极键合制作微流体通道；再采用PECVD淀积SiO2并剥离制作传感电阻和加热电阻；最后通过光刻和DRIE制作入口和出口。本发明可高效、安全地实现各类需要在高温高压下进行的化学、生物反应。
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