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公开(公告)号：CN103011056B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210501839.4
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式锚点中锚点的数目。可以通过光刻允许的最小间距、保持有利于应力释放的极限间距两个因素确定组合式锚点中锚点间的间隙尺寸。本发明还提供一种采用所述组合式锚点结构MEMS器件。本发明通过对锚点的分布进行合理的设计以减小工艺过程中带来的热失配应力，从而增强基于SOG工艺制造的微结构的键合强度，能够显著提高工艺成品率，提高基于SOG工艺制造的MEMS器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103072941B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310012777.5
申请日：2013-01-14
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在结构层上淀积金属层；采用表面牺牲层工艺制作第二层牺牲层和封装层，并制作封装区域内外互联部分；湿法腐蚀所有牺牲层，释放MEMS器件结构并利用粘附效应完成自封装。本发明适用于红外传感器等具有可动结构的MEMS器件，可使MEMS器件本身和封装一起完成，能够缩短封装周期，提高工艺质量和成品率，降低封装成本。
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公开(公告)号：CN102336386B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110301733.5
申请日：2011-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种三维实体针尖柔性微电极阵列及其制作方法。该微电极阵列包括：包裹在绝缘的柔性衬底中分立绝缘柱阵列、电极、导电引线，其中绝缘柱头部呈针尖状，被电极包裹，针尖电极裸露在外，导电引线沿着绝缘柱和绝缘的柔性衬底铺设，一端与电极相连，另外一端裸露在外，所述绝缘柱为实心结构，从而保证电极能扎入刺激部位，有效提供电刺激和记录。为制得该三维实体针尖柔性微电极阵列对硅材料采用硅划片-腐蚀法，以制得三维实体针尖柔性微电极阵列。该发明提供的三维实体针尖柔性微电极阵列可应用于神经电刺激和记录，并广泛应用于神经疾病治疗、神经康复、神经生物学基础研究等领域。
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公开(公告)号：CN102515089B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110433579.7
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102962015B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201210472827.3
申请日：2012-11-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种以固定的纳米材料微球作基底的DNA或RNA合成装置，包括供液装置和基片；其中，基片上设有通孔阵列，纳米材料微球固定于各孔中，所述纳米材料微球经表面化学修饰后作为DNA或RNA合成的基底材料，将脱氧核糖核苷酸或核糖核苷酸单体溶液及反应试剂通过供液装置加入到固定有微球的各孔中，在微球表面完成DNA或RNA合成。该装置综合了微流体合成方法和微阵列合成方法的优势，既具有微流体合成方法合成量适中、高通量、无交叉污染的特点，又具有微阵列合成方法合成工艺简单、合成效率高的特点，有望应用于合成特异性短链寡核苷酸的场合，例如引物、探针和由短链组成长链的合成工作等。
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公开(公告)号：CN102716771B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210186933.5
申请日：2012-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明提供一种实现高温高压的连续流动型微流控芯片及其制备方法。该微流控芯片包括入口、混合区、加热区、增压区和出口；混合区实现反应物的混合，加热区提供高温的反应环境，增压区为加热区提供高压环境；加热区和增压区设有测温传感电阻。该方法首先通过光刻和DRIE定义微流体通道图形；然后通过硅-玻璃阳极键合制作微流体通道；再采用PECVD淀积SiO2并剥离制作传感电阻和加热电阻；最后通过光刻和DRIE制作入口和出口。本发明可高效、安全地实现各类需要在高温高压下进行的化学、生物反应。
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公开(公告)号：CN102175932B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110028955.4
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体环境的电荷测试方法和测试系统。该测试系统包括一个采用MEMS与CMOS集成制作的芯片和测试电路，所述芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，通过测试电路测量应变电阻的变化。进行电荷测试时先对积累电荷初步测试，然后泄放电荷再次测量，从而排除干扰项仅保留电荷的影响，计算出电荷积累量。本发明采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能。
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公开(公告)号：CN103072941A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310012777.5
申请日：2013-01-14
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在结构层上淀积金属层；采用表面牺牲层工艺制作第二层牺牲层和封装层，并制作封装区域内外互联部分；湿法腐蚀所有牺牲层，释放MEMS器件结构并利用粘附效应完成自封装。本发明适用于红外传感器等具有可动结构的MEMS器件，可使MEMS器件本身和封装一起完成，能够缩短封装周期，提高工艺质量和成品率，降低封装成本。
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公开(公告)号：CN102980694A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210500461.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿 晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面采用压敏电阻所需剂量的掺杂浓度进行P型离子注入轻掺杂并高温热退火；在基片正面通过光刻定义P型重掺杂的引线接触区，通过离子注入进行重掺杂并高温热退火；制作引线孔和金属引线；通过光刻定义压敏电阻和接触区的形状，通过刻蚀的方式制作压敏电阻条；划片。本发明的压力传感器没有应变膜结构，能够降低传感器的芯片尺寸，增加抗过载能力；其制作方法与标准体硅压阻式压力传感器的工艺兼容，成本低且成品率高。
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