公开(公告)号：CN100555690C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710119158.0

申请日：2007-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  杨学林 ,  陈志涛 ,  于彤军 ,  杨志坚

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种GaN基自旋发光二极管(Spin-LED)，具有如下结构：在导电衬底之上依次是P型欧姆接触电极、P型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、N型GaN层、掺杂过渡金属元素的ITO磁性层、N型欧姆接触电极。该GaN基Spin-LED是将ITO基磁性材料作为自旋注入源和现有GaN基LED照明技术结合起来制备的，相对于目前提出的GaMnN基Spin-LED的多项生长技术结合的繁琐制备程序，该方法将磁性层改在透明电极部分，制备方法简单易行，可灵活快捷地得到各种新型自旋发光二极管，并能有效地进行自旋注入效率的探测，同时还可望用于研制和设计其他各种自旋电子学器件。

公开(公告)号：CN100435281C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610001301.1

申请日：2006-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  陈志涛 ,  苏月永 ,  杨志坚 ,  杨学林 ,  沈波

IPC: H01L21/205 ,  H01L43/12 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓源，生长GaN层，如此循环得到GaN基磁半导体薄膜材料。通过本发明可以获得高质量、具有室温GaN基磁性半导体薄膜材料，可直接应用到利用MOCVD生长GaN基自旋光电材料和器件中。

公开(公告)号：CN1822320A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610001301.1

申请日：2006-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  陈志涛 ,  苏月永 ,  杨志坚 ,  杨学林 ,  沈波

IPC: H01L21/205 ,  H01L43/12 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓源，生长GaN层，如此循环得到GaN基磁半导体薄膜材料。通过本发明可以获得高质量、具有室温GaN基磁性半导体薄膜材料，可直接应用到利用MOCVD生长GaN基自旋光电材料和器件中。

公开(公告)号：CN212770941U

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202021390534.7

申请日：2020-07-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  沈剑飞 ,  刘丹烁 ,  蔡子东 ,  杨志坚 ,  王新强

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本实用新型公开了一种金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，包括反应室、载气源、三族源、五族源、三族源总管路、五族源总管路和尾气处理单元，其特征在于，该MOCVD系统还包括外加碳源，载气源通过管路连接该外加碳源，该外加碳源再通过管路连接三族源总管路或者直接连接反应室，并在外加碳源连接三族源总管路或者反应室的管路上设有质量流量控制器。利用该MOCVD系统可以在最佳的GaN生长条件下进行GaN外延生长，在保持GaN材料高晶体质量的同时，通过控制外加碳源流量精确调控GaN材料中C杂质浓度，实现半绝缘高阻GaN材料的制备。