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公开(公告)号：CN108821273B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN108950683B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710372584.9
申请日：2017-05-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜中氮原子以石墨型氮掺杂于石墨烯晶格中；氮原子的掺杂形式为簇状掺杂；至少3个氮原子与碳原子形成簇状结构镶嵌于石墨烯薄膜中。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜的制备方法包括如下步骤：采用还原性气体和含氮碳源气体作为生长气氛，利用化学气相沉积法在生长基底上生长单晶石墨烯岛；在氧化性气氛中对单晶石墨烯岛进行钝化处理；钝化处理结束后，利用化学气相沉积法进行石墨烯再生长即得。本发明氮掺杂大单晶石墨烯薄膜可用于透明导电薄膜、透明电极、高频电子器件、发光器件、光伏器件、光电探测器件、电光调制器件、散热器件或疏水性器件封装中。
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公开(公告)号：CN111151513A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811319723.2
申请日：2018-11-07
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种带形物品清洗装置及清洗方法，清洗装置包括腔室以及至少一滚轮。腔室包括供带形物品进出的进料口以及出料口；至少一滚轮设置在腔室内，每一滚轮的轴线垂直于进料口和出料口的连线，每一滚轮表面设置有吸附剂；其中，在清洗过程中，带形物品与至少一滚轮表面的吸附剂接触。
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公开(公告)号：CN107539976B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710845495.1
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原料易得，可以与卷对卷技术相结合实现大规模生产，可以得到超洁净、高质量的大单晶石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN110607517A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810615694.8
申请日：2018-06-14
IPC: C23C16/56 , C23C16/26 , C01B32/196 , B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109534326A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910019995.9
申请日：2019-01-09
IPC: C01B32/184
Abstract: 本申请涉及石墨烯转移技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯薄膜转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，其包括：壳体，所述壳体具有真空腔体；滚压机构，位于所述真空腔体内，所述滚压机构包括第一辊轴及与所述第一辊轴相对设置的第二辊轴，所述第一辊轴及所述第二辊轴中的至少一者能够转动；其中，所述第一辊轴和/或所述第二辊轴能够在转动过程中对经过所述第一辊轴和所述第二辊轴之间的石墨烯薄膜与目标基底进行滚动贴合，以将石墨烯薄膜转移至目标基底。该技术方案能够提高石墨烯薄膜转移之后的完整度。
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公开(公告)号：CN107782709A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610719183.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法。该方法包括：将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和12C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其中，所述石墨烯的生长步骤中，以脉冲形式通入13C碳源气体。该方法在不改变原气流的基础上引入同位素脉冲，操作简便，耗费同位素气体少，对石墨烯生长影响小，能低成本准确地还原石墨烯生长过程，标定石墨烯单晶生长速度，间接评定工业级石墨烯生长的能耗。
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公开(公告)号：CN212247201U
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202020788756.8
申请日：2020-05-13
IPC: C23C16/455
Abstract: 本实用新型提出一种化学气相沉积系统及其局域供气装置，局域供气装置设置于化学气相沉积系统的腔室上。其中，局域供气装置包含转向管、腔内连接组件、供气终端管路、腔外连接组件以及腔外气体管路。转向管穿设于腔室并具有转向结构、内管口和外管口，内管口和外管口分别位于腔室的内部和外部。腔内连接组件设置于内管口。供气终端管路设置于腔室的内部并通过腔内连接组件连接于内管口。腔外连接组件设置于外管口。腔外气体管路设置于腔室的外部并通过腔外连接组件连接于外管口。本实用新型利用可以在不影响正常全局供气构造的同时，在腔室中实现局域供气功能。
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公开(公告)号：CN210572024U
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201921124479.4
申请日：2019-07-16
Abstract: 本实用新型一实施方式提供了一种评估石墨烯洁净度的装置，包括依次排布的预热区、负载区以及成像区；所述预热区包括第一加热器，所述预热区用以对待评估的石墨烯进行预热；所述负载区包括熏蒸部件，所述负载区用以将熏蒸样品负载于所述石墨烯的表面；所述成像区用以为负载有熏蒸样品的所述石墨烯采集图像。本实用新型一实施方式的评估石墨烯洁净度的装置，可实现石墨烯洁净度的无损、快速评估。
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公开(公告)号：CN220812613U
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202322593331.8
申请日：2023-09-22
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/458 , C23C16/26 , C01B32/186 , B82Y40/00
Abstract: 本实用新型提供一种石墨烯制备载具及石墨烯制备装置，涉及石墨烯生产制备技术领域。用于放置在CVD设备的石英管内的石墨烯制备载具包括支架、滑杆、压合件和多个生长衬底，滑杆设置于支架，压合件套设于滑杆并与其滑动配合，压合件起到压合和配重平衡的作用。多个生长衬底与压合件沿滑杆的轴向方向排布设置并设置于压合件和支架之间，生长衬底套设于滑杆并与其滑动配合。其中，支架被配置为相对于石英管转动，使压合件沿滑杆向靠近生长衬底的方向滑动并抵压生长衬底。辅助石墨烯薄膜的生长复合一体化，减少石墨烯薄膜表面被污染的风险，提高石墨烯薄膜的表面清洁度和石墨烯薄膜压合的工艺稳定性，从而提高石墨烯薄膜的生产质量。
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