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公开(公告)号：CN105834004A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610401673.7
申请日：2016-06-11
Applicant: 兰州大学
IPC: B03C7/06
Abstract: 本发明涉及一种分离方法及分离装置，确切讲本发明涉及一种可用于分离纳米颗粒的分离方法及分离装置。本发明的方法是：将被分离的纳米颗粒从位于圆心附近的喷嘴喷向一个可转动的筒体壁，且可转动的筒体壁与喷嘴间设立一个直流电场，在电场力的作用下纳米颗粒附着于可转动的筒体壁上，且不同质量的纳米颗粒间的距离以式1给出的间隔分布：采用本发明可以分离不同种类的纳米颗粒，而且不受被分离的纳米颗粒尺寸的限制，分离量可自行调节，分离效果好，并可使分离效率大幅提高。
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公开(公告)号：CN103888202B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410079144.0
申请日：2014-03-05
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开一种在超高频射频识别读写器中用于消除接收回路载波的消除器。本发明窄带载波泄漏消除器由一个环形桥耦合器和一个反射网络电路构成，其中：环形桥耦合器是在一个绝缘层的一面设置一个导电层，在该绝缘层的另一面设置一个其上带有四个端口的环状导电环；反射网络电路由并联的电阻、电容和电感组成，且电阻电容和电感一端接4端口，另外一端直接接地。本发明具有结构简单、成本低、可使窄带收发电路有极高的隔离度，完全可以满足读写器高接收灵敏度和远距离识别的需求，特别适用于中国的UHF RFID系统中，本发明既可与窄带收发电路电路板做成一体的，也可以是单独的元件。
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公开(公告)号：CN104503185A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410774351.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 兰州大学
IPC: G02F3/00
CPC classification number: G02F3/00
Abstract: 本发明提供了一种基于微环谐振器的二进制光学减法器，由两个微环谐振器和两个Y分支耦合器组成，该二进制光学半减器有两个待计算的电脉冲序列输入，输出的是经过计算后的光脉冲序列，本发明二进制光学加法器制作工艺与COMS工艺完全兼容，使得器件体积小、速度快、功耗低、便于集成，有望在光子计算机中发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN104238233A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410474060.7
申请日：2014-09-17
Applicant: 兰州大学
IPC: G02F3/00
Abstract: 本发明公开一种特别适用于将来的光信息处理领域的基于多波长单波导多环级联结构的可重构导向逻辑器件。本发明的基于多波长单波导多环级联结构的可重构导向逻辑器件是由n个逻辑器件运算单元和一个直波导构成，其中的每个逻辑运算单元是由N个微环MRR构成，各微环MRR与线波导相耦合。本发明的器件利用了光的自然特性可以实现高速大容量的信息处理，同时利用成熟的工艺技术，使得器件的集成度高、体积小，功耗低，扩展性好，便于与电学元件集成，以期望在光信息处理中发挥重要的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102110599A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010535361.8
申请日：2010-11-01
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/8238 , C23C14/18 , C08G73/10
Abstract: 本发明公开了一种可溶性聚酰亚胺的生产工艺，它包括聚酰胺酸溶液的配制、P型硅衬底的清洗、P型硅衬底的氧化、蒸镀含硅的铝电极等步骤。由于本发明用均苯二酐PMDA不经过二酐，直接和二苯醚二胺ODA聚合得到聚酰亚胺，与通常采用聚酰亚胺与其他材料混合加工的方法制备聚酰亚胺复合材料而使聚酰亚胺薄膜导电的功能相比较，本发明具有生产工艺简单、成本低廉和导电性均匀等特点，而且与标准CMOS工艺兼容，可用于集成电路生产工艺中铝电极的保护。
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公开(公告)号：CN209981221U
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201921074953.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 兰州大学 , 江苏明芯微电子股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型涉及一种光控晶闸管，其中的光控晶闸管既存在阴极短路点，也存在连接在一起的阴极n+区域，在提高器件dv/dt特性的同时，也不会使器件的α2值减少。因此，当α1与α2之和无限趋近于1，且α2没有减少的情况下，使得器件在适合硅吸收的光波长照射下，接受足够的光照强度，完成导通。本实用新型的光控晶闸管不仅具备高电压、大电流，而且能够快速导通。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205961087U
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201620692661.X
申请日：2016-07-04
Applicant: 兰州大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本实用新型公开一种可实现“与”、“或”、“与非”以及“或非”四种逻辑运算的基于pn结的逻辑运算器件。本实用新型由两个基本元件按pn-pn的顺序串联起来，其中一个元件为阴极接地，另一个元件为阳极接一个高电平，两个pn结逻辑运算器件的栅极分别为输入电压Vin1和Vin2，两个元件上的电压降分别为输出电压Vout1和Vout2，其中所述的每个基本元件为在一个pn结之上设置一个绝缘层，在绝缘层之上设置电极构成的栅极，位于pn结外的p型区域和n型区域分别为接线端。本实用新型的元器件结构简单，继承了传统的硅工艺，不需要其他特殊的工艺，具有体积更加微小，可实现更高的集成度，而且本实用新型用于逻辑运算电路，既可以用电压驱动，也可以用电流驱动，且驱动电压和电流比较低，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN204857725U
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201520474613.9
申请日：2015-07-05
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L51/05
Abstract: 本实用新型公开了一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存储单元；形成于浮栅表面的隧穿绝缘介质层；在隧穿绝缘介质层表面上生长有机半导体材料，形成器件的有源层；在有源层表面形成器件的源极、漏极。本实用新型的有益效果是降低基于有机场效应晶体管浮栅存储器的工作电压，实现器件的高密度存储，提高器件保持特性，降低器件制造成本。
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公开(公告)号：CN203838745U
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201320854330.8
申请日：2013-12-23
Applicant: 兰州大学
IPC: G06M1/272
Abstract: 本实用新型是一种基于单片机控制的小型活体生物引诱驱赶计数装置，本实用新型的红外探测装置通过探测感应活体生物自身散发的红外线从而探测其在某特定区域的活动规律，探测结果以二进制数的形式通过N位LED进行存储和读取；采用三线串口模式控制的模拟发声装置根据要求或不同的目的可进行多次擦除和编程，通过改变播放内容可对特定区域的某种生物进行听觉上的引诱或恐吓达到引诱或驱赶的目的。
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