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公开(公告)号：CN105324849A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480032519.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种背接触型太阳能电池，其显示出小的功率损失、通过其可自由定位母线并且具有简单的生产工序。本发明提供：半导体基板；在半导体基板的背面侧上形成的第一导电型区域，所述背面侧在半导体基板受光面侧的相对侧上；在半导体基板的背面侧上形成的第二导电型区域；在第一导电型区域上直线状地形成的第一导电型集电电极；和在第二导电型区域上直线状地形成的第二导电型集电电极。第一导电型区域和第二导电型区域交替排列。第一导电型集电电极和第二导电型集电电极设置有不连续部位。在第一导电型区域和第二导电型区域交替排列的排列方向上，各导电型的不连续部位设置为呈基本上直线地排列。
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公开(公告)号：CN103329280A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065728.7
申请日：2011-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池，是在结晶硅基板的受光面侧形成添加了具有与上述硅基板相反的导电型的掺杂剂的发射极层，在上述硅基板的表面形成钝化膜，形成了将光生成的电荷从硅基板取出的取出电极和至少部分地与上述取出电极相接、收集用上述取出电极收集的电荷的集电极的太阳能电池，其特征在于，上述取出电极包含第1电极，该第1电极是含有赋予硅以导电性的掺杂剂的导电性糊的烧结体，以至少上述第1电极贯通上述钝化层的方式形成，上述集电极包含具有比上述第1电极高的导电性的第2电极，根据本发明，在使硅与电极的接触电阻损失和在电极电阻的电阻损失减小的同时，能够使发射极层的光学的和电的损失减小，能够使太阳能电池特性大幅地提高。
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公开(公告)号：CN103247715A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310046852.X
申请日：2013-02-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/02167 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下的步骤：在n型半导体基板的第二主表面之上形成SiNx膜；在SiNx膜形成步骤之后在n型半导体基板的第一主表面之上形成p型扩散层；和在p型扩散层之上形成SiO2膜或氧化铝膜构成。
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公开(公告)号：CN103201847A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053691.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种在单晶硅基板表面具有纹理构造的太阳能电池，涉及以在该基板的表面近旁具有基于单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层的太阳能电池，根据本发明，基于单晶硅基板表面近旁存在的基板制作时的切割加工历史的破损层作为吸附站实现功能，对基板的少数载流子的寿命提高有贡献。根据该效果，太阳能电池特性飞跃性地提高。此外，不是重新附加破损，而是利用切割所带来的破损，所以不增加工时。
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公开(公告)号：CN100444414C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510116112.4
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/304
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。本发明还描述了根据该制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1291502C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN02806810.6
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
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公开(公告)号：CN1779995A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510116112.4
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/304
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
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公开(公告)号：CN1258232C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN02804239.5
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , F24S30/425 , F24S2030/16 , H01L31/02 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H02S20/23 , H02S20/24 , H02S20/30 , Y02B10/12 , Y02E10/47 , Y02E10/50
Abstract: 太阳能电池组件60具有多个太阳能电池14，这些太阳能电池在其各个吸收光表面上具有多个平行的凹槽8，每个凹槽具有一在其横向一侧的内侧面(电极形成内侧面)上用于引出输出的电极5；并具有用于以整体化方式支撑太阳能电池14以使吸收光表面朝上的支架10、50。当考虑到各个所安装的太阳能电池14的吸收光表面水平面的倾斜角β和太阳能电池组件的安装位置的纬度6时，通过调整凹槽8的电极形成内侧面的安装方向可以增加年功率输出。这成功地提供了即使在太阳光斜向照射组件时也能均衡来自组件中各个太阳能电池的输出电流的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN1489792A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804225.5
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 在半导体单晶基片24的第一主表面24a上形成了多个近于平行的沟槽2，而在每个沟槽2的内侧面上形成用于引出电池的金属电极6，这个内侧面用作电极形成区，在沟槽的横着方向观看时的一侧上。在电极形成区形成含金属底层49后，包含化学镀层、电镀层和热浸层中至少任何一层的主电极金属层50形成在含金属底层49上。
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公开(公告)号：CN119278505A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380044666.4
申请日：2023-05-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/368
Abstract: 本发明为一种使雾自喷嘴喷出至经加热的基板上并通过雾化CVD法形成晶体氧化物膜的成膜方法，其特征在于，作为所述喷嘴，使用至少包含2个以上的相对的进气口、具备所述进气口的气体混合部及喷出所述雾的出气口的喷嘴，将所述气体混合部的体积设为V(cm3)时，将所述2个以上的相对的进气口中的任意一个进气口处的所述雾的线速度L(cm/秒)设为L≥0.8V－200。由此，可提供一种用于形成晶体氧化物膜的成膜方法及用于实施该成膜方法的成膜装置，该晶体氧化物膜的结晶性优异，即便为大面积且较薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好，在应用于半导体装置时具备优异的半导体特性。
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