公开(公告)号：CN119278505A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202380044666.4

申请日：2023-05-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  坂爪崇宽

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明为一种使雾自喷嘴喷出至经加热的基板上并通过雾化CVD法形成晶体氧化物膜的成膜方法，其特征在于，作为所述喷嘴，使用至少包含2个以上的相对的进气口、具备所述进气口的气体混合部及喷出所述雾的出气口的喷嘴，将所述气体混合部的体积设为V(cm3)时，将所述2个以上的相对的进气口中的任意一个进气口处的所述雾的线速度L(cm/秒)设为L≥0.8V－200。由此，可提供一种用于形成晶体氧化物膜的成膜方法及用于实施该成膜方法的成膜装置，该晶体氧化物膜的结晶性优异，即便为大面积且较薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好，在应用于半导体装置时具备优异的半导体特性。

公开(公告)号：CN115428131A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180027330.8

申请日：2021-03-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 坂爪崇宽

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明是一种成膜装置，其至少具备：雾化部，其雾化原料溶液而产生雾；连接于所述雾化部、并输送含有所述雾的载气的配管；输送向含有所述雾的载气中混合、并以1种以上的气体为主成分的添加用流体的至少一根以上的配管；与成膜部连接、并输送将含有所述雾的载气和所述添加用流体混合后的混合雾流体的配管；连接部件，其连接输送含有所述雾的载气的配管、输送所述添加用流体的配管、以及输送所述混合雾流体的配管；以及成膜部，其对所述雾进行热处理而在基体上进行成膜，通过所述连接部件连接的、输送所述添加用流体的配管与输送所述混合雾流体的配管所成的角是120度以上。由此，提供一种能够应用成膜速度优异的雾化CVD法的成膜装置。

公开(公告)号：CN116157360A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180055292.7

申请日：2021-08-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 坂爪崇宽 ,  渡部武纪

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其为对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜的成膜方法，其特征在于，将金属镓溶解于含有氢溴酸及氢碘酸中的至少一种的酸性溶液中，制备金属杂质的浓度小于2％的所述原料溶液，将该原料溶液雾化并进行成膜。由此，能够提供一种成膜方法，该方法能够以高成膜速度成膜为结晶性良好的膜。

公开(公告)号：CN115777029A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202180045862.4

申请日：2021-06-07

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  高知县公立大学法人

Inventor： 桥上洋 ,  渡部武纪 ,  坂爪崇宽 ,  川原村敏幸 ,  邓太江 ,  安冈龙哉

IPC: C23C16/448

Abstract: 本发明涉及一种成膜用掺杂原料溶液的制备方法，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物，所述制备方法使用酸性溶剂作为所述第一溶剂。由此，可提供一种能够稳定地形成具有优异的电气特性的高品质薄膜的成膜用掺杂原料溶液的制备方法。

公开(公告)号：CN118235232A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280073199.3

申请日：2022-06-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 坂爪崇宽

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明为一种成膜装置，其具备：将原料溶液雾化从而产生雾的雾化部；供给运送所述雾化部中产生的所述雾的载气的载气供给部；及对通过所述载气运送的所述雾进行热处理，从而实施成膜的成膜部，所述成膜部具备载置所述基板的基板载置部；位于所述基板载置部上方且将所述雾供给至所述基板上的喷嘴；位于所述基板载置部上方且对自所述喷嘴供给的所述雾进行整流的顶板；及以夹住所述基板载置部的方式相向设置的侧壁，将所述基板载置部的基板载置面与所述顶板的底面的高度位置的差值设为I[cm]，并将所述基板载置部的基板载置区域与所述侧壁的最短距离设为J[cm]时，IJ≤15。由此，提供一种能够形成膜厚分布的面内均匀性优异且大面积的膜的成膜装置。

公开(公告)号：CN118103547A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068535.5

申请日：2022-06-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 坂爪崇宽

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明是一种成膜装置，具备：雾化部，其使原料溶液雾化而产生雾；载气供给部，其供给载气，所述载气运送由所述雾化部产生的所述雾；以及成膜部，其对由所述载气运送的所述雾进行热处理而进行成膜，其特征在于，所述成膜部具备：成膜室；基板载置部，其设置于所述成膜室的内部；喷嘴，其对所述成膜室的内部供给所述雾；以及排气部，其将废气从所述成膜室的内部排放至外部，所述成膜室的天花板的内表面与所述基板载置部的基板载置面的高度位置的差为0.15cm以上6.05cm以下。由此，提供一种能够通过雾化CVD法形成膜厚的面内均匀性优异的膜的成膜装置。