高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN109891599A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201680090321.2

    申请日:2016-10-25

    Abstract: 本发明是一种太阳能电池,在有第一导电型的半导体基板的第一主表面,具有有前述第一导电型的基极层,及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层,且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池,其特征在于,在前述第一主表面上,具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜;具有被配置成覆盖前述射极电极,而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜;具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极;前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是,W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此,可以抑制绝缘材料的消耗,而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好,同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微,且使太阳能电池特性提升。

    太阳能电池及太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN106796964B

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201580044524.3

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 本发明是一种太阳能电池,其具有掺杂有镓且形成有pn结的硅基板,所述太阳能电池的特征在于,在所述硅基板的主表面中的至少具有p型区域的第一主表面设置有热氧化硅膜,并且所述硅基板进一步掺杂有硼。由此,本发明提供一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法,所述太阳能电池具有作为基板表面钝化膜的热氧化硅膜,并且能够抑制光劣化,同时具有高转换效率。

    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN107078178A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201580060359.0

    申请日:2015-10-13

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池,其具备P型硅基板,所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面,在所述背面上具备电介质膜,并且,所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层,所述太阳能电池的特征在于,所述P型硅基板为掺有镓的硅基板,在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。由此,本发明提供一种太阳能电池及其制造方法,所述太阳能电池具备掺镓基板且转换效率优异。

    太阳能电池及太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN106463549A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201580030808.7

    申请日:2015-04-07

    Abstract: 一种太阳能电池,其在基板的与受光面相反的面上,形成有第1导电型的扩散层与第2导电型的扩散层,所述太阳能电池具备:第1电极部、第2电极部、第1电极线部、第2电极线部、第1电极母线部及第2电极母线部;在第2电极部与第1电极母线部交叉的区域,以覆盖第2电极部的侧面部与上部的方式形成第1绝缘膜,在第1电极部与第2电极母线部交叉的区域,以覆盖第1电极部的侧面部与上部的方式形成第2绝缘膜,在第1绝缘膜的正下方,线状地连续形成第2电极部,在第2绝缘膜的正下方,线状地连续形成第1电极部。由此,提供一种配线电阻低、转换效率高的背面电极型太阳能电池及能够以低成本制造这种背面电极型太阳能电池的太阳能电池的制造方法。

    太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件

    公开(公告)号:CN103348489B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201180066540.4

    申请日:2011-12-21

    CPC classification number: H01L31/18 B41P2215/50 H01L31/022425 Y02E10/50

    Abstract: 本发明提供了太阳能电池元件的制造方法,其可谋求提高在丝网印刷工序中形成的集电极的膜厚,且降低其电阻值,并对转换效率的提高做出贡献。当通过导电性糊的丝网印刷形成太阳能电池元件的集电极时,多次重复该丝网印刷处理。此时,使第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度等于或高于第一次丝网印刷时的刮涂速度。在第一次印刷的集电极上重叠进行第二次以后的丝网印刷,因此,刮涂速度越快,糊和基底的印刷板脱离越好,糊的涂布量增大,所形成的集电极的膜厚变厚。

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