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公开(公告)号：CN102376742A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110221725.X
申请日：2011-08-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H05B33/08 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/5253 , H01L51/5275 , Y02B20/32
Abstract: 本发明涉及有机电致发光显示装置。所述有机EL显示装置包括多个像素和设置在各像素的光发射表面侧的透镜阵列，所述透镜阵列包含光会聚透镜部分和平坦部分。各像素包括包含于一对电极之间的光发射层。从光发射层发射的光的一部分被光会聚透镜部分会聚。光会聚透镜部分的顶部表面与光发射区域重叠，并且，光会聚透镜部分的一部分位于光发射区域外部。
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公开(公告)号：CN102034851A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010293330.6
申请日：2010-09-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/32 , H01L27/3244 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5256 , H01L51/5275
Abstract: 本发明涉及一种显示装置，该显示装置包括：像素的阵列，所述像素的阵列包含多个有机EL元件，所述多个有机EL元件各具有一对电极和有机化合物层，该有机化合物层包含发光层并且被设置在所述一对电极之间；以及保护层，所述保护层被设置在所述多个有机EL元件上。所述保护层具有由无机材料制成的第一保护层、由树脂材料制成并且被设置在第一保护层上的第二保护层和由无机材料制成并且被设置在第二保护层上的第三保护层。第二保护层包含用于使从发光层发射的光的至少一部分发散的透镜。所述透镜具有细长的凹形形状。
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公开(公告)号：CN100477072C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03107555.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
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公开(公告)号：CN1223015C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN00120015.1
申请日：2000-05-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/1892 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/056 , H01L31/1804 , H01L31/184 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供光电转换器件的制造方法，包括在衬底表面上形成不平坦形状的步骤，提供分离层、维持衬底上不平坦形状的步骤，形成半导体膜、维持分离层上不平坦形状的步骤，和在分离层使半导体膜与衬底中分离开的步骤，其中，在衬底表面上形成不平坦形状的步骤是通过对带有分离后保留的分离层的衬底的各向异性腐蚀来形成表面上具有不平坦形状衬底的步骤。本发明还提供按上述方法制造的光电转换器件。
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公开(公告)号：CN1516293A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310117927.5
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C30B19/12 , H01L21/02381 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/2007 , H01L21/3063 , H01L21/76251 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/1804 , H01L33/0062 , H01L2221/68368 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/977
Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体构件的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体构件，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1157762C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN98102954.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
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公开(公告)号：CN1149645C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN98125516.7
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/302 , H01L21/304 , C23F1/24 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67086 , C25D11/32 , H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L21/76256
Abstract: 提供一种多孔区的去除方法和半导体衬底的制造方法。该去除方法可保证去除多孔层后的底层平整度，包括：第一步，把预处理液(如水)注入多孔层；第二步，用腐蚀剂(如氢氟酸)代替填充多孔层的预处理液，并用腐蚀剂腐蚀多孔层。通过这种方法，可以缩短将腐蚀剂注入多孔层的方法，从而减小了腐蚀进展的差别。
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公开(公告)号：CN1135601C
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN97109536.1
申请日：1997-02-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76259
Abstract: 制造质量好重复性好的SOI衬底的方法。同时，重复使用晶片实现节约资源降低成本。该方法包括以下步骤：粘接第1和第2衬底的主表面，第1衬底是Si衬底，其中通过多孔Si层形成至少一层无孔薄膜；露出由第1和第2衬底构成的粘接衬底侧表面中的多孔硅层；氧化粘接衬底分割多孔Si层；除去由分割多孔Si层而分开的第2衬底上的多孔Si和氧化多孔Si层。
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公开(公告)号：CN1122317C
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN98108876.7
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 生产半导体衬底的方法，对第一衬底的表面阳极化形成多孔层；在多孔层表面和第一衬底与多孔层一侧相对侧的表面上同时形成半导体层；把多孔层表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上；在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底使多孔层表面上形成的半导体层转换到第二衬底上，从而在第二衬底的表面上提供半导体层。这使得可以以低的成本生产半导体衬底，同时可很好地利用昂贵的衬底材料。
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公开(公告)号：CN1118085C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98108877.5
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片，在利用粘结晶片制备的衬底中，粘结后，在形成于第一Si衬底(2)的主表面内包括的低孔隙率层和高孔隙率层的高孔隙率层的界面进行分离，由此无孔层转移到第二衬底。在高孔隙率层的分离后，通过如氢气退火的光滑工艺不进行选择性腐蚀，就可将残留的低孔隙率的薄层制成无孔。
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