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公开(公告)号：CN101928982B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200910053568.9
申请日：2009-06-22
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种双室结构碳化硅晶体生长装置，属于晶体生长装置领域。本发明采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室通过真空挡板阀连接分离，进样室和晶体生长室连接真空系统。本发明的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附，提高碳化硅晶体的纯度以及实现对杂质的精确控制，生长出高质量的导电型、掺杂半绝缘或高纯半绝缘等碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN101132030B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200710045225.9
申请日：2007-08-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/036
Abstract: 本发明涉及一种高耐压碳化硅光导开关，属于半导体器件制备技术领域。光导开关采用相对面型设计，在经处理后的碳化硅抛光片的两面制作欧姆接触，形成两个电极。这种相对面型碳化硅光导开关可以成倍地提高开关的耐压能力，使光导开关的体积得以缩小，为光导开关的集成化创造条件，可用于半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN101812723A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010152392.5
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置。本发明的基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区；生长过程中籽晶放置在坩埚底部，不需粘贴或固定籽晶至坩埚盖上。本发明具有如下特点：使用碳化硅多晶晶锭作为原料，并固定在坩埚顶部。采用本方法及装置，可以有效地避免由于籽晶粘贴或固定不当，导致生长过程中籽晶脱落或者生长得到的晶体应力过大，同时，由于采用多晶晶锭作为原料，气相组分在生长腔内分布更加均匀，生长得到的晶体均匀性更好，生长重复性更高。
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公开(公告)号：CN100552081C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610119424.5
申请日：2006-12-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法，属于半导体材料制备领域。本发明是利用电磁场约束电感耦合增强气相沉积系统，以氧化锌为溅射靶材，在工作气体氩气中通入氮气作为反应气，使溅射射频功率为100～300W，电感耦合射频源功率于30～50W间，衬底温度400～500℃，氩气流量与氮气流量的比在5∶1～1∶1范围内，进行溅射镀膜，获得氮掺杂氧化锌薄膜，再将该薄膜在氮气氛围下快速退火，退火温度400～550℃，退火时间为5～10分钟，获得稳定的p型氧化锌薄膜。本发明方法技术含量高，可获得高质量稳定的p型氧化锌薄膜，且可实现载流子浓度控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1929091A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610116508.3
申请日：2006-09-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L21/203 , C23C14/35
Abstract: 本发明利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法，以Co为磁性掺杂源，以Al为施主掺杂源制备(Co，Al)共掺杂的ZnO薄膜。制备过程采用Zn1－x－yCoxAlyO(0＜x≤0.15，0＜y≤0.03)靶材，Co的掺杂浓度可以通过调节靶材中的Co含量控制，薄膜中的载流子浓度和氧缺陷可以通过调节靶材中的Al含量和高纯O2和Ar不同分压比来控制。采用ICP－PVD法可以有效的控制掺杂浓度，稳定性好。该设备简单，操作方便，与普通磁控溅射设备相比引入了电磁场约束系统，在溅射过程中能够对等离子体中的电子和各种带电离子起到约束和加速作用，从而降低了薄膜的生长温度，薄膜具有表面平整、晶粒大小均匀，良好C轴取向的优点，并获得了室温以上的铁磁性。
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公开(公告)号：CN111058092B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010018627.5
申请日：2020-01-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法，所述方法包括：（1）将La2O3粉体、Ga2O3粉体和SiO2粉体按摩尔比3:5(1+x):(1‑y)称量，并加入玛瑙球或氧化锆球、以及酒精为混料介质，湿法球磨混合后烘干，再经压块和烧结，得到原料块；（2）在至少一个坩埚底部放入籽晶，然后装入原料块并密封；（3）将至少一个坩埚置于坩埚下降炉中，然后在1500～1530℃下保温5～10小时，使得原料块和籽晶顶部熔化；（4）然后以0.1～0.5mm/小时的速率下降的同时并保持生长温度以1～3℃/分钟的升温速率升温，直至原料块全部结晶后停止下降，随后冷却至室温，得到所述大尺寸硅酸镓镧晶体。
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公开(公告)号：CN108039334B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201711404483.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种可以实现对厚度在微米量级的晶片的承载和保护、特别适用于晶片加工及质检生产中一个工序完成后晶片的放置和转运中的保护的微米级厚度晶片承载台。所述承载台整体为圆筒形；在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处，从该承载台的顶面向下方形成台阶，在所述台阶的中央向下形成凹陷并在台阶顶部形成用于载置晶片的环形表面，还具备三个以上凹槽，所述凹槽以如下形式设置：使所述承载台的所述顶面以及所述环形表面具有一定宽度的开口，同时使所述承载台的侧面具有一定深度的开口，所述承载台的侧面的所述开口的深度大于所述环形表面与所述承载台的所述顶部的高度差。
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公开(公告)号：CN111058092A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN202010018627.5
申请日：2020-01-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法，所述方法包括：（1）将La2O3粉体、Ga2O3粉体和SiO2粉体按摩尔比3:5(1+x):(1-y)称量，并加入玛瑙球或氧化锆球、以及酒精为混料介质，湿法球磨混合后烘干，再经压块和烧结，得到原料块；（2）在至少一个坩埚底部放入籽晶，然后装入原料块并密封；（3）将至少一个坩埚置于坩埚下降炉中，然后在1500～1530℃下保温5～10小时，使得原料块和籽晶顶部熔化；（4）然后以0.1～0.5mm/小时的速率下降的同时并保持生长温度以1～3℃/分钟的升温速率升温，直至原料块全部结晶后停止下降，随后冷却至室温，得到所述大尺寸硅酸镓镧晶体。
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公开(公告)号：CN110919465A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911089706.9
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：（1）挑选零微管道的整块单晶碳化硅晶锭；（2）对该单晶碳化硅晶锭进行切割，得到粗坯；（3）对粗坯进行双面研磨，得到两个平行的粗磨面；（4）对两个平行的粗磨面进行抛光，得到光学镜面；（5）对光学镜面进行化学机械抛光，去除镜面的损伤层，并进行局部修整，得到无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件。
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