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公开(公告)号：CN105175028A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510638190.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B41/89
Abstract: 本发明涉及一种耐高温抗热震SiC/B4C复合涂层及其制备方法，复合涂层包括：沉积于基底材料上的SiC涂层、和沉积于SiC涂层外表面的B4C涂层。本发明将SiC/B4C两种相涂层结合，有效克服了单层SiC涂层氧化生成的SiO2低温下挥发性差，无法完全封填涂层本身存在裂纹的缺点，同时B4C低温下氧化下生成的B2O3具有良好的流动性，有效的阻挡了氧的入侵，当氧从外入侵到SiC内层时，由于此时材料表面温度已升高，SiO2具有良好流动性，可以有效封填裂纹。
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公开(公告)号：CN104909790A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510274586.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/583 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种二维纤维/氮化硼纳米管多级增强体及其制备方法，在所述二维纤维/氮化硼纳米管多级增强体中，氮化硼纳米管均匀分布于二维纤维表面。本发明首次创新性地探索出二维纤维/氮化硼纳米管多级增强体的制备方法，获得所需的二维纤维/氮化硼纳米管多级增强体。本发明中制备工艺简单，原料成本低、安全、易获得，为后续三维纤维/氮化硼纳米管多级增强体的构建及多级增强复合材料的研究发展奠定基础。
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公开(公告)号：CN102330328A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110158123.4
申请日：2011-06-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: D06M11/74 , D06M11/83 , C01B31/02 , D06M101/40
Abstract: 本发明提供一种三维纤维/碳纳米管多级增强体，通过化学气相渗透(CVI)工艺在三维纤维预制体中生长作为纳米增强相的碳纳米管(CNTs)，得到所述多级增强体。本发明还提供所述多级增强体的制备方法。
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公开(公告)号：CN115772037A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111057806.0
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种利用短切纤维构造熔渗预制体制备碳化硅陶瓷基复合材料的方法，包括：（1）将短切纤维、碳化硅粉体、粘结剂和溶剂混合，得到碳化硅浆料；（2）将碳纤维布或碳化硅纤维布进入所得碳化硅浆料中，得到纤维浸浆片后，依次经烘干、裁剪、叠层、固化、热解，得到熔渗预制体；（3）将硅粉或硅合金粉置于熔渗预制体周围，再经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115677355A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110857910.1
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种纤维表面Si3N4纳米网络复合界面相层及其制备方法。该在纤维表面原位生长Si3N4纳米网络结构复合界面相层的方法为：将表面沉积有Si3N4界面相层的纤维或纤维编织体进行热处理，得到Si3N4纳米网络结构复合界面相层；所述热处理包括：（1）先在1450～1750℃、真空或压力为10Pa～20Kpa的N2或/和Ar中，保持0.1小时～2小时；（2）再在1450～1750℃，压力为70Kpa～1000Kpa的N2或/和NH3气氛中，保持0.1小时～2小时。
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公开(公告)号：CN110668457B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201911047283.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法，所述二维硼碳氮纳米材料的片状直径为1～50μm，层数为1～10层；所述二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法包括：（1）将硼源、固体碳源和纳米氧化铁催化剂加入溶剂中并混合得到混合浆料；所述硼源选自固体硼源或/和液体硼源，优选为无定形硼粉、硼酸三甲酯、硼砂中的至少一种；所述固体碳源选自石墨、石墨烯、活性炭中的至少一种；（2）将所得混合浆料涂敷在衬底表面并烘干，置于压力2～40atm的氮气气氛中、在800～1400℃下热处理0.5～20小时，得到所述二维纳米硼碳氮半导体材料。
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公开(公告)号：CN113334271B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110570008.1
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B25B11/00 , C04B35/56 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/80
Abstract: 本发明提供一种单束纤维增强陶瓷基复合材料制备用工装夹具，是在纤维束的表面进行界面相制备及基体致密化处理时对纤维束进行固定的工装夹具，包括一对底座、一对螺杆和多个螺母；底座上设置有通过在底面上沿长度方向开设第一凹槽而形成的安装部和通过在底面上沿宽度方向开设第二凹槽而形成的缠绕部，第二凹槽的深度在第一凹槽以下；在第一凹槽与第二凹槽重叠的区域上开设有用于通过气流的通气孔，安装部在通气孔的两侧形成有对称分布的一对贯通孔；一对螺杆以分别插通一对底座上的一对贯通孔，且在一对贯通孔的两侧通过螺母进行紧固的形式设置；纤维束缠绕于一对底座的缠绕部的外周缘上。
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公开(公告)号：CN113105257B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110323519.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622 , G01N3/20
Abstract: 本发明涉及一种纤维增强陶瓷基复合材料用界面层及其筛选方法，所述纤维增强陶瓷基复合材料用界面层的组分为SiBN，其中Si的含量为2.01～25.19at%，B的含量为49.03～73.32at%，N的含量为22.38～40.97at%，各组分百分含量之和为100at%。
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公开(公告)号：CN113773099A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010523437.9
申请日：2020-06-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种连续纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，将质量比为（5～20）：（10～30）：（60～80）的硅源、碳源和SiC粉制备成浆料；将所述浆料通过流延方式引入二维纤维布中得到流延膜，再通过叠层、气压固化、排胶和烧结致密化，得到所述连续纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料；其中所述气压固化包括：真空度为1～20kPa；固化压力为40～80个大气压；固化温度为100～150℃；固化时间为1～2小时。
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