一种基于微孔阵列芯片的单细胞基因检测方法

    公开(公告)号:CN109536590A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811427223.0

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 本发明提供一种基于微孔阵列芯片的单细胞基因检测方法,包括以下步骤:1)提供一种包含若干微孔单元的微孔阵列芯片;2)将细胞悬液滴加于微孔阵列芯片上,通过离心实现单细胞在单个微孔单元中的定位;3)在微孔阵列芯片上粘贴PCR封装膜,进行第一次封装,离心,高温加热,揭掉PCR封装膜;4)在微孔阵列芯片上滴加PCR预混液,采用聚丙烯双面胶膜粘贴微孔阵列芯片,离心,将玻璃盖板与聚丙烯双面胶膜上层贴合,实现第二次封装;以及5)将第二次封装完成的微孔阵列芯片放置于PCR原位仪上进行PCR,反应结束后,显微镜下观察荧光信号,分析单细胞基因表达水平。根据本发明提供的方法实现了单细胞水平的高通量、一体化和快速检测。

    一种简易低成本微阵列芯片点样器的使用方法

    公开(公告)号:CN103389237B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201310330143.4

    申请日:2013-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种简易低成本微阵列芯片点样器及使用方法,所述点样器由一个包含微通孔阵列和一组微管道的硅橡胶芯片构成,芯片上每个微通孔至少与一条微管道相通,各条微管道之间相互独立,且每条微管道至少连接一个进样口。使用时,首先将点样器置于真空环境中进行脱气处理,然后将脱气处理后的点样器与待点样基片贴合,点样器中包含微通孔阵列的一面接触待点样基片,并在各进样口滴加相应待固定样品,利用脱气硅橡胶块体吸收微管道中空气形成的负压驱动进样口液样充满微管道和微通孔阵列,经过一定时间的静置,待微通孔阵列中液样与基片表面完成交联反应后,剥离点样器,并清洗基片,即可得到完成点样的微阵列芯片。

    一种基因芯片的金沉积检测方法

    公开(公告)号:CN103451313A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310451535.6

    申请日:2013-09-27

    Abstract: 本发明提供一种基因芯片的金沉积检测方法,其特征在于所述方法包括将已知的DNA序列点样到微阵列上制备基因芯片,在待测核酸的5’端预先修饰一种生物大分子,以及在纳米金上标记与待测核酸上修饰分子匹配的另一生物大分子构建纳米金复合探针,然后将修饰好的待测核酸和标记好的所述纳米金复合探针与所述基因芯片混合,孵育,洗去未反应的所述纳米金复合探针,加入双氧水金增强反应液观察。本发明提供的基因芯片的金沉积检测方法最大的特点及优点为:灵敏度高,检测方便,操作简便,耗时短,成本低,目视化检测,检测及信号读取设备依赖程度低。

    纳米复合探针及其用于基因芯片膜转印的检测方法

    公开(公告)号:CN101812529B

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201010156014.4

    申请日:2010-04-23

    Abstract: 本发明涉及一种纳米复合探针及其在基因芯片膜转印的检测方法,其特征在于所述的纳米复合探针为三条探针共同标记的纳米颗粒,其中所述的三种探针分别为检测探针DP2和两种长短不同的信号探针SP1和SP2,三种探针的长度DP2≥SP1>SP2,且SP1碱基长度比SP2长10mer以上;DP2、SP1和SP2混合的比例为DP2/(SP1+SP2)=1∶5-1∶30,其中SP1与SP2的比例在1∶5-1∶30之间。所述的三条探针共同标记纳米颗粒所形成的空间立体结构降低杂交及生物素——键亲和素反应的空间位阻,提高检测灵敏度。采用杂交和显色的方法用于检测合成靶DNA分子和结核分枝杆菌,具有灵敏度高和探眼可分辨的特点。

    一种玻璃微流控芯片的低温键合方法

    公开(公告)号:CN1648662A

    公开(公告)日:2005-08-03

    申请号:CN200510023894.7

    申请日:2005-02-06

    Abstract: 本发明涉及一种玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于具体包括(1)在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后基片进行表面清洗;(2)基片预键合,清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中,干燥温度为90-110℃,抽真空使真空度达60-90Pa并保持真空2 h完成基片预键合;(3)基片预键合后退火,提高键合强度,在预键合好的基片上面施加0.2-0.4MPa的压力,同时将真空干燥箱的温度设定为180-210℃,抽真空真空度为60-90Pa保持6h后关闭电源,自然冷却至室温。键合过程在非净化条件下完成,基片预键合仅需真空干燥箱中施加一定压力实现高温键合与退火。

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