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公开(公告)号：CN103721574B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310753534.7
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米过滤膜及其制备方法、荧光石墨烯量子点的制备方法，所述纳米过滤膜至少包括：功能层，包括若干贯穿所述功能层的第一过滤孔；支撑层，与所述功能层相连，包括若干贯穿所述支撑层的第二过滤孔；所述第二过滤孔的孔径大于所述第一过滤孔的孔径，且一所述第二过滤孔与至少一个第一过滤孔互相连通。所述纳米过滤膜能够有效实现纳米级微粒的分离，并且分离后的微粒尺寸统一。本发明还提供一种利用上述纳米过滤膜制备荧光石墨烯量子点的方式，最终得到的荧光石墨烯量子点的发光效率高，量子产率高。
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公开(公告)号：CN103241728B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210032772.4
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供了一种制备石墨烯纳米孔阵列的方法，包括以下步骤：1）将碳源溶液涂敷在多孔阳极氧化铝模板的表面；2）将步骤1）所获得的表面涂有碳源的多孔阳极氧化铝模板压在金属基底表面，剥离所述多孔阳极氧化铝模板，使碳源保留在所述金属基底表面并使碳源保留与所述多孔阳极氧化铝模板表面一致的图案；3）将步骤2）所获得的金属基底于氢气和氩气的混合气流下进行退火处理，将碳源转变为石墨烯纳米孔阵列。本发明所得到的纳米孔阵列是联系的纳米孔阵列结构，并非单个或几个纳米孔；纳米孔孔径可以通过PAA本身的模板效应来调节，也可以通过后期的生长和刻蚀进一步调节，因此，孔径的可控性非常优异。
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公开(公告)号：CN105137374A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410242678.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/326 , A61B5/055 , A61B2560/0223 , G01N24/08 , G01R33/385 , G01R33/445
Abstract: 本发明提供一种超高分辨率的磁共振成像方法及装置，所述方法至少包括以下步骤：将被检样品放置于磁场梯度源与纳米超导量子干涉器件的作用范围内；采用静磁场源对被检样品施加静磁场，采用射频源对所述被检样品施加核磁共振射频脉冲以激发所述被检样品使其发生核磁共振；采用所述纳米超导量子干涉器件与被检样品直接耦合以探测所述被检样品产生的核磁共振波谱信号；根据探测得到的核磁共振波谱信号与磁场梯度源的空间分布信息建立被检样品的图像。本发明利用纳米超导量子干涉器件作为探测器，可实现纳米级别分辨率的磁共振成像，测量不会受到振动和电场信号的干扰，样品可与探测器直接近距离耦合，成像范围加大，且可以在强磁场条件下工作。
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公开(公告)号：CN103774113B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410062801.0
申请日：2014-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明提供一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括如下步骤：先制备铜镍合金箔作为衬底，将所述衬底置于压强为20～5000Pa的化学气相沉积腔室中，使所述衬底的温度保持在950～1090℃，并通入温度为50～100℃的源物质，同时通入保护气体生长10分钟～3小时，从而在所述铜镍合金箔衬底表面制备形成六方氮化硼薄膜。该方法通过控制生长参数可以在铜镍合金衬底上制备不同尺寸六方氮化硼晶畴以及不同厚度的连续膜。制备的六方氮化硼晶畴边长最大可达上百微米，而且结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼薄膜在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。
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公开(公告)号：CN102694117B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210167983.9
申请日：2012-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法，该振荡器包括一共面波导，以及位于所述共面波导中心导体带和接地导体之间的超导纳米线，该振荡器的实现原理是基于超薄超导材料的纳米线结构的自热弛豫效应特性。本发明制备的振荡器工艺结构简单，和超导约瑟夫逊振荡器相比，不需要使用多层超导薄膜，不需要制备结构复杂且制备难度较高的超导约瑟夫逊结。同时，其控制简单，不需要外加磁场，仅需控制器件的偏置电压即可实现高频振荡。该振荡器原理适用于所有类型超导材料，包括各种高温超导材料和低温超导材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102828244B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210359830.4
申请日：2012-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及石墨烯薄膜制备领域，具体公开了一种基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜材料及其制备方法，包括如下步骤：1）镍铜复合衬底的制备；2）渗碳：将铜镍复合衬底加热至200～300℃后，通入碳源气体和载气，保温30～240min，对镍层进行渗碳；3）析碳：切断碳源气体的供应，将铜镍复合衬底温度升高到300～1000℃，通入载气，保温10-180min，获得基于镍铜复合衬底的石墨烯薄膜。本发明的有益效果为，不仅提出了新的制备工艺，使石墨烯的层数控制更加容易，还解决了目前复合衬底制备成本高的问题，获得了一种成本低、制备方法简单易控，产品质量好、面积大的石墨烯薄膜材料。
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公开(公告)号：CN102839388B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210326035.5
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及新型化学电源和新能源材料领域，具体公开了一种石墨烯/二硫化钼复合电极材料及其制备方法，该制备方法的步骤包括1）以石墨为原料，通过氧化插层法制备氧化石墨；2）将制备的氧化石墨用去离子水溶解，超声剥离获得氧化石墨烯溶液，然后加入DMF、钼酸盐，最后加入还原剂，分散均匀，获得混合溶液；3）将混合溶液转移到反应釜中，在大于等于180℃的温度条件下保温5～10h，产物离心、洗涤除去DMF，干燥，获得石墨烯/二硫化钼复合电极材料产物。本发明的石墨烯/二硫化钼复合电极材料制备方法简单、反应体系均匀，生产成本低，极适合工业大规模生产的要求；制备产物石墨烯/二硫化钼复合电极材料具有较佳的电化学性能。
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公开(公告)号：CN102583359B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210096785.8
申请日：2012-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/003
Abstract: 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点之上进行化学气相沉积，从而在催化剂表面以及催化剂与基底界面形成连续的石墨烯薄膜。相比于铜和镍等固体催化剂表面生长石墨烯，本发明所制备的石墨烯层数可控、对基底表面微观形貌要求低、适用于多种基底材料、并且催化剂的移除非常简单。所获得的位于液体表面的石墨烯具有独特的应用价值。
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公开(公告)号：CN104353127A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410654104.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯量子点与蚕丝蛋白的抗菌复合材料、制备及应用，其特征在于石墨烯量子点或掺杂的石墨烯量子点与蚕丝蛋白的质量比为1:1-1:10000；所述的掺杂的石墨烯量子点为含有掺杂原子的具有弱氧化或还原性的或易发生配位作用的非金属化合物，金属化合物或有机化合物，掺杂剂的浓度为0.01-10mM；所述的蚕丝蛋白分子量为1000-10000000Da。在可见光或暗场下大量生成具有抗菌能力的羟基自由基能力，尤其是掺杂B的石墨烯量子点与蚕丝蛋白的复合材料更显示出优异的抗菌能力。可作为体内抗菌材料或伤口缝线材料直接用于生物体内。
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公开(公告)号：CN103265020B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201310200476.5
申请日：2013-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种宏量制备石墨烯量子点粉体的方法，本方法从天然鳞片石墨出发，分三步实现宏量制备粉状石墨烯量子点：第一步将天然鳞片石墨转变为石墨纳米颗粒，第二步将石墨纳米颗粒转变为一阶插层纳米氧化石墨，第三步将一阶插层纳米氧化石墨置于非密封有盖坩埚中，在空气中热处理获得石墨烯量子点粉体；本发明方法以价格低廉的天然鳞片石墨为原料，结合可以量产的球磨粉碎和插层技术、以及独特的热处理工艺，实现了从插层纳米氧化石墨颗粒到石墨烯量子点粉体的100%转变，突破了目前只能在溶液中获取量子点的技术瓶颈。
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