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公开(公告)号：CN103824591B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410108203.2
申请日：2014-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器系统，至少包括：I2C接口电路模块、交互电路模块和相变存储器模块；所述相变存储器模块包括存储阵列；I2C接口电路模块分别与交互电路模块和相变存储器模块相连，其中，所述交互电路模块适于在接收所述前字节数据读取信号或者所述字节数据发送信号时，一一选通被所述字节地址信号选中的字节存储阵列中的存储位，并一一提供所对应的读/写触发信号，以使得所述I2C接口电路模块从所述字节地址信号对应的字节存储阵列中读出相应的串行读出数据或者使得所述I2C接口电路模块向所述字节地址信号对应的字节存储阵列中写入相应的串行写入数据。所述相变存储器系统无论从功耗还是速率方面，相变存储器都优于传统的EEPROM。
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公开(公告)号：CN105632551A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510960374.2
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/54 , G06N3/0635
Abstract: 本发明提供一种存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法，存储阵列包括：第一引出线和第二引出线，不同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一存储单元，相同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一可控开关。存储芯片包括：接口模块；产生控制信号的控制模块；产生写电流、擦电流或读电流的驱动模块；选通第一、第二引出线的第一、第二译码器；以及存储逻辑关系值的存储阵列。存储方法包括：写入和读出操作。本发明通过全新的存储阵列实现对象间的逻辑关系的存储；同时在读出时，通过可控开关在相同编号的引出线间传递，将结果转换为条件，以此综合间接关系因素，可用于仿脑智能应用场景，提高存储阵列中的信息量。
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公开(公告)号：CN102831929B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210324598.0
申请日：2012-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的读写转换系统及方法，所述读写转换系统包括用于产生读脉冲及写脉冲的读写脉冲产生模块、用于锁存需要进行操作的目标地址的地址锁存模块、用于读取目标地址相变存储单元的数据的读模块、用于将待写入的数据写入到目标地址的相变存储单元的写模块、用于锁存所述读模块读出的目标地址的数据或者所述写模块已经写入目标地址的数据的数据锁存模块、以及用于比较目标地址的数据和待写入数据的数据比对模块。本发明能够通过控制读写次序使相变存储器自动在速度优先模式和功耗优先模式间切换，从而达到在不降低存储器系统可靠性的前提下，对于功耗优先的应用场合，最大限度地降低存储器的操作功耗的目的。
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公开(公告)号：CN104318955A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410631642.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据，其中，所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括：虚拟单元，读电路工作电压产生电路，稳压缓冲电路，读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压，有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象；同时，无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护，能有效地加快数据读出过程，特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。
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公开(公告)号：CN103794245A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410077445.X
申请日：2014-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法，包括：将读出时间延长半个至若干个时钟周期，所述方法通过SPI接口输出电路的调整配合以实现。所述SPI接口输出电路包括：寄存数据的数据输入/输出寄存器、内部时钟的产生电路、通过内部时钟控制锁存数据的输出锁存器、用于屏蔽第一个数据的第一数据锁存屏蔽电路以及用于输出数据的输出三态门。本发明提供一种基于SPI接口的相变存储器的读控制电路及方法，给予读出电路合适的使能控制信号，延长半个至若干个时钟周期的读取时间，使SPI接口电路运行在较高的频率时能够提供足够的读出时间，从而提高基于SPI接口的相变存储器的数据传输速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103794244A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410054763.4
申请日：2014-02-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法，包括：地址寄存器逐位接收外部地址；当（LSB+A）位接收到地址时，预读2M+A位数据并锁存；当LSB位接收到地址时，从2M+A位预读数据中译码出2M位目标数据并锁存，同时输出地址自增信号；地址后移，若（LSB+A）位寄存器发生翻转，则读取下一组数据，反之，所述相变存储器内部不进行读取操作；输出数据，并输出下一个地址自增信号。本发明通过提前一个或者若干个时钟周期预先将可能需要进行读取操作的地址的数据全部读出，然后再通过对真实地址译码将对应目标地址的数据输出，可以增加相变存储器内部实际读取时间，从而提高基于SPI接口的相变存储器的数据传输速率，进而提高芯片的最终性能。
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公开(公告)号：CN103646668A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310729248.7
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法，所述一次性可编程存储器至少包括：相变存储单元，用于存储需要写入的数据；写入单元，用于将需要写入的数据写入到相变存储单元中；读取单元，用于读取存储在相变存储单元中的数据；读参考单元，用于提供读取单元读取数据时的比较对象；偏置单元，用于在读取单元读取时向所述相变存储单元提供钳位电压。本发明具有以下有益效果：本发明能够通过利用简单的外围电路实现对相变存储单元的一次性非可逆操作，从而实现其一次性可编程性能，可以最大限度地降低存储器的占用面积，进而降低其使用成本。
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公开(公告)号：CN101976578A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010501678.X
申请日：2010-10-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元的数据读出电路及读出方法，所述电路至少包括：读电流供应电路、判决管、偏置电压产生电路、预充电电路、比较电路、放电电路等，先由预充电电路对待读的相变存储单元的位线预充电，在停止充电后，判决管会因待读的相变存储单元的阻值的不同而进入导通或截止状态，再由比较电路将判决管在导通或截止时输出的电压和预设参考电压进行比较，由此输出和待读的相变存储单元的阻值相应的电位，并在比较电路输出相应电位后，放电电路将位线上残余电荷泄放，从而完成数据的读取，此法可有效避免位线上寄生电容的影响。
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公开(公告)号：CN119947123A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411964014.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种限制型存储单元的制备方法，通过对用现有工艺制程制备的传统T型结构存储单元进行刻蚀‑填充介质层‑刻蚀‑填充介质层‑填充顶电极得到，刻蚀方法包括相邻刻蚀或同向刻蚀。本发明的制备方法可制备出单元面积更小、成本和功耗更低的存储单元。
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公开(公告)号：CN116339478A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211592473.6
申请日：2022-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F1/26 , G06F1/24 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种双电源优先级选择电路，包括：双电源上电复位合成电路，用于监测双电源的状况，并根据所述双电源的状况产生上电复位信号和合成输出信号，包括两个输入端和两个输出端，两个输入端分别与双电源的两个电源端相连，两个输出端用于输出产生的上电复位信号；两相非交叠RS触发器电路，用于以所述合成输出信号为电源，根据所述上电复位信号生成对应的电平信号；电平转换器，用于将所述电平信号转换为电源控制信号。本发明让系统在不同的输入电源之间进行自动选择、以避免电源冲突。
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