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公开(公告)号：CN104347113B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410675312.2
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的读出电路及读出方法，包括用于存储数据的目标相变存储单元；根据目标相变存储单元的当前状态产生读电流的读电路；将读电流与读参考电流进行比较，并产生读出电压信号的比较电路。在相变存储器进行读取操作时，将目标相变存储单元的字线置位到读字线电压；当读使能有效时，目标相变存储单元所在的位线将产生相应的读电流；通过比较读电流和读参考电流的大小，得到读出的电压信号。本发明不需要通过钳位的方式限制位线电压，因此能有效地加快读取过程，特别适用于使用Diode等作为选通管时相变存储器阵列位线具有较高压降的情况，避免了位线钳位等方式带来的读出时延，有利于高速相变存储器产品的实现。
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公开(公告)号：CN107147286A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710532828.5
申请日：2017-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/156 , G01R19/175
CPC classification number: H02M3/156 , G01R19/175 , H02M2001/0009
Abstract: 本发明提供一种开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法，包括：基于第一及第二电流采样模块分别获取充磁电压的采样电流及退磁电压的采样电流；基于第一检测电压产生模块产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一检测电压；基于第二检测电压产生模块产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一电压及与退磁电压和占空比截止时间之积成正比的第二电压；基于死区脉冲产生电路检测电流过零点及死区。本发明通过伏秒平衡原理间接取样电感电流过零信号，避免了对小信号的处理，形成控制电路，解决了电流倒灌问题；同时省去系统上的取样电阻；既提高系统的效率，又简化了电源系统的系统方案，提高产品的竞争力。
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公开(公告)号：CN106205684A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610486617.8
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C2013/0042
Abstract: 本发明提供一种相变存储器读出电路及读出方法，包括：读参考电压生成电路，产生一个可以快速区分读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流的读参考电流，并将电流信号转化为电压信号；以及，将读参考电压还原为读参考电流后与相变存储单元中读出的电流相比较的灵敏放大器。本发明同时获取读电流及读参考电流，读参考电流的瞬态值处于读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流之间。本发明在读参考电流中引入对位线寄生参数和读传输门寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，消除了伪读取现象，减小了读出时间；且信号传递速度快、适用范围广、寄生参数匹配方法简单。
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公开(公告)号：CN103794244B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410054763.4
申请日：2014-02-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法，包括：地址寄存器逐位接收外部地址；当（LSB+A）位接收到地址时，预读2M+A位数据并锁存；当LSB位接收到地址时，从2M+A位预读数据中译码出2M位目标数据并锁存，同时输出地址自增信号；地址后移，若（LSB+A）位寄存器发生翻转，则读取下一组数据，反之，所述相变存储器内部不进行读取操作；输出数据，并输出下一个地址自增信号。本发明通过提前一个或者若干个时钟周期预先将可能需要进行读取操作的地址的数据全部读出，然后再通过对真实地址译码将对应目标地址的数据输出，可以增加相变存储器内部实际读取时间，从而提高基于SPI接口的相变存储器的数据传输速率，进而提高芯片的最终性能。
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公开(公告)号：CN104282332A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310290019.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种具有实时触发器状态保存功能的触发器电路。该触发器电路至少包括：触发器电路本体；连接在所述触发器电路本体输出端的写控制电路，用于基于写信号来传输所述触发器电路本体的状态；包含由相变材料构成的存储单元的存储电路，连接所述写控制电路，用于存储所述触发器电路本体的状态，并基于读信号输出所存储的状态；以及状态恢复电路，连接所述存储电路，用于使所述触发器电路本体的状态恢复至所述存储电路所存储的状态。本发明的电路能随时把触发器的状态保存在存储电路中，也可以在某一特殊指令的控制下保存一个特殊的状态，例如掉电时对触发器状态的保存；上电时，可把保存在存储电路中中的数据读出，使触发器恢复到掉电时的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101976578B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201010501678.X
申请日：2010-10-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元的数据读出电路及读出方法，所述电路至少包括：读电流供应电路、判决管、偏置电压产生电路、预充电电路、比较电路、放电电路等，先由预充电电路对待读的相变存储单元的位线预充电，在停止充电后，判决管会因待读的相变存储单元的阻值的不同而进入导通或截止状态，再由比较电路将判决管在导通或截止时输出的电压和预设参考电压进行比较，由此输出和待读的相变存储单元的阻值相应的电位，并在比较电路输出相应电位后，放电电路将位线上残余电荷泄放，从而完成数据的读取，此法可有效避免位线上寄生电容的影响。
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公开(公告)号：CN102982841A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210549545.9
申请日：2012-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的编程系统及方法，该编程系统至少包括：擦操作控制模块，用于产生擦操作驱动通道的控制信号；擦操作使能模块，与所述擦操作控制模块相连接，用于产生擦操作的使能信号；擦操作驱动模块，与所述擦操作使能模块相连接，用于产生擦操作脉冲，所述擦操作驱动模块在所述对应的擦操作控制模块产生的控制信号的控制下，根据擦操作使能信号是否有效依次产生擦操作脉冲。本发明提供的相变存储器的编程方法，将相变存储器的驱动通道分为若干组，在相变存储器进行编程操作时，相变存储器需要进行擦操作的位按照分组依次进行，这样可以在不降低写操作性能的基础上降低相变存储器芯片的擦操作瞬时峰值功耗。
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公开(公告)号：CN101916590A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010258113.3
申请日：2010-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的数据读出方法及读出电路，当读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变存储单元所存储的数据的同时，预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变存储单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电操作，由此可解决相变存储器在读出时由于位线寄生电容大而无法快速读出的问题，有效提高数据的读出速度。
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公开(公告)号：CN119947123A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411964014.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种限制型存储单元的制备方法，通过对用现有工艺制程制备的传统T型结构存储单元进行刻蚀‑填充介质层‑刻蚀‑填充介质层‑填充顶电极得到，刻蚀方法包括相邻刻蚀或同向刻蚀。本发明的制备方法可制备出单元面积更小、成本和功耗更低的存储单元。
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公开(公告)号：CN116339478A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211592473.6
申请日：2022-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F1/26 , G06F1/24 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种双电源优先级选择电路，包括：双电源上电复位合成电路，用于监测双电源的状况，并根据所述双电源的状况产生上电复位信号和合成输出信号，包括两个输入端和两个输出端，两个输入端分别与双电源的两个电源端相连，两个输出端用于输出产生的上电复位信号；两相非交叠RS触发器电路，用于以所述合成输出信号为电源，根据所述上电复位信号生成对应的电平信号；电平转换器，用于将所述电平信号转换为电源控制信号。本发明让系统在不同的输入电源之间进行自动选择、以避免电源冲突。
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