-
公开(公告)号：CN101775110B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010108129.6
申请日：2010-02-10
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C08F290/06 , C08G18/67 , C08G18/66 , C08G18/50 , C08G18/34 , C08G18/10 , C08J3/03 , C08J5/18 , C09D151/08
Abstract: 本发明公开了一种侧链含氟烷基的水性聚氨酯-聚丙烯酸酯及其制备方法。即主要包括含-NCO端基含氟聚氨酯预聚体的制备、含羧基的亲水型含氟聚氨酯预聚体的制备、含氟聚氨酯预聚体单封端化合物的制备、含氟聚氨酯混合液的制备、乳化含氟聚氨酯混合液的制备、含氟聚氨酯分散液的制备、侧链含氟烷基的水性聚氨酯-聚丙烯酸酯乳液的制备及侧链含氟烷基的水性聚氨酯-聚丙烯酸酯乳液成膜等步骤。最终所得的侧链含氟烷基的水性聚氨酯-聚丙烯酸酯具有优异的耐化学品腐蚀、耐热、优良力学性能及极低表面能等特点。可广泛用于塑料、橡胶、皮革、织物、陶瓷、玻璃等材料表面的防护。
-
公开(公告)号：CN103303879A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310264501.6
申请日：2013-06-28
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明公开一种高纯二氧化碲粉体的制备方法，即首先采用了浓硝酸或含有浓硝酸的混合酸使单质Te充分氧化生成二氧化碲粉体初料，然后再用浓盐酸将其转化成四氯化碲后滤除未充分反应的单质Te，滤除未充分反应的单质Te的四氯化碲再用碱与其进行反应后过滤、烘干得到纯的二氧化碲粉料，所得的纯的二氧化碲粉料再依次清洗、烘干、煅烧除去低熔点杂质即得高纯二氧化碲粉体，其纯度达到4N级别，且其粒径均匀，为4-15μm。该制备方法具有设备要求不高，制备过程简单，操作方便，适合工业化生产的特点。
-
公开(公告)号：CN102888193A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210208418.2
申请日：2012-06-25
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，按重量百分比计算，其原料由2～30%的磨料、0.01～5%的螯合剂、0.01～10%的表面活性剂、0.01～10%的分散剂、0.1～20%的氧化剂和余量的去离子水组成。其制备方法即首先制备磨料二氧化硅溶胶，然后将所得二氧化硅溶胶在搅拌条件下依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，继续搅拌均匀后得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。该化学机械抛光液对LED衬底表面无损伤、无划痕和无腐蚀坑、不污染环境；原材料价格便宜、成本低，适合工业化生产。
-
公开(公告)号：CN102817083A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210352690.8
申请日：2012-09-21
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种SiC晶片的退火方法，首先将SiC晶片装入陶瓷工装中，陶瓷工装置于陶瓷坩埚内，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；直接升温至低温度区域200℃~400℃，保温3~6小时，此阶段升温时间≥1.5小时；保温后，升温至中温区域500℃~700℃,保温5~10小时，此阶段升温时间≥2.5小时；经过中温保温后，升温至高温区域800℃~1900℃，保温10~20小时，此阶段升温时间≥10小时；高温保温结束后，以每小时10℃~15℃降温至室温，出炉。采用该方法退火的晶片加工应力基本消除，整个晶片退火均匀，降低由于晶体加工产生的加工应力引起的晶片翘曲和弯曲。
-
公开(公告)号：CN102677175A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210167241.6
申请日：2012-05-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓单晶的生长方法。即将砷化镓多晶原料放入预先放置籽晶的PNB坩埚内，然后将PNB坩埚置于生长炉内的下降台上，下降台上放置1～5根PNB坩埚，调整生长炉炉体温度处于1200～1300℃，使籽晶顶部熔化后将下降台下降的同时并旋转，晶体生长结束后将PNB坩埚移至生长炉内的恒温区对GaAs晶体实行原位退火，退火过程控制生长炉内的温度为950～1100℃、时间为8～12h，然后再以20～70℃/h的速率降至室温,即得到GaAs单晶。本发明的一种砷化镓单晶的生长方法，生长的晶体热应力小和均匀性好，且位错密度较低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101768262B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010022447.0
申请日：2010-01-06
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C08G65/26 , C08G65/28 , C09D175/08
Abstract: 本发明公开了一种侧链含氟烷基的聚醚多元醇树脂及其制备方法，包括如下步骤：(1)按比例加入RFOH、卤代氧杂环化合物、催化剂和溶剂，于氮气保护、搅拌下反应，经减压蒸馏，得氟烷基取代的氧杂环化合物单体；(2)按比例取溶剂、环醚化合物、起始剂、催化剂，于氮气保护、搅拌下滴加氟烷基取代的氧杂环化合物单体进行反应，水洗、静置分层后减压蒸馏，即得侧链含氟烷基的聚醚多元醇树脂。该树脂可用于制作高性能涂料和弹性体。
-
公开(公告)号：CN102011187A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010608864.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种硅锗酸铋混晶及其制备方法，属于单晶领域。硅锗酸铋混晶的分子式为Bi4Si3-xGexO12。其制备方法即以高纯Bi2O3、SiO2和GeO2为原料，经过充分研磨和预烧成多晶料；籽晶事先置于坩埚底部，将合成好的多晶料装入坩埚中，移至晶体生长炉内并控制温度1050-1150℃，固液界面温度梯度为20-50℃/cm，生长速度为0.2-0.5mm/h。本发明的硅锗酸铋混晶，原料成分可调且分布均匀，兼具硅酸铋和锗酸铋的闪烁性能，晶体尺寸较大；制备方法温场稳定、工艺设备简单；同时可以实现多根晶体同时生长，晶体生长效率高、生产成本低，适合于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN101412581B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810202532.8
申请日：2008-11-11
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C03C3/23
Abstract: 本发明公开了一种透红外多元氧卤碲酸盐玻璃及其制备方法，其摩尔百分比组成为：TeO250～70mol％、BaO10～30mol％、ZnCl25～10mol％、YF31～5mol％、AlF35～10mol％，本发明通过两步熔融方法制备出一种透红外多元氧卤碲酸盐玻璃，该玻璃转变温度为320～360℃，热稳定性参数95～120℃，红外截至波长>6μm，3～5μm波段透过率>75％，维氏硬度>400，适合于制备中红外波段的光学窗口材料。
-
公开(公告)号：CN101844922A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010147911.9
申请日：2010-04-15
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
CPC classification number: C04B2235/605
Abstract: 本发明公开了一种GGG透明激光陶瓷的制备方法，包括下列步骤：(1)、将GGG粉体和烧结助剂Nd2O3放在水中均匀混合，GGG粉体和烧结助剂Nd2O3的重量比例为98～90∶10～2；(2)、将混合好的原料在磁场下2MPa压力成型，磁场强度为1~10T，然后通过热压烧结或者真空烧结或者SPS烧结的方式进行烧结，待烧结结束后，将产物随炉冷却至室温，即得到所述GGG透明激光陶瓷。本发明方法简便易行，适合工业应用。
-
公开(公告)号：CN101775117A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010108123.9
申请日：2010-02-10
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种侧链含氟烷基的水性聚氨酯及其制备方法。制备方法即主要包括含-NCO端基的聚氨酯预聚体的制备、含羧基的亲水型聚氨酯预聚体的制备、成盐的亲水性聚氨酯预聚物的制备、聚氨酯乳化物的制备、水性聚氨酯的制备及水性聚氨酯的成膜等步骤。最终所得的侧链含氟烷基的水性聚氨酯，该侧链含氟烷基的水性聚氨酯乳液的固含量为25％～31％，其膜对水的接触角为62°～147°，拉伸强度为8.5～16.3MPa，断裂伸长率为400％～800％，即该聚氨酯具有优良力学性能、耐化学品腐蚀性、低表面能、良好的拒水拒油性以及独特的两相微结构，可用于塑料、橡胶、皮革、织物、陶瓷、玻璃等材料表面的防腐和防污等领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.031 seconds)
