公开(公告)号：CN103063350B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210564055.6

申请日：2012-12-21

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 黎坡

IPC: G01L9/12 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 不同于采用空腔内压强为某一特定大小的MEMS压力传感器进行压力测量的方案，本发明采用位于同一芯片的每个空腔内压强大小不等的多个MEMS压力传感器，即MEMS压力传感器阵列进行压力测量，当外界压强变化时，尤其变化剧烈时，使得至少一个MEMS压力传感器的空腔内压强可能接近测量环境的压强，利用该MEMS压力传感器的敏感薄膜在平衡位置（上下压强接近）附近具有的较好线性度，从而实现对外界压力测量准确的目的，此外，相对于特定空腔内压强的压力传感器，也可以实现较大压强范围的测量。基于上述MEMS压力传感器阵列，本发明还提供了该MEMS压力传感器阵列的制作方法，用于该MEMS压力传感器阵列的压力测量方法。

公开(公告)号：CN103871923A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410098500.3

申请日：2014-03-17

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 黎坡

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/30

Abstract: 本发明提出了一种监测IPD衬底阻值的结构包括多个芯片单元和至少一个电感，芯片单元之间形成横向及竖向切割道，电感同时形成于横向及竖向切割道上，并包围芯片单元，与芯片单元电学隔离。利用横向和竖向切割道形成电感，使电感包围芯片单元，能够在不增加切割道面积及影响客户产品的情况下，增加电感所包围的面积，从而提高形成电感的Q值，进而提高IPD衬底阻值的监控精度。

公开(公告)号：CN103811310A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410084279.6

申请日：2014-03-07

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 黎坡

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/24 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/76838 ,  H01L2221/1068 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电阻结构及其形成方法，所述电阻结构的形成方法包括：提供基底，包括金属互连结构和包围所述金属互连结构的介质层；在所述第一金属插塞、第二金属插塞和介质层表面形成第一金属层和位于所述第一金属层表面的绝缘材料层；对所述绝缘材料层进行图形化，形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层之间断开；在所述第一金属层、第一绝缘层和第二绝缘层上形成第二金属层；在所述第二金属层上形成图形化掩膜层；以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀第二金属层、第一金属层，在第一区域形成电容，同时在第二区域形成金属电阻。上述方法可以减少形成金属电阻的工艺步骤，减低工艺成本。

公开(公告)号：CN103811309A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410080852.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 黎坡 ,  莘海维 ,  王健鹏 ,  时廷 ,  孔蔚然

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L28/10 ,  H01L23/645

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第二区域包围所述第一区域，所述衬底的第二区域表面高于第一区域表面，所述第二区域内形成有平面电感，所述平面电感包围第一区域；在所述第一区域内形成第一凹槽；在所述衬底上以及第一凹槽内形成磁性材料层；采用无掩膜刻蚀工艺，去除位于所述衬底上的部分磁性材料层，形成位于所述第一凹槽内的磁性层，所述磁性层能提高通过所述平面电感的磁通量。上述方法可以提高平面电感的性能。

公开(公告)号：CN103811308A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410080810.2

申请日：2014-03-06

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 黎坡

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L28/10 ,  H01L23/645

Abstract: 一种电感的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底第一区域内形成有焊垫，第二区域内形成有与焊垫齐平的电感金属层，焊垫和电感金属层被介质层覆盖并包围；在衬底表面形成钝化层；在钝化层表面形成掩膜层，掩膜层具有第一开口和第二开口；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀钝化层、介质层，暴露出部分焊垫表面及部分电感金属层表面；去除所述掩膜层，以所述钝化层为掩膜刻蚀焊垫以及电感金属层，在所述焊垫内形成第一凹槽，同时在电感金属层内形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于焊垫的厚度，第二凹槽的深度小于电感金属层的厚度。上述方法可以提高电感的性能。