含As耐蚀Mg-Gd-Y系合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN109913724A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910204610.6

    申请日:2019-03-18

    Abstract: 本发明提供了一种含As耐蚀Mg-Gd-Y系合金及其制备方法,所述含As耐蚀Mg-Gd-Y系合金的组分及其重量百分比为:5.0~11.0wt%Gd,2.0~5.0wt%Y,0.01~3.0wt%As,杂质元素Si、Fe、Cu、Ni等的总量小于0.3%,Mg为余量。熔炼时分别以Mg-Gd、Mg-Y中间合金的形式向镁熔体中添加Y和Gd。本发明的合金加入元素As,能明显提高Mg-Gd-Y系合金的耐蚀性,性能优异。

    一种低温连接器
    53.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106641548B

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201611044088.2

    申请日:2016-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种低温连接器,包括相连接的活动头和固定头。活动头包括有第一外壳体和第一内壳体,第一外壳体包括有第一外壳体厚筒体、第一外波纹管、第一外壳体薄筒体和第一对接法兰,第一内壳体包括有第一内壳体主体、第一内波纹管和第一内密封头,内壳体内还设置有导柱;固定头包括有第二外壳体和第二内壳体,第二外壳体包括有第二外壳体厚筒体、第二外波纹管、第二外壳体薄筒体和第二对接法兰,所第二内壳体包括有第二内壳体主体和第二内密封头;第一内密封头与第二内密封头连接且密封,所述第一对接法兰与所述第二对接法兰连接且密封。本发明提供的低温连接器在遇冷收缩后,连接处能自动补偿密封,长时间工作后对接面不结冰。

    高锂含量铸造铝锂合金的热处理方法

    公开(公告)号:CN105951007A

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201610458013.2

    申请日:2016-06-22

    CPC classification number: C22F1/04 C22C21/00 C22C21/12 C22F1/057

    Abstract: 本发明提供了一种高锂含量铸造铝锂合金的热处理方法,属于铝合金热处理技术领域;所述的热处理方法包括对高锂含量铸造铝锂合金进行双级固溶处理和双级时效处理的步骤;所述双级固溶处理的步骤包括:将高锂含量铸造铝锂合金在500~540℃下固溶保温5~20h,然后升温至560℃固溶保温20~40h。所述双级时效处理的步骤包括:将经双级固溶处理后的合金在125~150℃下时效保温8~24h,然后升温至175~190℃时效保温8~24小时。本发明提供的高温双级固溶加双级时效热处理工艺,大大减少了高锂含量带来的大量非平衡晶间化合物的数量,细化了时效过程中析出的强化相,使高锂含量铸造铝锂合金在获得低密度高强度的同时,大幅改善合金塑性,从而扩大铝锂合金的应用范围。

    稀土镁合金的半固态浆料制备方法

    公开(公告)号:CN103820661B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201410070393.3

    申请日:2014-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种稀土镁合金的半固态浆料制备方法;其按照促进晶粒形核、抑制晶粒长大的指导原则,在稀土镁合金熔体中添加纯铝,通过原位反应生成的大量细小弥散的Al2RE金属间化合物颗粒,为初生α-Mg提供异质形核核心,促进晶粒形核;在熔体转移到中间包以后,考虑凝固过程固-液界面的稳定性,通过合理控制凝固不同阶段的冷却条件,延缓了初生相的长大,实现抑制晶粒长大的效果。本发明提供了一种低成本、无搅拌绿色半固态浆料制备手段,相较于传统的半固态浆料制备技术,其效率及成本都得到了极大的改善,可为稀土镁合金的后续流变成形,如流变压铸、流变挤压铸造等,提供优质的流变浆料,在流变成形镁合金中有较广的应用前景。

    基于单驱动马赫曾德调制器的多倍频毫米波产生装置

    公开(公告)号:CN103281130A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310211180.3

    申请日:2013-05-31

    Abstract: 一种光纤通信技术领域的,基于单驱动马赫曾德调制器的多倍频毫米波产生装置,包括:激光器、用于调节连续激光的偏振态的偏振控制器、单驱动马赫曾德调制器、射频信号源、射频信号放大器、稳压电源和光电探测器,其中:激光器输出的连续激光经过偏振控制器调节后输送至单驱动马赫曾德调制器,射频信号源输出的射频信号经过射频信号放大器放大后输送至单驱动马赫曾德调制器,稳压电源用于调节单驱动马赫曾德调制器的偏置电压,单驱动马赫曾德调制器的输出端与光电探测器相连使得输出的光信号转化为电信号,从而得到毫米波。本发明结构简单、成本低、易于控制、灵活度高、实用性强。

    基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置

    公开(公告)号:CN101833221B

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN201010137842.3

    申请日:2010-04-02

    Abstract: 一种光纤通信技术领域的基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置,包括:中心站和基站,其中:所述的中心站包括:泵浦信号光发生系统、三频率分量探测信号光发生系统、硅基微环谐振腔系统、第一光放大器、可调窄带滤波器和上行数据接收机;所述的基站包括:光纤布拉格光栅、光电检测器、第一马赫曾德调制器和上行数据源。本发明通过泵浦光注入硅基微环产生自由载流子,自由载流子色散效应使硅基微环谐振峰发生蓝移,从而把信号调制到探测光上,实现全光单边带上变频,所用器件体积小,易于集成,采用单边带调制受光纤色散影响小,同时四倍频技术及基站无需上行链路光源的特点,降低了系统成本,简化了系统结构。

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