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公开(公告)号：CN111826160A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010307314.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及不含镉的量子点、其制造方法、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。不含镉的量子点包括锌、碲、和硒、以及锂。所述不含镉的量子点的最大发光峰的半宽度小于或等于约50纳米，并且所述不含镉的量子点具有大于1％的量子效率。
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公开(公告)号：CN110875433A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910813544.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点和包括其的电致发光器件。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层。所述量子点包括：包括铟(In)和磷(P)的半导体纳米晶体芯；设置在所述半导体纳米晶体芯上的第一半导体纳米晶体壳，所述第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上的第二半导体纳米晶体壳，所述第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，其中所述量子点不包括镉。所述电致发光器件具有大于或等于约9％的外量子效率和大于或等于约10,000坎德拉/平方米(cd/m2)的最大亮度。
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公开(公告)号：CN109817815A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811275891.6
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点器件和显示设备。量子点器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点层，和在所述量子点层与所述第二电极之间的电子辅助层，所述电子辅助层包括第一纳米颗粒和比所述第一纳米颗粒大的第二纳米颗粒，其中所述第一电极的功函大于所述第二电极的功函，和其中所述量子点层的最低未占分子轨道能级与所述电子辅助层的最低未占分子轨道能级之间的差值小于约1.1电子伏。
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公开(公告)号：CN109239974A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810952629.4
申请日：2014-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本发明提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体-聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质，其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108865109A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810447024.X
申请日：2018-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/565 , H01L51/502 , Y10S977/774 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , B82Y30/00 , C09K11/025
Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的电子器件，所述半导体纳米晶体颗粒包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)。在所述半导体纳米晶体颗粒中，碲的量小于硒的量，所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料的壳，和所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于约470纳米的波长处的最大发射峰的蓝色光。
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公开(公告)号：CN108110144A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711176209.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/703 , C09K11/883 , C09K2211/188 , G02B6/005 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0092 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H05B33/14 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95 , Y10T428/1036 , Y10T428/1041 , H01L51/0077 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层，其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体，和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物，所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。
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公开(公告)号：CN107663452A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710628516.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/70 , H01L33/18 , C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/025 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/507
Abstract: 公开量子点、其制造方法、以及包括其的量子点-聚合物复合物和电子装置。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的壳，所述壳包括第二半导体纳米晶体和掺杂剂，其中所述第一半导体纳米晶体包括III-V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌(Zn)、硫(S)和硒，和所述掺杂剂包括锂、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的2A族金属、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的3A族元素、或其组合。
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公开(公告)号：CN101241727A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810005438.3
申请日：2008-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/10
CPC classification number: G11B5/7325 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B9/02 , G11B9/08 , G11B9/1472
Abstract: 本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括：导电层；第一绝缘层，形成于该导电层上；纳米晶层，形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子；以及第二绝缘层，形成于该纳米晶层上。
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公开(公告)号：CN1655057A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410102383.X
申请日：2004-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08F2/28 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B29/60 , C30B33/00 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/027 , H01L51/426 , H01L51/502 , Y02E10/549 , Y10S428/917 , Y10S977/773 , Y10T428/24802 , Y10T428/265 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663
Abstract: 提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜，曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比，显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机－无机混合电致发光装置中。
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