公开(公告)号：CN101567213A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910133553.3

申请日：2009-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴东妍 ,  李云京 ,  宋在爀 ,  李昌燮

IPC: G11C11/40 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/10

Abstract: 本发明提供了一种闪速存储器件及其操作方法，该闪速存储器件包括NAND单元单位的块，块中的每个NAND单元单位包括由n个字线控制的n个存储器单元晶体管MC，并且串联连接在与位线连接的串选择晶体管SST和接地选择晶体管GST之间。在向所选择的字线WL 施加编程电压Vpgm的同时，向更靠近接地选择晶体管GST的附近的未被选择的字线施加截止电压Vss，以将第一局部沟道Ch1与第二局部沟道Ch2隔离。随着所选择的字线WL 的位置i增大而靠近SST，第二沟道电势Vch2趋于过度增大，这导致了误差。通过只在所选择的字线WL 的位置i等于或大于预定(存储的)位置编号x时，更改施加到串选择线(SSL)和/或位线(BL)的电压、或者施加到未被选择的字线(WL 至WL )的通过电压Vpass，来防止Vch2的过度增大。如果执行步增脉冲编程(ISPP)，则仅在ISPP循环计数j等于或大于预定(存储的)临界循环数量y时更改所施加的电压。

公开(公告)号：CN1897283A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101580.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在爀 ,  崔定爀

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种NAND闪存器件，包括半导体衬底、字线、第一和第二选择线、隧道绝缘层和选择栅绝缘层。半导体衬底包括存储晶体管区和选择晶体管区。字线排列在半导体衬底的存储晶体管区，以及选择线排列在半导体衬底的选择晶体管区。隧道绝缘层插入字线和半导体衬底之间，以及选择栅绝缘层插入选择线和半导体衬底之间，并具有比隧道氧化物层更薄的厚度。同样，选择栅绝缘层在其中心区域具有比其边缘部分更薄的厚度。