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公开(公告)号：CN106251899A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610408931.4
申请日：2016-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/14 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C16/30 , G11C29/028
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置，其包括：基底；多个存储器单元，在垂直于基于的方向上堆叠；字线，连接到存储器单元；地选择晶体管，在存储器单元与基底之间；地选择线，连接到地选择晶体管；位线，在存储器单元上；以及串选择晶体管，在存储器单元与位线之间。在擦除操作中，在擦除电压提供到基底之后经过特定时间的时刻使地选择线浮置，地选择线根据温度在不同时刻浮置。
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公开(公告)号：CN102446553B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110293638.5
申请日：2011-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种快闪存储器的字线电压生成方法包括：使用正电压生成器生成编程电压；使用负电压生成器生成与多个负数据状态相对应的多个负编程验证电压；以及使用所述正电压生成器生成与至少一个或多个状态相对应的至少一个或多个编程验证电压。生成多个负编程验证电压包括：生成第一负验证电压；放电负电压生成器的输出，使其变得高于所述第一负验证电压；以及执行负电荷泵浦操作，直到负电压生成器的输出达到第二负验证电压电平。
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公开(公告)号：CN106055218A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610239605.5
申请日：2016-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0483 , G06F3/0484 , G06F3/0488
CPC classification number: H04N5/23293 , G06F3/013 , G06F3/04812 , G06F3/04815 , G06F3/04817 , G06F2203/04804 , H04N5/23216 , G06F3/0483 , G06F3/04842 , G06F3/04845 , G06F3/0488 , G06F2203/04803
Abstract: 提供一种显示装置。所述显示装置包括：透明显示器，其被配置成显示多个图形对象，并且响应于发生预定事件，中断显示所述多个显示的图形对象中的除了预定图形对象外的图形对象；图像拍摄单元，其被配置成通过拍摄从所述透明显示器投影的被摄物，生成拍摄图像；以及控制器，其被配置成合成所生成的拍摄图像与所述预定图形对象。
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公开(公告)号：CN105980972A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007942.5
申请日：2015-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0487 , G06F3/0488 , G06F1/16
Abstract: 提供了一种用户终端装置及其显示方法。所述用户终端装置包括：显示器，被配置为在显示器上显示第一屏幕，其中，显示器通过折叠线被划分为第一区域和第二区域，其中，第二区域参照折叠线比第一区域大并包括当显示器沿着折叠线被折叠而使得第一区域面向第二区域时所暴露的暴露区域；检测器，被配置为在第一屏幕被显示时检测以下交互：折叠显示器而使得第一区域面向第二区域的第一折叠交互以及折叠显示器而使得与第一区域相应的第一盖体面向与第二区域相应的第二盖体的第二折叠交互；和控制器，被配置为，响应于检测到第一折叠交互，在暴露区域上显示与第一屏幕相关的第二屏幕，并且响应于检测到第二折叠交互，在第一区域或第二区域上显示与第一屏幕相关的第三屏幕。
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公开(公告)号：CN105980953A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007972.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16 , G06F3/0481 , G06F3/0482 , G06F3/0484 , G06F3/0488 , G06F9/44 , H04M1/02 , H04M1/725
Abstract: 提供了一种用户终端装置及其控制方法。所述用户终端装置包括：显示器，被配置为参照折叠线被划分为第一区域和比第一区域大的第二区域；盖体，被布置在显示器的背面上；检测器，被配置为在显示器和盖体上检测用户交互；和控制器，被配置为：响应于显示器沿着折叠线被折叠而使得第一区域和第二区域面向彼此，控制检测器通过暴露区域和盖体检测用户交互，并且响应于显示器参照折叠线被折叠而使得盖体的两个部分面向彼此，控制检测器通过第一区域和第二区域检测用户交互，其中，暴露区域是第二区域的被暴露的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345086B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN200810127404.1
申请日：2008-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3404
Abstract: 操作多电平非易失性存储器设备的方法，可以包括：存取被存储在与读取电压相关的设备中的数据；和响应于对多电平非易失性存储器设备的读取操作来修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的读取电压，以区分由所述单元存储的状态。还公开了相关的设备和系统。
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公开(公告)号：CN101996680B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010260550.9
申请日：2010-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3418 , G11C2211/5648
Abstract: 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：使用递增步长脉冲编程(ISPP)方法执行第一至第(N-1)页编程操作，以将第一至第(N-1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N-1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程。该方法还包括使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。
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公开(公告)号：CN103908273A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310573610.6
申请日：2013-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: A61B6/5294 , A61B6/0414 , A61B6/4241 , A61B6/482 , A61B6/502 , A61B6/5258 , A61B6/583
Abstract: 这里公开了一种X射线成像设备和控制所述设备的方法，所述设备和方法估计X射线检测器的能量响应特性并基于估计的响应特性校正X射线数据的失真。所述X射线成像设备包括：X射线产生器，产生和发射X射线；X射线检测器，检测发射的X射线并获得X射线数据；控制器，将X射线数据转换为X射线特性坐标，并从测量数据和参考数据之间的关系估计X射线检测器的响应特性函数，其中，所述测量数据和参考数据被转换为X射线特性坐标。
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公开(公告)号：CN101751994B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200910222874.0
申请日：2006-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C8/08 , G11C16/08
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括：系列连接的一串第一至第N非易失性存储单元，连接在第一和第二选择晶体管之间；第一和第二伪单元，分别介于第一选择晶体管与第一非易失性存储单元之间、以及第二选择晶体管与第N非易失性存储单元之间；其中每个非易失性存储单元由相应的普通字线选通，而且第一和第二伪单元中的每一个由相应的伪字线选通；以及驱动器块，包括普通字线驱动器和伪字线驱动器，伪字线驱动器能够相对于普通字线驱动器独立地与接收的地址相关地工作。
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公开(公告)号：CN101000803B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200710001671.X
申请日：2007-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/12 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 公开了一种闪速存储器件的编程方法，所述闪速存储器件包括用于存储表示状态之一的多比特数据的多个存储单元。所述编程方法包括：通过使用多比特数据对选择为要具有多个状态之一的存储单元进行编程；在具有各个状态的已编程的存储单元分布于其中的、阈值电压分布的预定区域之内，检测已编程的存储单元，其中，通过第一验证电压和读取电压之一以及第二验证电压来选择各个状态的预定区域，第一验证电压比第二验证电压低而比读取电压高；以及对已检测的存储单元进行编程，以具有与各个状态相对应的第二验证电压相等或比所述第二验证电压高的阈值电压。
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