公开(公告)号：CN107039475A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611152793.4

申请日：2016-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  李卿德 ,  郑珉旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括包含彼此对立的第一表面和第二表面的半导体层。多个单元像素在半导体层中。单元像素中的每个包括第一光电转换器和第二光电转换器。像素隔离层使相邻的单元像素彼此隔离。第一器件隔离层在第一光电转换器和第二光电转换器之间。像素隔离层具有与第一器件隔离层不同的形状。

公开(公告)号：CN102054850A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010539761.6

申请日：2010-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器(CIS)包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，衬底包括有源像素传感器(APS)阵列区域和周边电路区域，APS阵列区域包括光电转换元件；绝缘中间层，在衬底的第一表面上，并包括电连接到光电转换元件的金属布线；光阻挡层，在衬底的第二表面的周边电路区域上，暴露APS阵列区域并包括彼此间隔开的多个金属布线图案，以形成沿APS阵列区域与周边电路区域之间的边界区域的至少一条排出通路；滤色器层，在衬底的第二表面上，覆盖APS阵列区域和光阻挡层；以及微透镜，在APS阵列区域上的滤色器层上。