公开(公告)号：CN102143913A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134551.4

申请日：2009-08-27

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 番田知宏 ,  桑野弘行

IPC: C01G37/00 ,  C23C22/48 ,  C25D3/06 ,  C25D3/10

CPC classification number: C25D3/06 ,  C01G37/00 ,  C01G37/08 ,  C23C22/08 ,  C23C22/10 ,  C23C22/53 ,  C23C2222/10 ,  C25D3/10

Abstract: 一种含铬(III)水溶液，其是可范围广泛地调整各种酸根相对于Cr的摩尔比，而且可用作各种金属的表面处理的浴液的3价铬源或者3价铬补充源的含铬(III)水溶液，其特征在于：含有复合铬(III)盐，所述复合铬(III)盐是使选自铬酸以外的无机酸及有机酸中的2种以上酸同时或者依序存在而进行铬酸的还原反应所生成的。另外，提供一种含铬(III)水溶液的制造方法，其是使铬酸、铬酸以外的酸和/或有机还原剂于水溶剂中接触，进行铬酸的还原反应而制造含铬(III)水溶液的方法，其特征在于：于使选自无机酸及有机酸中的至少2种以上的酸作为铬酸以外的酸同时或依序存在的状态下，进行铬酸的还原反应。

公开(公告)号：CN101836266A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200880112802.4

申请日：2008-10-21

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 阿部真二

IPC: H01B5/00 ,  C09J9/02 ,  C09J201/00 ,  C23C18/31 ,  H01B1/22

CPC classification number: H01B1/22 ,  C08K3/10 ,  C08K5/3445 ,  C09J9/02 ,  C09J163/00 ,  C23C18/1635 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/30 ,  C23C18/32 ,  C23C18/42 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0224 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2996 ,  Y10T428/2998

Abstract: 本发明的目的在于提供一种包覆导电性粉体以及一种导电性粘合剂，该包覆导电性粉体特别是作为用于将电路基板和电路部件等相互电连接所使用的各向异性导电性粘合剂的导电性填料是有用的，该导电性粘合剂即使对于微细化的IC芯片等电子部件和电路基板的电极连接而言也能够进行电可靠性高的连接。本发明的包覆导电性粉体是以绝缘性物质对导电性颗粒表面进行包覆处理而得到的包覆导电性粉体，其特征在于，上述绝缘性物质是粉末状的热潜在性固化剂。另外，本发明的特征还在于，该包覆导电性粉体的颗粒表面进一步由绝缘性无机质微粒进行包覆处理。

公开(公告)号：CN101808975A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880108610.6

申请日：2008-09-27

Applicant: 上海交通大学 ,  日本化学工业株式会社

Inventor： 张万斌 ,  谢芳 ,  刘德龙

IPC: C07C67/293 ,  C07C69/145 ,  B01J31/24 ,  B01J31/12

CPC classification number: C07C211/28 ,  B01J31/2409 ,  B01J2231/44 ,  B01J2531/0263 ,  B01J2531/824 ,  C07B2200/07 ,  C07C67/343 ,  C07C209/16 ,  C07C69/618

Abstract: 本发明涉及一种由Pd-催化的烯丙基取代反应的立体选择性制造方法，其特征在于，在将过渡金属配位化合物用作催化剂、由烯丙基位具有脱离基的烯烃与亲核试剂的取代反应、使烯丙基位具有立体选择性的反应中，作为该过渡金属配位化合物，使用以下述通式(1)或(2)表示的双膦化合物作为配体的Pd过渡金属配位化合物。(式中，R1表示碳原子数为1～4的烷基或含有酰胺官能基的基团。R2表示氢原子、碳原子数为1～4的烷基或者乙酰基。M表示铁原子或者钌原子。)

公开(公告)号：CN101648977A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910195428.5

申请日：2009-09-10

Applicant: 上海交通大学 ,  日本化学工业株式会社

Inventor： 张万斌 ,  章辉 ,  房芳 ,  谢芳

IPC: C07F9/6571 ,  C07F9/6574 ,  B01J31/22 ,  C07B53/00 ,  C07C45/69 ,  C07C49/403 ,  C07C49/213 ,  C07C205/04 ,  C07C201/12 ,  C07C15/44 ,  C07C1/26

Abstract: 本发明涉及一种化工技术领域的2，2’，6，6’位连接的1，1’-联苯类轴手性双亚膦酰胺和亚磷酸脂配体及其制备方法，本发明以化合物A即2，2′，6，6-四羟基-1，1′-联苯为原料与二氯亚磷酸酯或二氯亚膦酰胺反应得到化合物I。或者通过2，2′，6，6-四羟基-1，1′-联苯为原料与三氯化磷反应得到联苯二亚膦酰氯化合物B，在于胺或醇反应得到化合物I。化合物I经过手性拆分得到(R)和/或(S)两种构型的光学纯化合物。本发明中通过上述方法合成的该类配体可应用于各种金属催化的不对称反应中，具有很高的反应活性和立体选择性，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN101454902A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780020021.8

申请日：2007-05-18

Applicant: 国立大学法人山梨大学 ,  日本化学工业株式会社

Inventor： 原本雄一郎 ,  加藤孝正 ,  广岛纲纪

IPC: H01L27/10 ,  G11C17/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L27/10 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/04 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0076

Abstract: 本发明的存储元件，其特征在于，该存储元件通过对含有液晶化合物的导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，并利用该液晶化合物的液晶状态的分子取向来存储信息，其中，其具有：第1电极群，其由彼此平行的多根线状电极所形成；和，导电性液晶半导体材料层，其以覆盖前述第1电极群的方式形成，并含有具有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物；和，第2电极群，其由在前述导电性液晶半导体材料层上沿着与前述第1电极群的电极交叉的方向延伸的彼此平行的多根线状透明电极所形成。

公开(公告)号：CN100499222C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510085308.1

申请日：2005-07-22

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 太田洋邦 ,  米川文广

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/48 ,  H01M4/04 ,  C01D15/00 ,  C01G1/02 ,  C01G45/00 ,  C01G53/00 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明提供一种作为锂二次电池正极活性物质有用的改性锂锰镍系复合氧化物、其制造方法、锂二次电池正极活性物质及循环特性和库仑效率优异的锂二次电池。该锂二次电池正极活性物质的特征在于：用含有选自Mg、Al、Ti、Zr和Zn中的至少一种以上的金属元素的金属氧化物包覆用下述通式(1)表示的锂锰镍系复合氧化物的颗粒表面，LixMn1.5Ni0.5O4-w(1)(式中，0＜x＜2、0≤w＜2)。

公开(公告)号：CN100492722C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510085357.5

申请日：2005-07-26

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 太田洋邦 ,  米川文广

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  C01D15/00 ,  C01G1/02 ,  C01G45/00 ,  C01G53/00

Abstract: 本发明提供一种用下述通式(1)表示的锂锰镍系复合氧化物的制造方法，LixMn1.5-yNi0.5-zMy+zO4-w(1)(式中，0.9＜x＜1.1、y＞0、z＞0、0＜y+z＜0.1、0≤w＜2，M表示选自镁、铝、钛及锆中的至少一种金属元素。)，其特征在于：将含有锂、锰、镍及M的混合物在950～1050℃温度下进行烧制，冷却得到前体后，再在550～650℃温度下烧制该前体。该锂锰镍系复合氧化物能够形成充放电循环特性优异、并且库仑效率、放电容量维持率及5V放电容量区域/(5V放电容量区域+4V放电容量区域)的比率高的锂二次电池。

公开(公告)号：CN101323631A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200710109115.4

申请日：2007-06-12

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 儿玉浩明 ,  大渡启介 ,  大原宣彦 ,  中对一博 ,  金田嘉郎

IPC: C07F17/02 ,  A61K31/555 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明提供一种新的具有二茂铁骨架的膦过渡金属配位化合物和含有该膦过渡金属配位化合物的抗癌剂。该膦过渡金属配位化合物具有以下述通式(3)表示的二茂铁骨架。其中，R1、R2、R3、R4表示直链状或支链状的烷基、环烷基、烷氧基、芳基或芳烷基。A表示直链状或支链状的烷基、苯基、氢原子。M1表示选自金、铜、铂和银的过渡金属原子。X1表示阴离子。

公开(公告)号：CN101300693A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680041102.1

申请日：2006-10-06

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  SEI株式会社 ,  日本化学工业株式会社

Inventor： 竹林仁 ,  本宫诚 ,  东城哲朗 ,  齐藤慎治 ,  泽井岳彦 ,  根岸克幸 ,  菊池政博

IPC: H01M4/02 ,  H01M2/16 ,  H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M2/16 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1315 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/625 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明获得高容量化且维持高放电电压、而且能够反复大电流充放电的高输出功率的锂离子二次电池。所述锂离子二次电池，具备电极组和浸渍有该电极组的含有锂盐的非水电解液，所述电极组通过介由合成树脂制的隔板层压或卷绕负极材料层和正极材料层来形成，该负极材料层含有能够包藏、释放锂离子的材料，该正极材料层含有含锂离子金属氧化物，该锂离子二次电池的特征在于，上述正极材料层以经氟处理的含锂金属氧化物为主剂，而且，上述隔板具有亲水基。上述正极材料优选含有由LiNixCoyMnzO2形成的主剂，其中，0.4≤x≤1、0≤y≤0.2、0≤z≤0.2、x+y+z＝1。

公开(公告)号：CN101163710A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680012966.0

申请日：2006-04-17

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 儿玉浩明 ,  大渡启介 ,  大原宣彦 ,  中对一博 ,  金田嘉郎

IPC: C07F9/50 ,  A61K31/66 ,  A61P35/00 ,  C07F9/58 ,  C07F1/08 ,  C07F1/10 ,  C07F1/12 ,  C07F15/00

CPC classification number: C07F1/005 ,  C07F9/5027 ,  C07F9/5045 ,  C07F9/58 ,  C07F9/6512 ,  C07F15/0093 ,  Y10T428/12396 ,  Y10T428/12444

Abstract: 本发明提供具有优异抗癌性的新的膦过渡金属配位化合物，其为下述通式(1)所示的膦过渡金属配位化合物，式中，R1和R3分别表示烷基、环烷基、芳基、芳烷基、吡啶基或嘧啶基，R2和R4分别表示烷基或环烷基，其中，R1与R2、R3与R4不是相同的基，A表示直链状的亚烷基或顺式亚乙烯基，M表示金、银、铜或铂原子，B表示阴离子种。