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公开(公告)号：CN104425578A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310374500.7
申请日：2013-08-23
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7396 , H01L29/6634
Abstract: 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管，其包括N型衬底，形成于N型衬底正面的正面结构和形成于N型衬底背面的背面结构。背面结构包括形成于N型衬底背面的沟槽、形成于沟槽之间的背面P+区、设置于沟槽内的多晶硅以及形成于背面P+区和多晶硅上的背面金属层。该反向导通绝缘栅双极型晶体管采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。制造该反向导通绝缘栅双极型晶体管时只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。
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公开(公告)号：CN104425256A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310390703.5
申请日：2013-08-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供第一掺杂类型的硅衬底；通过光刻和刻蚀在衬底的一面形成凹槽结构；向凹槽内填充第二掺杂类型的硅，在衬底表面形成背面PN交隔结构；提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出N+层，推阱后得到场截止层；将衬底和N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺在漂移区内和漂移区上制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上制作背面PN交隔结构。FS层用N型硅片先注入（或扩散）再高温推阱方式制备，N型硅片与衬底硅片键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，无需专用薄片流通设备，降低了成本。
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公开(公告)号：CN104425251A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310389765.4
申请日：2013-08-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0834 , H01L29/66333
Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供P型硅衬底；通过光刻和刻蚀在衬底的一面形成多个凹槽结构；向凹槽内填充N型硅，在衬底的表面形成背面PN交隔结构；在衬底填充有N型硅的表面通过外延工艺制备出N型的场截止层；在场截止层上外延制备出N型的漂移区；采用IGBT正面工艺制备出IGBT正面结构；将衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构背离场截止层的表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上制作背面PN交隔结构。FS层和漂移区用外延方式制备，外延后圆片厚度与常规流通圆片相同，再进行常规的正面工艺，因此与现有的常规工艺兼容，无需专用薄片流通设备，降低了成本。
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公开(公告)号：CN104425248A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310382900.2
申请日：2013-08-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66325
Abstract: 一种重掺杂P型衬底背封工艺方法，包括以下步骤：提供重掺杂P型衬底，重掺杂P型衬底包括层叠的重掺杂P型基片和N型外延层；在重掺杂P型衬底的外面形成氧化层，氧化层包覆重掺杂P型衬底；在氧化层的外面形成多晶硅层，多晶硅层包覆氧化层；去除N型外延层远离重掺杂P型基片的一侧的多晶硅；去除N型外延层远离重掺杂P型基片的一侧的氧化物。上述重掺杂P型衬底背封工艺方法，重掺杂P型基片远离N型外延层的一侧的表面、重掺杂P型基片的侧面以及N型外延层的侧面都被层叠的氧化物和多晶硅覆盖。层叠的氧化物和多晶硅作为保护层，能够有效防止重掺杂P型基片中的P型杂质扩散到N型外延层。
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公开(公告)号：CN104425246A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310379443.1
申请日：2013-08-27
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/0623 , H01L21/761 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/66333 , H01L29/6634 , H01L29/7395 , H01L29/7396
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管（IGBT），其衬底为N型，N型衬底背面设有P型区，P型区背面设有背面金属结构，终端结构内设有终端保护环，有源区的正面设有多晶硅栅，衬底上多晶硅栅的两侧设有侧墙，衬底上设有覆盖多晶硅栅和侧墙的层间介质，层间介质上覆盖有金属引线层，有源区的衬底内设有N型的载流子增强区，载流子增强区内设有P型体区，P型体区内设有N型重掺杂区，N型重掺杂区内设有P型重掺杂区，P型重掺杂区表面形成有向内凹陷浅坑，深度为0.15微米～0.3微米。本发明还公开了一种IGBT的制备方法。本发明通过设置载流子增强区，能够增加沟道的载流子浓度，降低导通压降。同时该浅坑能够使器件获得良好的杂质分布和更大的金属接触面积，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN104425245A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310374240.3
申请日：2013-08-23
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L27/0664 , H01L21/263 , H01L21/26513 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L29/0638 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/66333 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，该制造方法采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。
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公开(公告)号：CN104347401A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310323481.5
申请日：2013-07-29
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L21/26513 , H01L21/31111 , H01L29/0611 , H01L29/7395 , H01L29/66325
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在所述半导体衬底的第一主面形成第二导电类型的场终止层；在所述场终止层上生长氧化层；去除所述场终止层上的氧化层；在去除所述氧化层后的所述场终止层上形成外延层；在所述外延层上继续制造所述绝缘栅双极性晶体管。本发明在常规制作绝缘栅双极性晶体管之前尽可能降低外延前衬底材料的表面缺陷，增加外延层质量进而提高整个绝缘栅双极性晶体管的质量。
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公开(公告)号：CN104347396A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310311346.9
申请日：2013-07-23
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66348
Abstract: 一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供N型衬底；在N型衬底上形成P型掺杂层；在P型掺杂层上形成硬质层；在P型掺杂层上刻蚀形成延伸至N型衬底的沟槽；在沟槽的底部形成N型掺杂层；去除硬质层；对P型掺杂层的P型杂质和N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，P型杂质扩散形成P型基区，N型杂质扩散形成N型缓冲层；在沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。上述注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法中对P型掺杂层和N型掺杂层一起进行推阱，形成P型基区和N型缓冲层，只需要进行一次推阱工艺，相比于传统的注入增强型的绝缘栅双极型晶体管的制造方式，生产周期较短。
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公开(公告)号：CN104347387A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310335757.1
申请日：2013-08-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/306 , C23F1/08
CPC classification number: H01L21/30604 , C23F1/08 , H01L21/67017
Abstract: 本发明公开了一种用于湿法腐蚀晶片的装置，包括：底部支撑结构，用于支撑所述晶片；与所述底部支撑结构连接并且相对设置的两个侧面支撑结构；第一横梁结构和第二横梁结构，其中所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构；分别设置在所述第一横梁结构和第二横梁结构上的第一固定装置和第二固定装置，所述第一固定装置和第二固定装置相互配合，用于固定所述晶片。本发明使得腐蚀液能够与晶片边缘充分接触，同时增加了腐蚀液体的流动性，提高了腐蚀后晶片边缘与中间的均匀性。
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公开(公告)号：CN104347367A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310325268.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L21/26
Abstract: 本发明公开了一种改善栅氧击穿时漏电偏大的方法，其特征在于，按顺序对器件进行如下工艺处理步骤：栅控器件的产品工艺完成后，利用紫外光对器件进行照射，然后再进行产品测试。采用了本发明所述技术方案，在常规的半导体工艺完成后，对器件进行紫外光照射，就可以尽可能消除栅源中的电荷和热载流子，这样就可以很大程度上改善栅氧漏电的问题。更为重要的是，由于紫外光照射并不会带来温度过高的问题，因此不会导致背面金属发黄，不会影响背面金属的质量，因此有利于后道工序的处理。同时，本发明所述技术方案操作简单，易于实施，并且实施成本较低，不会影响产品其他性能，便于大规模推广。
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