-
公开(公告)号：CN115398044A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028129.1
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制生长层的裂纹产生的新颖技术。本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括：用于降低基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)；和用于在基底衬底(10)上形成生长层(20)的晶体生长步骤(S20)。此外，本发明是一种用于抑制生长层(20)中裂纹的产生的方法，包括在基底衬底(10)上形成生长层(20)之前降低基底衬底(10)强度的脆加工步骤(S10)。
-
公开(公告)号：CN114945692A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180009207.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 丰田通商株式会社
Abstract: 目的在于提供一种方法，用所述方法可以从原料为废料等的铝合金熔体中有效地除去Mg。本发明的金属除去方法包括形成与含有Mg的铝合金熔体接触的熔融盐层的处理步骤，所述熔融盐层覆盖所述铝合金熔体的表面的至少一部分。这种方法使得Mg从所述铝合金熔体被吸收至所述熔融盐层并被除去。所述熔融盐层含有特定卤族元素和特定金属元素，所述特定卤族元素是Cl或Br中的一种以上，所述特定金属元素是Cu、Zn或Mn中的一种以上。优选地将所述特定金属元素作为所述特定金属元素的氧化物供给至所述熔融盐层。此时，所述熔融盐层优选含有Mg。除去Mg的步骤优选通过设置将所述铝合金熔体与所述熔融盐层桥接的导体来进行。这能够增强Mg除去效率和所述特定金属元素的回收效率。
-
公开(公告)号：CN114430781A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202080055202.X
申请日：2020-08-05
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC籽晶、SiC晶锭、SiC晶片和具有外延膜的SiC晶片的新颖技术。本发明是一种用于SiC晶锭生长的SiC籽晶的制造方法，其具有：热处理步骤(S1)，在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理。这样，通过在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理，可以制造高品质的SiC籽晶(11)。
-
公开(公告)号：CN114351248A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111339283.9
申请日：2017-04-27
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的制造装置，其包括：在加热处理时使内部空间产生Si蒸气和C蒸气的SiC容器；和能够在Si环境下对所述SiC容器进行加热的高温真空炉。
-
公开(公告)号：CN114204543A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110971406.4
申请日：2021-08-24
Abstract: 本公开涉及电力系统、服务器、充放电控制装置以及电力供需调整方法。电力系统包括：多个电力调整资源，被构成为与电网电连接；以及管理装置，被构成为管理所述多个电力调整资源。所述管理装置被构成为获取请求所述电网的供需调整的第1请求信号和向所述电力调整资源请求调整预定期间的电力量的第2请求信号，并被构成为向所述多个电力调整资源所包含的预定的电力调整资源发送表示所述预定期间的每个预定间隔的指令电力值的电力指令信号，并被构成为以响应所述第1请求信号和所述第2请求信号这两者的请求的方式生成所述电力指令信号。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114174565A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080018795.2
申请日：2020-03-03
Inventor： 金子忠昭
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种新型的SiC外延衬底的制造方法及其制造装置。其中，使SiC衬底(10)与掺杂浓度比该SiC衬底(10)低的SiC材料(20)相对置并进行加热，从SiC材料(20)向SiC衬底(10)输送原料，从而形成SiC外延层(11)。由此，与常规方法(化学气相沉积法)相比，能够提供削减了控制参数的SiC外延衬底的制造方法。
-
公开(公告)号：CN109075245A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780022996.8
申请日：2017-04-14
Abstract: 热电转换模块封装具备热电转换模块和封装体。上述热电转换模块具有相向的第一及第二基板、排列于上述第一及第二基板之间的多个热电元件、和从上述第一及第二基板的任一方引出的第一及第二引线。上述封装体具有：第一金属箔，其覆盖上述热电转换模块的上述第一基板一侧；第二金属箔，其覆盖上述热电转换模块的上述第二基板一侧；树脂部，其沿着上述热电转换模块的外缘部将上述第一金属箔和上述第二金属箔气密地连接；插通部，其供上述第一及第二引线气密地插通上述树脂部。
-
公开(公告)号：CN102804433B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201080028725.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 学校法人东京理科大学 , 丰田通商株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B33/06 , C01P2002/70 , C01P2004/61 , C04B35/58085 , C04B35/6261 , C04B35/62665 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/407 , C04B2235/408 , C04B2235/428 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/666 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C22C23/00 , F27D17/004 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/383 , Y02E60/324
Abstract: 本发明提供一种镁‑硅复合材料。上述镁‑硅复合材料含有Mg2Si，可适用于作为热电转换模块的材料，并具有良好的热电转换性能。上述Mg2Si是对环境的影响小的金属间化合物。根据本发明的镁‑硅复合材料在866K的无因次性能指数为0.665以上。上述镁‑硅复合材料例如当用于热电转换模块时，可获得高的热电转换性能。
-
公开(公告)号：CN101906023A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010109941.0
申请日：2004-03-05
Applicant: 国际石油开发帝石株式会社 , 日本石油资源开发株式会社 , 道达尔天然气与发电公司 , 丰田通商株式会社
CPC classification number: C07C29/16 , C01B3/386 , C01B2203/0261 , C01B2203/06 , C07C41/09 , C07C43/043
Abstract: 本发明提供了制备合成气的方法、使用合成气制备二甲醚的方法和合成气制备炉。本发明披露了一种制备不含烃和在生成的合成气中含有降低浓度的二氧化碳的合成气的方法。本发明的方法包括：通过使用内部设置有催化剂层的用于生成合成气的炉中的催化剂，将烃部分燃烧而生成的气体重整，和制备包括氢气和一氧化碳作为主要组分的合成气，并且特征在于，催化剂层的出口温度为1100-1300℃，并且所生成的合成气中二氧化碳的浓度不超过10体积％。
-
公开(公告)号：CN101501170A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780024102.5
申请日：2007-07-02
Applicant: 株式会社若松 , 丰田通商株式会社 , 丰田化学工程株式会社
IPC: C11C3/10
Abstract: 本发明提供一种充分地除去作为杂质的妨碍反应的水分等且反应效率高的脂肪酸烷基酯的制造方法。利用至少进行如下所述工序的脂肪酸烷基酯的制造方法，可以有效地制造脂肪酸烷基酯，其中的工序为：(A)从油脂原料中至少除去水分的工序；(B)利用微粒分散混合，将所述油脂原料中含有的脂肪酸甘油酯转换成脂肪酸烷基酯，使得到的脂肪酸烷基酯中的甘油三酯含量为0.1重量％以下的工序；(C)从含有所述脂肪酸烷基酯的混合物中至少分离甘油的工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
101
records
(took 0.075 seconds)
