机械密封的极限试验方法
    58.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113029463B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202110174593.3

    申请日:2021-02-09

    Abstract: 本发明涉及极限试验技术领域,公开了一种机械密封的极限试验方法,包括根据导致机械密封失效的敏感应力,确定极限试验的试验项目及试验剖面;根据机械密封的产品参数和试验设备的试验能力,确定试验项目的步进试验条件;对机械密封分别就各个试验项目进行极限试验,并对机械密封的状态参数进行监测;根据状态参数确定机械密封的工作极限和破坏极限。根据以上设计方案对机械密封开展极限试验,并对机械密封的状态参数进行监测。对状态参数进行分析即可确定机械密封的工作极限和破坏极限。通过本方法对机械密封开展极限试验,可以在更短时间内精确获取机械密封正常工作的应力极限值,为高加速试验应力水平的选择提供依据。

    半导体器件辐射损伤确定方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN118362852A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410469228.9

    申请日:2024-04-18

    Abstract: 本公开提供了一种半导体器件辐射损伤确定方法、装置、设备及介质,涉及半导体器件辐射技术领域,包括获取辐照总剂量;输入辐照总剂量至预先构建的与半导体器件对应的总剂量效应计算模型,得到总剂量效应计算模型输出的阈值电压漂移数据;根据阈值电压漂移数据,确定半导体器件的辐射损伤;其中,总剂量效应计算模型基于总剂量辐照诱发半导体器件产生固定陷阱电荷并导致阈值电压漂移的过程确定。本公开基于总剂量辐照诱发半导体器件产生固定陷阱电荷并导致阈值电压漂移的过程构建总剂量效应计算模型,获取辐照总剂量即可确定对应的阈值电压漂移数据,以便评估半导体器件在各种工作条件下的辐射损伤,无需进行总剂量辐照试验,大大降低了成本。

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