公开(公告)号：CN117219700A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311113920.X

申请日：2023-08-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苟君 ,  张高云 ,  刘立新 ,  罗鑫 ,  李春雨 ,  王军 ,  于贺

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明涉及一种微结构增强硅化镁硅异质结光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明中硅化镁/硅异质结光电探测器的制备方法为：在硅基片上刻蚀得到周期孔表面微结构；在具有微结构的硅基片局部制备金属镁薄膜；热处理使镁薄膜和硅基底反应生成硅化镁薄膜；在硅与硅化镁薄膜上制备电极形成异质结光电探测器。该制备方法通过在具有微结构的硅表面制备镁薄膜，使镁与硅在热反应前便相互融合以增大接触面，相比传统制备方法的上下渗透，缩短固相反应时间，生长高质量的硅化镁薄膜。同时，微结构可减小表面反射，增大红外吸收率，提高探测器的光电响应。

公开(公告)号：CN117219689A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311454653.2

申请日：2023-11-03

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢超 ,  徐世杰 ,  王毅 ,  崔锡胜 ,  程宇 ,  黄志祥

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了通过掺杂提升MXene异质结光电探测器性能的方法，该探测器是通过n型半导体与MXene薄膜构成的异质结实现光电探测，通过采用MoO3对MXene薄膜进行掺杂，增大MXene的功函数，从而与n型半导体产生更大的势垒差，增强异质结的内建电场，实现光生载流子的高效分离和传输，提升光电探测器的性能。本发明获得的MXene‑MoO3薄膜/n型半导体异质结光电探测器，既可以利用半导体对可见光‑近红外光的高吸收率，又可以结合二维材料MXene薄膜高导电性，并结合MoO3掺杂对MXene功函数的调节，从而提升了对探测光的吸收效率以及光生载流子的分离和传输效率。

公开(公告)号：CN116914001B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311180186.9

申请日：2023-09-13

Applicant: 苏州晶歌半导体有限公司

Inventor： 黄勇

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 提供了一种红外探测器，其包括P型势垒层12）、P型吸收层（13）以及P型过渡层（14），其中，所述P型势垒层（12）为P型InGaAsP材料，所述P型吸收层（13）为P型InGaAs/GaAsSb超晶格，所述P型过渡层（14）为P型InGaAsP材料。还提供了一种该红外探测器的制作方法。该红外探测器采用了P型InGaAs/GaAsSb超晶格吸收层结合P型InGaAsP形成的三明治结构，如此可以很好的提高红外探测器的量子效率，抑制红外探测器的暗电流以及帮助少子输运，从而使红外探测器的性能更好。

公开(公告)号：CN113097320B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202110344916.9

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  班如静 ,  王璇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

公开(公告)号：CN112086530B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202010906002.2

申请日：2020-09-01

Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

Inventor： 崔巍 ,  江淼 ,  姚江波 ,  陈黎暄 ,  张鑫

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/113 ,  G06F3/042

Abstract: 本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括多个光感电路和位置检测电路，多个光感电路在显示面板内阵列设置，光感电路包括光感晶体管，光感晶体管包括衬底、金属氧化物有源层、栅极层、源漏极层和量子点层，量子点层与金属氧化物有源层接触，量子点层用于吸收交互光源照射的交互光线，交互光线的波长大于金属氧化物有源层的最大吸收波长，光感晶体管用于将交互光线的光强信号转换为电信号；位置检测电路与光感电路电性连接，用于根据电信号，确定交互光线的照射位置。本申请在光感晶体管中设置量子点层，可以吸收交互光线并将其光强信号转换为电信号，再通过位置检测电路确定交互光线的照射位置，因此实现了与波长较长的光线之间的交互。

公开(公告)号：CN117096206A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311340445.X

申请日：2023-10-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 贺明 ,  许蕾 ,  刘硕 ,  刘鋆灵 ,  黄如

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于铋氧硒‑钙钛矿异质结的光感算一体器件及其制备方法，该器件包括衬底和栅介质层，位于栅介质层上排布有异质结光传感器阵列，所述异质结光传感器包括上下叠加的钙钛矿吸光层和铋氧硒沟道层，铋氧硒沟道层两侧为源漏电极，所述异质结光传感器为typeⅠ型能带结构，在负栅压下，异质结光传感器为pn型能带，在正栅压下，异质结光传感器为nn+能带，所述异质结光传感器的栅压依赖的正负光响应对应于神经网络计算中权重，实现感算一体。利用本发明可以实现卷积操作，可实现图片预处理功能和目标检测功能，具有超高光灵敏度，可有效提高弱光环境（低至0.1μW/cm2）下图像边缘计算功能。

公开(公告)号：CN117080299A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311040625.6

申请日：2023-08-17

Applicant: 四川省普照光新能源有限公司

Inventor： 刘德雄 ,  温才 ,  曾世杰 ,  戴祺又 ,  曹鑫鑫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/078

Abstract: 本申请公开了强化紫外光谱吸收的氧化锌硅基异质结电池的制备方法及其产品，涉及太阳能电池技术领域。包括以下步骤：在P型硅基底的正面制备PIN异质结，并在P型硅基底的背面形成背面场，获得硅衬底；在硅衬底的正面制备过渡层，并对过渡层进行退火；再在过渡层上制备N型氧化锌层，并对N型氧化锌层进行退火；在对N型氧化锌层退火后，再在硅衬底的正面和硅衬底的反面分别制备电极后，进行烧结合金化，即得成品太阳能电池。本申请的氧化锌硅基异质结电池可拓宽异质结电池的吸收光谱范围，增强紫外光电转换，有效提升紫外光电转换效率，能够降低成本的同时兼容异质结电池工业工艺，快速实现产业化。

公开(公告)号：CN117038774A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310701582.5

申请日：2023-10-12

Applicant: 中国石油大学(华东)

Inventor： 郝兰众 ,  李思齐 ,  于巍茁 ,  刘云杰

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本文公开发明一种铂金属掺杂二硫化钼‑硅异质结光电探测器及其制备方法。该方法包括：Si单晶基片的预处理；利用直流磁控溅射技术在硅衬底上沉积Pt‑MoS2薄膜。进一步通过制备上下电极层，完成光电探测器器件的加工。本发明通过Pt掺杂MoS2，显著提高了器件的光伏性能，对比测试结果表明：光电流、响应度提高了3.7倍。本发明的光电探测器件具有高响应度和探测率、响应速度快和周期稳定性好等优点；其制备工艺简单，生产过程无污染，适于规模化工业生产。

公开(公告)号：CN116705896A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310329499.X

申请日：2023-03-30

Applicant: 陕西师范大学

Inventor： 刘渝城 ,  张小杰 ,  贾彬霞 ,  储德鹏 ,  赵泽秦 ,  刘生忠

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于单晶异质结的自驱动X射线探测器及其制备方法，该X射线探测器以APbCxD3‑x单晶/APbDyC3‑y单晶作为单晶异质结，利用APbCxD3‑x单晶与APbDyC3‑y单晶形成的异质结所形成的内建电场，获得大的电子空穴注入势垒，具有整流特性，正向导通，促进载流子输运，增加光电流；反向截止，能够有效地抑制离子迁移和暗电流等，提高电荷收集效率，且在不加偏压的情况下可对光生载流子分离和传输，即该器件可自驱动X射线检测，对于能源节约环境友好有着非常重要的实用价值。该APbCxD3‑x/APbDyC3‑y异质结器件不需外加电场便可以捕获和识别X射线信号，因此可应用于自驱动X射线探测。

公开(公告)号：CN114744060B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210391280.8

申请日：2022-04-14

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 郭道友 ,  赵天丽 ,  邓李朋 ,  钱松程 ,  邢志文 ,  王顺利

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种电网电晕监测器及其制备方法，包括FTO衬底，所述FTO衬底的至少一侧具有氟掺杂氧化锡层，所述氟掺杂氧化锡层上生长有GaOOH纳米柱阵列，所述GaOOH纳米柱阵列经退火后形成α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列，所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列上设置有Ti3C2/Ag纳米线复合层，所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上设置有Ag电极，所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上的Ti3C2层与所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列之间形成Ti3C2/α/β‑Ga2O3纳米柱阵列范德瓦尔斯异质结，具有三维空间异质结界面结构和日盲特性，具有优异的化学和热稳定性，耐压强，工作温度和功耗低，重复性良好，是一个具有超高响应度的自供电电网电晕监测器，可定向识别波长位于日盲波段的200‑280nm的紫外光。