公开(公告)号：CN114050192A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111387918.2

申请日：2021-11-22

申请人： 乐山职业技术学院

发明人： 何帆

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供了一种n型双面碲化镉太阳电池，旨在解决现有技术中n型CdTe太阳电池光吸收效果较差，n型CdTe太阳电池综合性能较差的问题。一种n型双面碲化镉太阳电池，从正面到背面依次包括：玻璃衬底、透光前电极、窗口层、n型CdTe吸收层、宽禁带的透明缓冲层和透光背电极；n型CdTe吸收层和过渡金属氧化物薄膜之间形成内建电场；透明缓冲层的功函数低于n型CdTe吸收层的功函数，n型CdTe吸收层和透明缓冲层之间形成背电场；窗口层为高功函数的过渡金属氧化物薄膜。解决了现有技术中n型CdTe太阳电池吸光效果差的问题，结合n型CdTe吸收层容易与材料形成欧姆接触，解决了现有技术中p型CdTe吸收层的高背面势垒的问题。

公开(公告)号：CN114038926A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111324616.0

申请日：2021-11-10

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 李冠海 ,  陈健 ,  李鑫 ,  陈金 ,  郁菲茏 ,  陶玲 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种高增益平面型雪崩单光子探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、P型层、I型层、N型层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层和P型层依次生长在衬底上、N型层和I型层形成在P型层中；光子从P型衬底入射，P型衬底上的阴极引出端接电源的负极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层上的阳极引出端接电源的正极。本发明结构简单，易于制备，可同时在高偏压下实现低暗电流和高增益。

公开(公告)号：CN113659039A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110961231.9

申请日：2021-08-20

申请人： 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

发明人： 廖广兰 ,  张许宁 ,  刘智勇 ,  孙博 ,  刘星月 ,  叶海波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296

摘要： 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。

公开(公告)号：CN113524017A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110807527.5

申请日：2021-07-16

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 王静宇 ,  宋林伟 ,  孔金丞 ,  万春山 ,  王正凯 ,  袁绶章 ,  姜军 ,  木迎春 ,  彭振仙 ,  邓声玉

IPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种大面积碲锌镉(211)B材料表面抛光方法，碲锌镉(211)B衬底用于分子束外延碲镉汞薄膜材料，碲锌镉(211)B衬底面积为40×40mm2～50×50mm2。通过在抛光液中加入一定浓度的增润剂及抛光前处理抛光垫来降低衬底表面抛光粗糙度；并少量多次加入氧化剂来配制抛光液；针对主要抛光参数(氧化剂浓度、抛光压力、抛光盘转速、抛光时间)实施多因素实验方案的设计及优化来确定最优化抛光参数。此方法解决了大面积碲锌镉(211)B衬底精密抛光过程中抛光均匀性和一致性难以控制的难题，采用本发明的方法，衬底抛光表面粗糙度可达0.34nm、平整度可达1.19μm，实现了对碲锌镉衬底表面的精密加工。

公开(公告)号：CN113471303A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110658831.8

申请日：2021-06-15

申请人： 上海大学

发明人： 沈悦 ,  李柝时 ,  温丹丹 ,  陈日志 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/115 ,  H01L31/117 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种高探测效率自支撑CdZnTe厚膜结构、探测器件及其制备方法和应用。本发明提供的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器制备方法包括衬底预处理、CdZnTe膜的生长过程、CdZnTe膜的剥离过程、自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器的电极制作四个主要步骤。本发明方法通过在一种高热导率的单晶膜基底上生长CdZnTe厚膜，基底的高热导率能促进CZT晶粒的形核，进而获得大面积、低缺陷浓度的CdZnTe厚膜，所制得的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽玛射线探测器具备十分优异的高能辐射探测特性，在室温条件下体漏电流和噪声都较低，对伽玛射线的截止能力和探测量子效率较高，成为目前室温半导体辐射探测领域的热点。

公开(公告)号：CN113410124A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202011156074.6

申请日：2020-10-26

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 孔金丞 ,  宋林伟 ,  吴军 ,  李东升 ,  黄元晋 ,  王文金 ,  王志斌 ,  陈姗 ,  黄蓓 ,  陶丽明 ,  姬荣斌

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/101

摘要： 本发明提供了一种金掺杂碲镉汞外延材料电学性能稳定性控制方法。本发明针对金掺杂液相外延碲镉汞材料热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体中扩散导致金掺杂碲镉汞外延材料电学参数不受控的问题，其方法包括：在金掺杂碲镉汞材料液相外延生长前，对碲锌镉衬底进行镉饱和退火，消除碲锌镉衬底中的镉空位，控制碲镉汞热处理时金掺杂原子向碲锌镉衬底中的扩散富集。本方法达到了消除碲锌镉晶体中的镉空位的效果，从而控制金掺杂碲镉汞薄膜热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体的扩散，提高了液相外延金掺杂碲镉汞薄膜电学性能稳定性及重复性控制。

公开(公告)号：CN113336549A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110663628.X

申请日：2021-06-15

申请人： 先导薄膜材料(广东)有限公司

发明人： 周荣艳 ,  吴彩红 ,  文崇斌

IPC分类号： C04B35/515 ,  C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  H01L31/0296

摘要： 本发明公开了一种碲硒镉靶材，涉及太阳能电池领域。所述碲硒镉靶材，包括以下组分：CdSe粉和CdTe粉；其中，所述CdSe粉和CdTe粉的摩尔比为：CdSe粉：CdTe粉＝1:3.5‑4.5。本发明提供的制备工艺简单，对设备要求较低，成本较低，制得的靶材纯度和密度均较高。

公开(公告)号：CN113270506A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202011645593.9

申请日：2020-12-31

申请人： 中国建材国际工程集团有限公司

发明人： 彭寿 ,  汪元元 ,  吴一民 ,  马立云 ,  殷新建 ,  陈瑛

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296

摘要： 本发明提供一种CdTe太阳电池背电极制作方法，其特征在于：带有三个激光头阵列的激光器同时在CdTe薄膜电池半成品结构的CdTe光吸收层上刻线，第一激光头的激光刻断底电极、缓冲层和光吸收层，第二和第三激光头的激光刻断缓冲层和光吸收层，三个激光头阵列同时工作，将整个膜层分割为多个电池单元；在第一和第三激光头刻线区域丝网印刷低温固化绝缘胶，填充于第一和第三激光头刻线槽内；丝网印刷低温固化导电浆料形成背电极栅线网格，背电极栅线避开第三激光头刻线区域，固化后获得太阳电池背电极。本发明简化工艺流程，减少环保压力，工艺过程显著降低成本并提高良率。

公开(公告)号：CN112563118A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011526666.2

申请日：2020-12-22

申请人： 河南大学

发明人： 周正基 ,  袁胜杰 ,  武四新 ,  常倩倩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068

摘要： 本发明提供了一种In掺杂CdS薄膜、制备方法及制备的CIGS电池，步骤如下：（1）制备CIGS吸收层薄膜；（2）向硝酸镉溶液中加入氨水和硫脲溶液，混合后加入步骤（1）制备得到的CIGS吸收层薄膜，水浴加热；（3）将In(NO3)3溶液加入恒压漏斗中，稀释后逐滴滴加到水热溶液中，控制滴加速度为4 s每滴；（4）滴加完毕后，得到In掺杂CdS薄膜。本发明通过在CdS缓冲层过程中连续滴加In(NO3)3溶液，通过调节溶液中In离子的浓度和滴加速度，控制缓冲层中In、Cd的比例，制备了平整致密的In掺杂CdS薄膜。用In掺杂CdS薄膜做缓冲层的CIGS电池光电转换效率由13.43%提高到16.39%。

公开(公告)号：CN112522735A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011347355.X

申请日：2020-11-26

申请人： 上海大学

发明人： 黄健 ,  黄浩斐 ,  陈卓睿 ,  尚艺 ,  张志洛 ,  唐可 ,  王林军

IPC分类号： C25B11/069 ,  C25B11/075 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C30B28/12 ,  C30B29/46 ,  H01L31/0296

摘要： 本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。