公开(公告)号：CN101842870B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880113565.3

申请日：2008-09-04

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 尹松根 ,  宋炳奎 ,  李在镐 ,  金劲勳

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/3323

摘要： 一种基底制程装置，包括：一个腔室，其限定一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；一个支撑构件，其排布在腔室中用于支撑基底；以及一个引导管，其排布在支撑构件上方，用于将在所述内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。所述引导管被配置为柱面的形状，该柱面具有的截面形状基本相应于基底的形状，以及该引导管将通过其一端引入的等离子体通过其另一端排出到支撑构件。所述腔室包括：一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中；以及一个生成腔室，其排布在制程腔室上方。所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施，且该等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成。

公开(公告)号：CN102286730A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110167019.1

申请日：2011-06-21

申请人： 细美事有限公司

发明人： 成普滥璨 ,  具教旭 ,  赵重根

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742

摘要： 本发明公开一种薄膜蒸镀装置，其包括：支承板的基板支承机构；及喷淋头，配置在上述基板支承机构的上部，向上述基板供给处理气体。上述喷淋头包括：上部平板，形成有多个气道以提供上述处理气体的流路，在上述气道形成有气体喷射孔，施加高频电流而激励处理气体产生等离子体；挡板，配置在上述上部平板的下部，并形成有多个孔而使上述处理气体的流动均匀地分散；及喷射板，配置在上述挡板的下部，将通过上述挡板供给的上述处理气体喷射到上述基板上。

公开(公告)号：CN102280341A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110189155.0

申请日：2005-06-29

申请人： 应用材料有限公司

发明人： V·N·特多柔 ,  J·P·霍兰德 ,  M·D·威尔维斯

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23F4/00

CPC分类号： C23F4/00 ,  C23F1/08 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32633 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明提供一种利用空间分布经修改(spatially modified)的等离子体蚀刻衬底的方法和设备。在一个实施例中，该方法包括提供在衬底支承底座上方配置有等离子体稳定器的处理腔室。衬底被放置到底座上。处理气体被引入处理腔室，而等离子体就由此处理气体形成。用等离子体蚀刻衬底，而该等离子体具有由等离子体稳定器限定的离子密度与原子团密度比。

公开(公告)号：CN1716530B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200510079835.1

申请日：2005-06-29

申请人： 应用材料有限公司

发明人： V·N·特多柔 ,  J·P·霍兰德 ,  M·D·威尔维斯

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC分类号： C23F4/00 ,  C23F1/08 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32633 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明提供一种利用空间分布经修改(spatially modified)的等离子体蚀刻衬底的方法和设备。在一个实施例中，该方法包括提供在衬底支承底座上方配置有等离子体稳定器的处理腔室。衬底被放置到底座上。处理气体被引入处理腔室，而等离子体就由此处理气体形成。用等离子体蚀刻衬底，而该等离子体具有由等离子体稳定器限定的离子密度与原子团密度比。

公开(公告)号：CN1728916B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200510083627.9

申请日：2005-07-13

申请人： 诺信公司

发明人： 罗伯特·S·康德拉斯霍夫 ,  詹姆斯·P·法西奥 ,  詹姆斯·D·格蒂 ,  詹姆斯·S·泰勒

IPC分类号： H05H1/24 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32834 ,  H01J37/32633

摘要： 一种用于等离子处理基片的设备。所述设备包括相互分隔放置的第一电极和第二电极。分隔环对所述第一电极和第二电极的相对面进行真空密封，以在其间限定可抽空的处理区。处理气口与所述真空区相通，以将处理气体引入所述处理区内。当所述第一电极和第二电极通电后，所述处理区可通过位于第一电极和第二电极中的某一个内的真空口而进行抽空，以在处理区中形成适当气压，并从处理气体中激发出等离子。

公开(公告)号：CN102007572A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113536.1

申请日：2009-04-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 马丁·李·瑞勒 ,  基斯·A·米勒 ,  阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441

摘要： 本发明提供了晶圆处理沉积屏蔽构件。这里描述的实施例主要涉及用于半导体处理腔室的组件、用于半导体处理腔室的处理套件以及具有处理套件的半导体处理腔室。在一个实施例中，提供了用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件的下屏蔽件。下屏蔽件包括：圆柱状外带，其具有第一直径，该第一直径的尺寸确定为围绕溅镀靶材的溅镀表面以及基板支撑件，该圆柱外带包括环绕溅镀靶材的溅镀表面的上壁以及环绕基板支撑件的下壁；支撑壁架，其包括支承表面并从圆柱状外带向外径向地延伸；基座板，其从圆柱状外带的下壁向内径向地延伸；以及圆柱状内带，其与基座板相连接并部分环绕基板支撑件的周围边缘。

公开(公告)号：CN101317260B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200680044328.7

申请日：2006-11-17

申请人： 朗姆研究公司

发明人： S·M·列扎·萨贾迪 ,  黄志松

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

摘要： 提供一种减少半导体器件配线之间电容的方法。牺牲层(212)形成在介电层(208)上。将多个特征(216)蚀刻入该牺牲层和介电层。该特征利用填充材料(218)填充。去除该牺牲层，从而该填充材料部分在该介电层之上保持为暴露状态，其中在该暴露的该填充材料部分之间有间距，其中该间距(217)位于先前被该牺牲层占据的区域内。在该填充材料部分之间的间距的宽度利用收缩侧壁沉积物(215)收缩。穿过该收缩侧壁沉积物将间隙(224)蚀刻入该介电层。去除该填充材料和收缩侧壁沉积物。

公开(公告)号：CN101235482A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810004299.2

申请日：2008-01-29

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 克里斯托夫·M·帕夫洛夫 ,  伊扬·理查德·洪

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： H01J37/32633 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642

摘要： 一种工艺配件，包含护板和放置在处理腔室中的衬底支架周围的环组件，该环组件用于减少工艺沉积物沉积在内部腔室组件和衬底的悬臂边缘上。该护板包含：圆柱带，该圆柱带具有围绕溅射靶的顶壁和围绕衬底支架的底壁；支撑壁架；倾斜阶梯；和具有气体热导孔的U型沟道。该环组件包含沉积环和盖环，盖环在环周界周围具有球形隆凸。

公开(公告)号：CN101189708A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019287.6

申请日：2006-05-30

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山下润 ,  中西敏雄 ,  西田辰夫

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32633 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

摘要： 本发明提供使用等离子体对半导体基板等被处理基板进行处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在等离子体氧化处理装置(100)中，在基座(2)的上方，配备有二重板(60)。上侧板(61)和下侧板(62)分别由石英等电介质构成，以规定的间隔(例如5mm)相互分离且平行地配置，并且具有多个贯通孔(61a)、(62a)。在将两块板重合的状态下，以使下侧板(62)的贯通孔(62a)和上侧板(61)的贯通孔(61a)不重合的方式错开配置。

公开(公告)号：CN1947216A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580013389.2

申请日：2005-04-29

申请人： 艾克塞利斯技术公司

发明人： D·费里斯 ,  A·斯里瓦斯塔瓦 ,  M·滕

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32623 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32633

摘要： 等离子体加工系统包括至少一个多片挡板组件。多片挡板组件一般包括至少一个环形的环部件，具有开口和插入部分，插入部分的尺寸使其可以安装在该开口内。各片挡板可以由陶瓷材料制成。使等离子体加工过程中挡板内热梯度所造成的影响减到最少。