清洗方法、器件制造方法、清洗组件和装置、光刻装置

    公开(公告)号:CN101063830B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN200710102969.X

    申请日:2007-04-27

    发明人: M·辛格

    IPC分类号: G03F7/20 H01L21/027 H01L21/00

    CPC分类号: G03F7/70925 G21K1/003

    摘要: 本发明的一个实施例提供了一种用于清洗表面的方法。所述方法包括,利用污染物释放装置将污染物从待清洗表面上至少部分地释放,以及利用污染物去除装置来捕获已被至少部分地释放的污染物,所述污染物去除装置产生至少一个用于收集已被至少部分地释放的污染物的光阱。本发明的实施例还提供了器件制造方法、用于清洗光学元件表面的方法、清洗组件、清洗装置以及光刻装置。

    晶片制造清洗装置、处理和使用方法

    公开(公告)号:CN102460678A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201080024275.9

    申请日:2010-04-14

    IPC分类号: H01L21/683 H01L21/687

    摘要: 本发明涉及晶片制造清洗装置、处理和使用方法。一种用于清洗例如集成芯片制造设备的组件或者与这些组件组合的清洗晶片或衬底。所述清洗衬底可包括具有不同预定表面特征的衬底,所述表面特征诸如一个或多个预定粘合的、非粘性的、静电的部分或突起、凹陷或其它物理部分。所述预定特征可提供与它们一起使用的组件的更有效清洗,诸如在集成芯片制造装置中在集成芯片晶片的地方。清洗衬底可通过真空力、机械力、静电力或其它力被推到清洗位置或其它位置。清洗衬底可被改装以实现各种功能,包括研磨或抛光。清洗衬底可通过新颖的制作方法制成,然后它可与芯片制造装置组合用在新的使用方法中。

    维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法

    公开(公告)号:CN102156389A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201010602289.6

    申请日:2007-05-23

    IPC分类号: G03F7/20

    CPC分类号: G03F7/70925 G03F7/70341

    摘要: 本发明提供一种维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法,该维修方法,具备:将液体1供应到光学构件(2)与衬底(P)之间以形成液浸区域的液浸空间形成构件(30)、将液体1供应到液浸空间的液体供应机构(10)、移动衬底(P)的衬底载台(PST)、以及形成有基准标记的测量载台MST的曝光装置。为了洗净液浸空间形成构件(30),将洗净液供应到测量载台MST与液浸空间形成构件(30)之间。曝光装置具备用于洗净液浸空间形成构件(30)的各种洗净机构。能有效地进行曝光装置的维修同时实施液浸曝光。

    浸没式光刻系统以及浸没式光刻中原地清洁透镜的方法

    公开(公告)号:CN101320221B

    公开(公告)日:2011-01-12

    申请号:CN200810109204.3

    申请日:2008-02-14

    IPC分类号: G03F7/20

    CPC分类号: G03F7/70925 G03F7/70341

    摘要: 提供了一种浸没式光刻设备,其包括:能量源;投影光学系统;台;包括浸没液体供应装置和浸没液体排出装置的喷头在曝光区域内产生液体流;和清洁装置,所述清洁装置使用清洁气体清洁投影光学系统与浸没液体接触的部分。在实施例中,清洁装置包括向曝光区域提供清洁气体流的气体供应装置和气体排出装置。在实施例中,该设备包括含有剂量传感器和/或紫外光源的台。还提供了一种用于在具有向浸没式光刻系统的曝光区域提供浸没流体的浸没流体喷头的浸没式光刻系统中原地清洁最后的透镜元件的方法。