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公开(公告)号：CN104614789A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510086865.9
申请日：2015-02-23
Applicant: 司普若光学有限公司
Inventor： 卡斯滕·斯特尔
CPC classification number: G02B17/086 , G01J1/0204 , G01J1/0407 , G01J1/0411 , G01J1/0414 , G01J1/4257 , G02B3/0037 , G02B3/005 , G02B3/0056 , G02B3/0068 , G02B13/0055 , G02B17/002 , G02B19/0028 , G02B27/0961 , G02B27/108 , G02B27/126 , G02B3/08 , G02B3/00 , G02B27/14
Abstract: 本发明涉及具有至少一个物侧和至少一个像侧折射表面(17，18)的透镜(1)。为了在无需用于将光耦合出去的附加部件的情况下确定通过透镜(1)传播的有效光通量(16)的光强度，依照本发明，透镜(1)包括布置在物侧与像侧折射表面(17，18)之间且与光轴(2)倾斜地调整的反射表面(5)。
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公开(公告)号：CN104053974A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201380005481.9
申请日：2013-03-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G01J1/06 , G01J3/26 , H01L27/14 , A61B5/0245 , A61B5/1455 , G01N21/27
CPC classification number: G01J1/06 , A61B5/02427 , A61B5/14532 , A61B5/1455 , G01B11/26 , G01J1/0204 , G01J1/0437 , G01J1/0488 , G01J1/42 , G01J3/0229 , G01J3/0256 , G01J3/0262 , G01J3/0289 , G01J3/26 , G01J3/36 , G01J3/51 , G01J3/513 , H01L27/14625
Abstract: 提供抑制分光特性降低的光学传感器和电子设备。光学传感器包括受光元件、使射入受光元件的受光区域的入射光中的特定波长的光透过的光学滤波器(140)、以及限制透过光学滤波器(140)的入射光的入射角度的角度限制滤波器(120)。在将角度限制滤波器(120)的限制角度设为θA、将从角度限制滤波器(120)的上表面到光学滤波器的上表面的高度设为RTP的情况下，若将对角度限制滤波器(120)的上表面的俯视观察中从光学滤波器(140)的端部到角度限制滤波器(120)的开口端部的距离设为交迭距离(OV)，则满足tan-1(OV/RTP)>θA。
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公开(公告)号：CN102473790B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080031452.6
申请日：2010-07-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01J3/36 , G01J1/0204 , G01J5/045 , H01L24/01 , H01L25/043 , H01L2924/0002 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 光检测器(1)中，由低电阻Si基板(3)、绝缘层(4)、高电阻Si基板(5)及Si光电二极管(20)，构成相对于配置于凹部(6)内的InGaAs光电二极管(30)的气密密封封装，由低电阻Si基板(3)的电气通路部(8)及配线膜(15)，达成相对于Si光电二极管(20)及InGaAs光电二极管(30)的电性配线。然后，相对于Si光电二极管(20)的p型区域(22)设置于Si基板(21)的背面(21b)侧的部分，InGaAs光电二极管(30)的p型区域(32)设置于InGaAs基板(31)的表面(31a)侧的部分。
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公开(公告)号：CN101784872B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200880103763.1
申请日：2008-08-11
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01J1/02 , F21K9/60 , F21V23/0442 , F21Y2115/10 , G01J1/0204 , G01J1/04 , G01J1/0411 , G01J1/0437 , G01J1/0474 , G01J1/0488 , G01J1/32 , G01J3/513 , G01J2001/4252 , H01L2224/16225
Abstract: 光传感器(1)用在照明应用中，特别是与LED结合，用以控制和/或调节光源的色点。为了保证成本低的具有可再现色点的光源，光传感器(1)的成本和/或性能是重要的。该目的通过一种光传感器(1)实现，该光传感器(1)包括：光漫射器(10)；具有至少一个窗口(12)、至少一个干涉滤光片(13)以及至少两个光电传感器(14)的光学不透明壳体(11)。该光漫射器(10)以这样的方式布置：来自该光学不透明壳体(11)外部的光必须经过该光漫射器(10)从而经由该窗口(12)进入到该光学不透明壳体(11)的内部。该干涉滤光片(13)和该至少两个光电传感器(14)布置在该光学不透明壳体(11)的内部中，该干涉滤光片(13)布置在该窗口(12)和该至少两个光电传感器(14)之间。
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公开(公告)号：CN102473790A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031452.6
申请日：2010-07-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01J3/36 , G01J1/0204 , G01J5/045 , H01L24/01 , H01L25/043 , H01L2924/0002 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 光检测器(1)中，由低电阻Si基板(3)、绝缘层(4)、高电阻Si基板(5)及Si光电二极管(20)，构成相对于配置于凹部(6)内的InGaAs光电二极管(30)的气密密封封装，由低电阻Si基板(3)的电气通路部(8)及配线膜(15)，达成相对于Si光电二极管(20)及InGaAs光电二极管(30)的电性配线。然后，相对于Si光电二极管(20)的p型区域(22)设置于Si基板(21)的背面(21b)侧的部分，InGaAs光电二极管(30)的p型区域(32)设置于InGaAs基板(31)的表面(31a)侧的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101943601A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010224930.7
申请日：2010-07-05
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 后藤晃一
CPC classification number: G01J1/02 , B60S1/0837 , G01J1/0204 , G01J1/0214 , G01J1/0271 , G01J1/04 , G01J1/0407 , G01J1/0411
Abstract: 一种光检测装置(10)包括外壳(20)、第一导光部件(30)和第一受光元件(40)。预定光(6)入射进该导入部件的入射面(31)。该导入部件的射出面(32)射出入射到入射面的光。第一距离(D)限定在射出面的顶点和该导光部件的焦点(F)之间，并且第二距离(d10)限定在射出面的顶点和该受光元件的受光面(41)之间。射出面具有按照第一距离小于第二距离的方式的凸透镜形状。
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公开(公告)号：CN101459203A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810179585.2
申请日：2004-09-09
Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社
IPC: H01L31/102 , H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L25/16 , G01J5/20 , G01J5/04
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , G01J1/02 , G01J1/0204 , G01J5/02 , G01J5/0215 , G01J5/04 , G01J5/045 , G01J5/20 , G01J2001/0276 , H01L31/1035 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种红外线传感器，其包括基板以及在该基板上形成的、由多个化合物半导体层层叠而成的化合物半导体的层叠体，上述化合物半导体的层叠体包括：在该基板上形成的、作为包含铟及锑且n型掺杂了的材料的第六化合物半导体层；在该第六化合物半导体层上形成的、作为包含铟及锑且未掺杂或p型掺杂了的材料的第七化合物半导体层；以及在该第七化合物半导体层上形成的、作为以比上述第七化合物半导体层更高的浓度进行了p型掺杂、且具有比上述第六化合物半导体层及上述第七化合物半导体层更大的带隙的材料的第八化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN100383501C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN01821033.3
申请日：2001-04-26
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: G01J1/04
CPC classification number: G01J1/04 , G01J1/0204 , G01J1/0271 , G01J1/0425 , G01J1/044
Abstract: 本发明是一气动致动能量收集装置。该装置包括具有一能量收集器的一支承件。一防护屏可滑动地附连至支承件，并可在一第一“关闭”位置和一第二“打开”位置之间移动。在其第一位置内，防护屏遮盖收集器，而在其第二位置，防护屏不遮盖收集器。防护屏偏置在其中一位置内。邻接防护屏设置一室，这样，当室加压时，克服防护屏的偏压，且防护屏在第一位置和第二位置之间移动。
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公开(公告)号：CN107851676A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043242.6
申请日：2016-07-22
Applicant: AMS有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/173 , G01J1/02 , G01J5/04 , H01L31/0203
CPC classification number: H01L31/0203 , G01J1/0204 , G01J1/0271 , G01J5/045 , H01L24/13 , H01L31/02005 , H01L31/02327 , H01L31/153 , H01L31/173 , H01L2224/13025
Abstract: 以晶片级生产光学传感器的方法，包括以下步骤：提供具有主顶表面(10)和主背表面(13)的晶片(1)，以及在晶片的顶表面(10)处或附近布置具有至少一个光敏组件(12)的至少一个第一集成电路(11)。此外，在晶片(1)中提供用于经由背表面(13)电接触至少一个第一集成电路(11)的至少一个衬底通孔(14)，并且通过在晶片(1)的顶表面(10)上方对第一模具材料进行晶片级模制而形成透明的第一模具结构(2)，使得第一模具结构(2)至少部分地包围第一集成电路(11)。最后，通过在第一模具结构(2)上方对第二模具材料进行晶片级模制来形成不透明的第二模具结构(3)，使得第二模具结构(3)至少部分地包围第一模具结构(2)，在透明的第一模具结构(2)的至少一个顶表面(21)的顶部上留下孔径(30)。
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公开(公告)号：CN107072598A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580027671.X
申请日：2015-06-22
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G01J1/1626 , A61B5/0059 , A61B5/1118 , A61B5/14551 , A61B5/165 , A61B5/4266 , A61B5/7214 , G01J1/0204 , G01J1/0271 , G01J1/08 , G01J2001/0257 , G01J2001/1647 , G01N21/552
Abstract: 系统和方法可以规定从耦合到第一波导的第一光电检测器接收电测量信号并且基于电测量信号来确定第一波导中反射光的总强度水平。另外，可以基于第一波导中反射光的总强度水平来确定与第一波导接触的皮肤的出汗水平。在一个示例中，从耦合到与皮肤物理地隔离的第二波导的第二光电检测器接收电控制信号，其中还基于电控制信号来确定第一波导中反射光的总强度水平。
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