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公开(公告)号：CN111930169A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010733435.2
申请日：2020-07-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路，包括启动电路、中温区域负反馈补偿电路、一阶带隙基准电路及高温区域负反馈补偿电路。本发明采用中温区域负反馈补偿电路与高温区域负反馈补偿电路分别与一阶带隙基准电路构成负反馈环路，提高带隙基准电路的稳定性，利用中温区域负反馈补偿电路中PMOS管M11的电流在电阻R5及电阻R6上产生电压VNL1以及高温区域负反馈补偿电路中PMOS管M16的电流在电阻R6上产生电压VNL2分别对带隙基准参考电压进行温度补偿，从而实现一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN111030680A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911355896.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03L7/089
Abstract: 本发明请求保护一种用于延迟锁相环的电荷泵电路，包括充放电流偏置电路及电荷泵核心电路。充放电流偏置电路采用工作在线性区MOS管作源极负反馈阻抗结构来提高电流精度；电荷泵核心电路采用NMOS管M20栅极与PMOS管M19栅极相连且NMOS管M20源极接外部地线GND结构、PMOS管M21栅极与NMOS管M22栅极相连且PMOS管M21源极接外部电源VDD结构等技术抑制电路电荷共享效应，采用放电反馈电路及充电反馈电路来提高电荷泵充/放电电流匹配性能，采用PMOS管M17及NMOS管M18分别构成MOS电容抑制电荷泵开关阶段由于馈通引起输出端抖动问题，从而实现一种用于延迟锁相环的电荷泵电路。
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公开(公告)号：CN103415120B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310377608.1
申请日：2013-08-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开一种电源管理驱动芯片及该芯片的应用电路，芯片设置有电源输入脚、接地脚、峰值电压输入脚、采样电阻脚、零电流检测脚、电流感应脚以及栅极驱动脚，在芯片内部设置有V/I变换器、延时单元1、延时单元2、RS触发器、单稳态电路、前沿消隐电路、误差比较器A1、施密特触发器G1、非门G2、跟随器G3、三输入与非门G4、与非门G5、非门G6、计数器G7、逻辑控制单元G8以及输出级G9。其显著效果是：降低了电源驱动芯片的复杂程度、芯片的物理面积以及功耗、简化驱动电源模块的成本，可以通过芯片内部模块快速检测负载是否开路与短路，缩短控制电路的响应时间。
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公开(公告)号：CN119906418A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411979423.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种带动态校准的电荷泵电路，属于集成电路技术领域，包括电荷泵主体电路、放电电流补偿电路以及动态校准电路。本发明采用组合MOS管实现充电与放电电流源，提高充放电流源精度并提高电路输出电压摆幅；采用放电电流补偿电路来调整电路的放电电流，提高电路充放电流的匹配性；采用放大器OP2、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M21以及NMOS管M22构成的负反馈动态校准电路，调整流入/流出放大器OP2输出端的电流，从而动态调整电荷泵电路的充放电流，提高电路的充电电流与放电电流的匹配性，进而实现一种带动态校准的电荷泵电路。
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公开(公告)号：CN119806271A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411979422.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路，包括带启动的偏置电路、基极补偿的带隙基准核心电路以及高阶温度补偿电路。本发明采用NPN三极管基极串联电阻技术来抑制NPN三极管基极电流对带隙基准源电路输出电压影响，采用两个NMOS管工作在亚阈值区的栅源电压之差产生的正温度系数电流以及NPN三极管基极‑发射极电压在电阻上产生的负温度系数电流等技术实现的两个高阶温度补偿电流来补偿带隙基准源电路输出电压的温度高阶非线性，进而获得高阶温度补偿的带隙基准电压，从而实现一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114705919B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210209200.2
申请日：2022-03-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的电感电流检测电路，包括偏置电路、预放大级电路、第二放大级电路、第三放大级电路及输出级电路。本发明采用三极管Q1与三极管Q3、三极管Q2与三极管Q4分别构成达林顿输入管，减少所述预放大级电路的输入失调电压；采用传输门T1、传输门T2、传输门T3及传输门T4技术，且外部电感电流方向决定此4个传输门开启，使得所述第二放大级电路实现双端输入单端输出，同时采用所述第三放大级电路与所述预放大级电路、所述第二放大级电路构成负反馈系统且采样外部电感电流信号的技术，提高电路对电感电流的采样精度，从而在所述输出级电路的输出端VOUT产生用于电源管理芯片的电感电流的检测信号。
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公开(公告)号：CN110798201B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201911197548.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 本发明请求保护一种高速耐压电平转换电路，包括电平转换核心电路及输出反相器等。本发明采用由NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M11、PMOS管M12等6个MOS管作为输入驱动管以及由交叉耦合对管PMOS管M7、PMOS管M8构成锁存器等技术实现高速转换性能，采用MOS管堆栈结构提高电路耐压性能，同时输出反相器中PMOS管M15的源极接外部高电源2VDD以及NMOS管M16的源极接外部低电源VDD，从而实现一种高速耐压的电平转换电路。
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公开(公告)号：CN116073651A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310003736.3
申请日：2023-01-03
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，属于微电子技术领域，包括充电电流补偿电路、电荷泵核心电路及放电电流补偿电路。本发明采用MOS管M13～M15及放大器OP2构成低电压区域充电电流IUP补偿电路，提高低电压区域IUP匹配范围，采用放大器OP5、PMOS管M19及传输门T1构成高电压区域IUP的补偿电路，提高高电压区域IUP匹配范围，采用MOS管M16～M18及放大器OP3构成高电压区域放电电流IDN补偿电路，提高高电压区域IDN匹配范围，采用放大器OP4、NMOS管M20及传输门T6构成低电压区域IDN的补偿电路，提高低电压区域IDN匹配范围，进而提高充/放电电流匹配范围，实现宽匹配范围电荷泵。
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公开(公告)号：CN114489222A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210125137.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源芯片的带隙基准电路，包括启动电路、带隙基准核心电路及温度补偿电路。本发明采用电流镜及电流源的嵌位技术使得NPN三极管Q1及NPN三极管Q4具有相同的集电极电压及相同的基极电压，使得电阻R5支路及电阻R6支路上流过相等的正温度系数电流，进而在电阻R4与电阻R5上产生正温度系数电压并与NPN三极管Q2的基极‑发射极电压产生一阶带隙基准电压；采用NPN三极管的基极与发射极短接技术获得反偏PN结，利用反偏PN结的饱和电流产生高阶温度补偿电流并对一阶带隙基准电压进行高阶温度补偿，从而实现一种用于电源芯片的高性能带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN112787503A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110017481.7
申请日：2021-01-07
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种电流可修调的自适应自偏置电荷泵，包括可修调自适应偏置电路及电荷泵核心电路等。本发明可修调自适应偏置电路采用NMOS管M3栅极与电荷泵输出端相连接产生自适应电荷泵输出电压的偏置电流，采用输入端SL1、输入端SL2及输入端SL3分别控制NMOS管M8、NMOS管M9及NMOS管M10的栅极进而产生可修调的偏置电流；电荷泵核心电路中误差放大器op1与误差放大器op2均采用单位增益连接且与4个NMOS开关管及4个PMOS开关管实现自举技术消除电荷泵的电荷共享效应，同时误差放大器op1与误差放大器op2采用并联连接提高电流驱动能力，从而实现一种电流可修调的自适应自偏置电荷泵。
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