室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法

    公开(公告)号:CN103602945A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310578315.X

    申请日:2013-11-15

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法,其特征在于:将表面覆盖有单质银薄膜的基底材料放入UV-O3反应器中,保持体系的相对湿度为30~90%,在氧气或空气存在的条件下,10~40℃反应1~2小时,即可在基底表面原位制得AgxO(AgO或Ag2O)半导体薄膜材料,所述的UV-O3反应器即UV-O3清洗机。该方法反应过程不需要使用任何溶剂、表面活性剂或其它化学添加剂,操作简单,低能耗,制作成本低,具有广阔的工业应用前景。

    基于In2S3网状纳米晶阵列与P3HT杂化薄膜的太阳能电池器件

    公开(公告)号:CN102169962B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201110057346.1

    申请日:2011-03-10

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 一种基于In2S3网状纳米晶阵列与P3HT杂化薄膜的太阳能电池器件。它是在具有纳米金属铟表面的ITO玻璃上原位反应制得网格状硫化铟纳米晶阵列并与P3HT复合后组装的薄膜太阳能电池器件。制法是:把具有纳米金属铟表面的ITO基底材料、单质硫粉及无水乙醇溶剂共置于反应釜中,在140℃-180℃直接反应12或24小时,在ITO基底材料表面原位制得具有纳米网状结构的硫化铟纳米晶阵列薄膜,反应结束后,自然冷却至室温,最后产物依次用去离子水和无水乙醇清洗,在真空50℃下烘干;然后将制备的硫化铟薄膜在氩气保护下旋涂P3HT,最后蒸镀一层Al或Au电极,即组装成太阳能电池器件。本方法成本低,克服了物理气相沉积法、喷涂裂解法、热蒸发法等方法制备工艺复杂的缺点,环境友好。

    一种低温下控制合成片状CuxSy纳米晶光电薄膜的化学方法

    公开(公告)号:CN101792173B

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201010111403.5

    申请日:2010-02-08

    Abstract: 本发明提供了一种低温下控制合成片状CuxSy纳米晶光电薄膜的化学方法。其方法是首先将硫粉加入到容器中,然后加入有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺或无水乙醇,有机溶剂的体积大于容器容积的一半,在0~60℃温度恒温放置1小时,使溶解的硫粉在有机溶剂中达到饱和,再将具有新而洁净金属铜表面的基底材料水平置于容器底部并避免与硫粉直接接触,在0~60℃下反应5~24小时,产物用无水乙醇洗涤,于室温干燥后,即在基底材料金属铜的表面原位制得片状结构CuxSyx∶y=1~2纳米晶组成的大面积薄膜材料。本发明的方法低温低能耗、简单、绿色环保、适于大面积工业生产、不需要任何模板,不需要添加任何表面活性剂,不必经过除杂等繁琐的后处理操作。

    一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法

    公开(公告)号:CN101786650B

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:CN201010111402.0

    申请日:2010-02-08

    Abstract: 一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法。该方法先将硫粉加入到容器中,然后加入有机溶剂,有机溶剂的体积大于容器容积的1/2,再将具有洁净金属银表面的基底材料倾斜或水平置于容器底部,避免与硫粉直接接触。把其基底材料和硫粉沉浸于溶剂液面之下,在20~60℃温度反应4~184小时,反应物中单质硫粉的浓度保持在饱和状态,即在具有洁净金属银表面的基底材料表面原位制得片状硫化银纳米晶组成的薄膜材料,产物用无水乙醇洗涤,室温干燥即可。获得具有洁净金属银表面基底材料的方法,是将具有金属银表面的基底材料置于无水乙醇中,用超声波清洗器清洗3分钟后浸泡于DMF或无水乙醇中待用。本方法低温、低能耗、方便快捷,便于工业化生产。

    基于In2S3网状纳米晶阵列与P3HT杂化薄膜的太阳能电池器件

    公开(公告)号:CN102169962A

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN201110057346.1

    申请日:2011-03-10

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 一种基于In2S3网状纳米晶阵列与P3HT杂化薄膜的太阳能电池器件。它是在具有纳米金属铟表面的ITO玻璃上原位反应制得网格状硫化铟纳米晶阵列并与P3HT复合后组装的薄膜太阳能电池器件。制法是:把具有纳米金属铟表面的ITO基底材料、单质硫粉及无水乙醇溶剂共置于反应釜中,在140℃-180℃直接反应12或24小时,在ITO基底材料表面原位制得具有纳米网状结构的硫化铟纳米晶阵列薄膜,反应结束后,自然冷却至室温,最后产物依次用去离子水和无水乙醇清洗,在真空50℃下烘干;然后将制备的硫化铟薄膜在氩气保护下旋涂P3HT,最后蒸镀一层Al或Au电极,即组装成太阳能电池器件。本方法成本低,克服了物理气相沉积法、喷涂裂解法、热蒸发法等方法制备工艺复杂的缺点,环境友好。

    银铜硒三元化合物树枝晶薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102102224A

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN201110002485.4

    申请日:2011-01-07

    Abstract: 一种银铜硒三元化合物树枝晶薄膜材料及其制备方法。该材料为生长在银箔片基底上的AgCuSe树枝晶薄膜材料。其制法是把生长在银箔片基底上的树枝状Ag2Se纳米晶薄膜依次在硒粉与水悬浮液和纳米铜粉与氨水悬浮液中浸泡,经过室温化学反应,银箔片基底表面的树枝状Ag2Se纳米晶薄膜直接转化成高纯度的AgCuSe三元化合物树枝晶薄膜。本发明通过纳米材料形貌复制,原位反应制备AgCuSe树枝晶薄膜材料,避免了其它湿法化学反应制备所造成的产品不纯的现象。该法获得的AgCuSe三元化合物为化学计量整比,晶体具有三维树枝状结构。本法通过室温反应即获得目标产物,克服了高温法、电化学法等高耗能、工艺复杂的缺点,且不需要用到任何表面活性剂及其它添加剂,便于工业化生产和推广。

    一种气氛保护样品瓶
    47.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208248767U

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201820475491.9

    申请日:2018-04-04

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本实用新型涉及一种气氛保护样品瓶,包括瓶盖和瓶体,所述瓶体的瓶口为螺旋口设计,所述瓶盖包括与所述瓶体螺旋口相匹配的内盖,所述内盖的顶面设置三通管,所述三通管的一端连通瓶体、一端连通抽气泵或惰性气体瓶、一端插设有螺旋塞,所述螺旋塞可在所述三通管内旋转并移动,用作所述瓶体与瓶盖上三通管的通气口之间接通/关闭的控制阀门。本实用新型气氛保护样品瓶通过特殊的瓶盖设计,能够实现反复多次对药品试剂和实验样品的密封保存、真空保存和气氛保存。

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