公开(公告)号：CN103602945A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310578315.X

申请日：2013-11-15

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  魏杰 ,  雷岩 ,  贾会敏 ,  王捷 ,  葛素香

IPC: C23C8/12 ,  C23C14/22 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法，其特征在于：将表面覆盖有单质银薄膜的基底材料放入UV-O3反应器中，保持体系的相对湿度为30～90%，在氧气或空气存在的条件下，10～40℃反应1～2小时，即可在基底表面原位制得AgxO（AgO或Ag2O）半导体薄膜材料，所述的UV-O3反应器即UV-O3清洗机。该方法反应过程不需要使用任何溶剂、表面活性剂或其它化学添加剂，操作简单，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。

公开(公告)号：CN103602945B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201310578315.X

申请日：2013-11-15

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  魏杰 ,  雷岩 ,  贾会敏 ,  王捷 ,  葛素香

IPC: C23C8/12 ,  C23C14/22 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法，其特征在于：将表面覆盖有单质银薄膜的基底材料放入UV-O3反应器中，保持体系的相对湿度为30～90%，在氧气或空气存在的条件下，10～40℃反应1～2小时，即可在基底表面原位制得AgxO（AgO或Ag2O）半导体薄膜材料，所述的UV-O3反应器即UV-O3清洗机。该方法反应过程不需要使用任何溶剂、表面活性剂或其它化学添加剂，操作简单，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。