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公开(公告)号：CN100530607C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710188564.2
申请日：2007-12-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/477 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种制备透明ZnO基薄膜晶体管阵列的方法，该方法采用四次剥离工艺的制备过程，用射频磁控溅射技术生长ZnO基薄膜并在氧气中对ZnO基薄膜进行退火处理以提高其电学性质。该薄膜晶体管阵列采用ITO、ZnO:Al或ZnO:Ga等透明导电薄膜作为栅、源、漏电极，用SiO2、Al2O3、SiNX等薄膜作为绝缘层。实验得到ZnO基薄膜晶体管阵列在可见光波段的透过率达到85%，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。
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公开(公告)号：CN100530510C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710017858.9
申请日：2007-05-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了可在低气压条件下工作的无电极射频感应耦合等离子体放电式原子源，包括射频功率源和与射频功率源相匹配的网络，还包括屏蔽壳体，屏蔽壳体内的中央有放电反应室，放电反应室外壁上环绕射频感应线圈，放电反应室与屏蔽壳体上的反应气体口连通，放电反应室另一端有屏栅、加速栅和减速栅构成的三栅极引出系统，三栅极引出系统前端还安装有偏转极板，屏蔽壳体外还设有中和器。具有无污染、低粒子束能(＜500eV)、束均匀性好(径向束流不均匀性＜±5%)等优点。正常工作本底真空度＜10-4Pa，工作时反应室真空度＜10-2Pa，可用于Ar、N2、O2、NH3、NO等工作气体的离化，气体利用率＞80%。该原子源采用不同引出方式，可在原子源和离子源间切换。
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公开(公告)号：CN100485892C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710017537.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开了一种利用氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法，该方法在氧气和氨气的混合气氛中沉积氮掺杂ZnO沟道层薄膜，氨气掺杂可以在较低的温度下沉积高阻ZnO沟道层薄膜，少量氮离子的掺入降低了n型载流子浓度，同时薄膜晶体管仍保持较高的电子迁移率，本发明的方法能够制备ZnO、ZnMgO、Zn-Sn-O或Zn-In-O增强型沟道层薄膜晶体管。制备过程简单、可控性好、和低温TFT工艺兼容性好，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。
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公开(公告)号：CN119361396A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411502777.8
申请日：2024-10-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种宽束高亮度场发射电子源及其制备方法，在衬底上生长有GaN外延层，在所述GaN外延层上生长有SiO2层，在所述SiO2层之上依次沉积第一SiN介质保护层、单晶金和第二SiN介质保护层，在单晶金和GaN之间设有电极，底部的外延层为发射阴极，顶部的单晶金层为接收极，中间的空气沟道通过BOE溶液刻蚀得到，空气沟道的长度与SiO2层的厚度相当。本发明可以在大幅降低发射电子所需电压的同时兼顾稳定的发射电流。更重要的是，该器件的结构实现工艺较为简单高效，成本低廉，通过BOE溶液进行的湿法刻蚀形成空气沟道，兼具保持较好的适合大规模的器件集成的能力。
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公开(公告)号：CN119009683A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411086321.8
申请日：2024-08-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种激光器阵列和光导开关阵列组合的封装结构，属于脉冲功率技术领域。包括绝缘封装壳，内部设有分隔板，分隔板上阵列开设有多个通孔；多个激光器单元阵列设置在激光器基板内；多个光导开关单元阵列设置在光导开关衬底内；激光器基板和光导开关衬底分别对应围绕在绝缘封装壳的上方和下方形成多通道光导开关的垂直封装结构；每个激光器单元通过一个所述通孔与一个所述光导开关单元一一对应，当每个激光器单元垂直腔面发射激光后，通过一个所述通孔被一个所述光导开关单元接受形成多导电通道结构。本发明解决了现有的光导开关及其触发激光这一整体系统的集成度较低、无法封装、输出电流为kA量级及开关寿命仅数百次问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380639B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110579209.8
申请日：2021-05-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/02 , H01L21/324 , B08B7/00
Abstract: 本发明公开了一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法，通过在键合真空腔内设置射频电极和气源，采用移动承载台，在移动承载台上设置有键合承载台，键合承载台上设置有两个对称设置的样品承载台，样品承载台与键合承载台通过移动转台连接，移动转台能够在键合承载台上滑动，样品承载台与移动转台转动连接，样品承载台上端用于固定预键合晶圆，键合真空腔能够在键合真空腔和退火真空腔之间移动，形成相对固定的能够在独立空间内进行低温处理和退火处理的空间，能够实现在低温环境下进行，退火真空腔内的退火加热装置气体沉积原子层来避免不易键合界面的晶格失配，最后经过热退火处理装置对晶圆进行热退火，从而获得高质量的键合界面和键合强度。
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公开(公告)号：CN112908807B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110040605.3
申请日：2021-01-13
Abstract: 本发明涉及光电阴极技术领域，尤其涉及一种光电阴极及其应用。本发明提供的光电阴极，包括依次层叠设置的光电发射材料层、内表面增透膜、光入射窗和外表面增透膜；所述内表面增透膜包括层叠设置的高折射率材料层和低折射率材料层；所述内表面增透膜的层数≥2；所述高折射率材料层的折射率与所述低折射率材料层的折射率之间的差值≥0.2；所述光电发射材料层的光电发射材料中包括Sb元素和/或Te元素。本发明所述光电阴极在宽波段或特定波段具有较高的增透效果。
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公开(公告)号：CN116490045A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310424662.0
申请日：2023-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/六方氮化硼异质结的制备方法，通过对目标基底进行清洗处理，然后将清洗后的目标基底表面改为亲水性，得薄膜能够很好平铺在基片表面，褶皱减少，在亲水性的目标基底表面设置一层六方氮化硼；在待转移的石墨烯薄膜表面旋涂一层PMMA，然后将其漂浮在去离子水中，在去离子水表面作用力下，石墨烯薄膜基于PMMA能够舒展开，然后使用表面设置有六方氮化硼的目标基底在去离子水中与旋涂有PMMA层的石墨烯薄膜贴合，从而得目标基底和石墨烯薄膜平展贴合，然后在阶梯温度下烘干加热，缩短基片与样品的间距，裂纹面积减小；最后通过退火处理，不仅减少PMMA残留，还能使得薄膜与基底接触更紧密。
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公开(公告)号：CN115728870A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211477915.2
申请日：2022-11-23
Abstract: 本发明提供了一种上或/和下转换荧光的高性能耦合传输装置及其应用，属于光耦合传输技术领域。沿信号光入射方向，本发明提供的装置包括依次设置的窗口层、光学耦合微腔阵列和光纤光锥；所述光学耦合微腔阵列为若干个微腔形成的二维阵列；沿信号光入射方向，所述微腔的横截面的面积梯度增大，单个微腔的空腔内填充有上或/和下转换发光材料，所述上或/和下转换发光材料为将信号光转换为可见或/和短波近红外荧光的材料；沿信号光垂直方向，单个微腔的侧壁自外至内包括依次叠层设置的光学支撑层、金属反射膜和介质保护膜；所述光纤光锥的光入射端面小于出射端面。本发明提供的装置荧光波段的量子效率高，能够实现荧光波段的高质量成像。
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公开(公告)号：CN111627783A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010511186.2
申请日：2020-06-08
Abstract: 本发明涉及光电阴极技术领域，尤其涉及一种透射式光电阴极及其制备方法和应用。本发明所述光电阴极通过外表面增透膜和内表面增透膜的设置，能够极大地提高阴极的光吸收率，进而提高阴极的量子效率。同时，将粘接膜和内表面增透膜进行区分，可以使阴极分为信号光透过的中央增透区和无须透过的周围粘接区，以保证信号光响应区域的光增透区无须承担粘接功能，而粘接区无须承担信号光的增透功能，因此在实现粘接的基础上能够极大地释放增透膜的应力，消除因粘接带来的一系列不利影响，使得其在蓝绿光及更短波段具有更高的光谱灵敏度；本发明还提供了所述光电阴极的制备方法，所述制备方法实现了粘接功能和增透功能的分离，从而降低了粘接的不利因素。
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