-
-
公开(公告)号：CN100560783C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810150774.7
申请日：2008-09-02
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种坡莫合金铁芯薄膜的制备方法，其特点是包括以下步骤：(a)用丙酮对Si(111)单晶进行超声清洗，然后用无水乙醇再超声清洗，用去离子水反复冲洗，干燥后将硅基片置于衬底台上；(b)将沉积系统抽真空后加热衬底，使硅基片温度升至200～300℃，并维持真空室压强；(c)离子束薄膜沉积系统的技术参数为：离子能量为850～900ev，离子束流密度为70mA/cm2，中和电流密度为90mA/cm2，离子束溅射角为45°，Ar工作气压为2.0×10-2Pa进行镀膜，镀膜时间为40～180min。由于采用离子束薄膜沉积技术，制备出的铁芯薄膜材料的直流相对磁导率由现有技术的760提高到105，矫顽力由现有技术的2.5Oe减小到0.1Oe。
-
公开(公告)号：CN101343723A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810150774.7
申请日：2008-09-02
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种坡莫合金铁芯薄膜的制备方法，其特点是包括以下步骤：(a)用丙酮对Si(111)单晶进行超声清洗，然后用无水乙醇再超声清洗，用去离子水反复冲洗，干燥后将硅基片置于衬底台上；(b)将沉积系统抽真空后加热衬底，使硅基片温度升至200～300℃，并维持真空室压强；(c)离子束薄膜沉积系统的技术参数为：离子能量为850～900ev，离子束流密度为70mA/cm2，中和电流密度为90mA/cm2，离子束溅射角为45°，Ar工作气压为2.0×10－2Pa进行镀膜，镀膜时间为40～180min。由于采用离子束薄膜沉积技术，制备出的铁芯薄膜材料的直流相对磁导率由现有技术的760提高到105，矫顽力由现有技术的2.5Oe减小到0.1Oe。
-
公开(公告)号：CN201435720Y
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200920033871.8
申请日：2009-07-10
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种含同相微分器的磁通门传感器激励电路，其特点是其特点是：电阻R1、电容C1和运算放大器A1连接成反相积分器，电阻R2、电容C2和运算放大器A2连接成同相微分器，积分器和微分器的输入端连接在一起，并与输入的方波信号端相连接，电阻R3、电阻R4、可调电阻W1和运算放大器A3连接成加法器，积分器的输出与加法器的一个输入端R3连接；微分器的输出与加法器的另一个输入端W1连接，加法器的输出端与磁通门的输入端之间连接电容Cp。该电路可以用于产生磁通门传感器的激励信号，在低功耗条件下降低磁通门的剩磁误差，且不需要激励电路工作在调谐状态。
-
公开(公告)号：CN201435719Y
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200920033870.3
申请日：2009-07-10
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种单运算放大器的磁通门传感器激励电路，其特点是电阻R9的一端与输入的方波信号端相连接，另一端与运算放大器A4的反相端连接，电容C3的一端与运算放大器A4的反相端连接，另一端与运算放大器A4的输出端连接，组成积分部分电路，电容C4的一端与输入的方波信号端相连接，另一端与运算放大器A4的同相端连接，电阻R10的一端与运算放大器A4的同相端连接，另一端接地，组成微分部分电路。该电路可以用于产生磁通门传感器的激励信号，在低功耗条件下降低磁通门的剩磁误差，且不需要激励电路工作在调谐状态。本实用新型的有益效果是，在经历磁场强度为10mT的冲击后，剩磁误差可达到0.5nT，消耗功率为42mW。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201859210U
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201020621376.1
申请日：2010-11-22
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种单铁芯磁通门以及磁通门单轴传感器，用于解决现有的磁通门铁芯加工困难的技术问题。技术方案是磁通门的铁芯是长条形，加工绕线更加方便，更能保证测量轴与安装轴的一致。采用长条形铁芯磁通门的单轴磁通门传感器，采用挡板和电路板固定方式，保证了可靠性和可维修性，也使引线焊接更为方便，成本较低；电路板的橡胶垫和顶丝上的橡胶垫以及柔性套管减小了铁芯所受的应力，提高了磁通门铁芯抗冲击能力。
-
-
公开(公告)号：CN201935996U
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201020621359.8
申请日：2010-11-22
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本实用新型公开了一种单铁芯磁通门以及磁通门三轴传感器，用于解决现有的三轴磁通门传感器加工困难的技术问题。技术方案是磁通门的铁芯是长条形，加工绕线更加方便，更能保证测量轴与安装轴的一致，降低了制造成本。采用长条形铁芯磁通门的三轴磁通门传感器，采用磁通门与传感器基座分离结构，降低了铁芯、线圈的加工、绕线和装配的复杂程度，保证了三个单轴磁通门相互垂直，三个单轴磁通门固定方便，提高了磁通门三轴传感器的可靠性和可维修性。
-
公开(公告)号：CN201859209U
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201020621360.0
申请日：2010-11-22
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种单铁芯磁通门以及磁通门双轴传感器，用于解决现有的双轴磁通门传感器绕线困难的技术问题。技术方案是磁通门的铁芯是长条形，加工绕线更加方便，更能保证测量轴与安装轴的一致。磁通门与传感器支架分离，降低铁芯、线圈的加工、绕线和装配的复杂程度，保证了两个轴之间的相互垂直和测量轴与外壳的一致性，提高了磁通门双轴传感器的可靠性和可维修性；电路板的橡胶垫和顶丝上的橡胶垫以及柔性套管减小了铁芯所受的应力，提高了磁通门铁芯抗冲击能力。
-
公开(公告)号：CN201435722Y
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200920033874.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种含反相微分器和反相放大器的磁通门传感器激励电路，其特点是电阻R1、电容C1与运算放大器A1连接成反相积分器，电阻R2、电阻R5、电容C2与运算放大器A2连接成反相微分器，电阻R6、电阻R7和运算放大器A5连接成反相放大器，电阻R3、电阻R4、可调电阻W1和运算放大器A3连接成加法器，积分器和微分器的输入端连接在一起，并与输入的方波信号端相连接，积分器的输出与加法器的一个输入端R3连接；微分器的输出端与反相放大器的输入端相连，反相放大器的输出端与加法器的另一个输入端W1连接，加法器的输出端与磁通门的输入端之间连接电容Cp。该电路在低功耗条件下降低磁通门的剩磁误差，且不需要激励电路工作在调谐状态。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.017 seconds)
