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公开(公告)号:CN102115426A
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN201010613154.X
申请日:2010-12-29
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C07C33/26 , C07C33/36 , C07C2601/14 , C07C2603/54 , G03F7/091
Abstract: 本发明披露了由以下化学式1表示的含芳香环化合物和包含所述化合物的抗蚀剂的下层组合物。在化学式1中,每个取代基与具体实施方式中定义的相同。所述含芳香环化合物可以具有优异的光学性能、机械特性和蚀刻选择性特性,并且可以利用旋涂涂覆方法应用。它对于利用短波长的光刻过程也是有用的,并显示出最小的残留酸含量。本发明还提供了利用抗蚀剂的下层组合物图案化器件的方法。[化学式1]
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公开(公告)号:CN102060980A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010242377.X
申请日:2010-07-29
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G2261/3424 , C08G2261/45 , C08G2261/76 , C08L65/00 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶下层聚合物、含有这种光刻胶下层聚合物的光刻胶下层组合物以及图案化器件的方法。该聚合物包括由以下化学式1表示的重复单元和/或由以下化学式2表示的重复单元。[化学式1] [化学式2]在以上化学式1或2中,每一取代基与在详细描述中定义的取代基相同。
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公开(公告)号:CN104024939B
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201280063124.3
申请日:2012-05-17
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 公开了用于彩色滤光片的光敏树脂组合物及使用其的彩色滤光片,该光敏树脂组合物包含:(A)含有选自由以下化学式1和2表示的化合物中的至少一种的方酸菁染料(squaraine dye)、(B)碱溶性树脂、(C)可光聚合单体、(D)光聚合引发剂、以及(E)溶剂。
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公开(公告)号:CN103901727B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201310239669.1
申请日:2013-06-17
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0233
Abstract: 本发明提供了一种正感光性树脂组合物、由其制造的有机绝缘膜和显示装置。所述正感光性树脂组合物包含:(A)选自包含由下列化学式1表示的重复单元的化合物和包含由下列化学式2表示的重复单元的化合物中的至少一种溶解控制剂,(B)聚苯并噁唑前体,(C)感光性重氮醌化合物,和(D)溶剂。[化学式1][化学式2]在化学式1和2中,各个取代基与具体实施方式中限定的相同。
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公开(公告)号:CN104756011A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201380055573.8
申请日:2013-03-26
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 提供一种黑色光敏树脂组成物以及一种使用该组成物的遮光层,该组成物包括(A)着色剂,其包括碳黑及卤化银;(B)粘结剂树脂;(C)反应性不饱和化合物;(D)光聚合化起始剂;及(E)溶剂。
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公开(公告)号:CN104570608A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410214041.0
申请日:2014-05-20
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/023 , C08G69/26 , C08G73/22 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/039
Abstract: 本发明公开了正型光敏树脂组合物、使用其制备的光敏树脂膜以及显示装置。所述正型光敏树脂组合物包含:(A)聚苯并噁唑前体,在端基处包括被约400nm至约550nm波长区的光分解并且酸化的官能团;(B)光敏重氮醌化合物;以及(C)溶剂。
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公开(公告)号:CN104122754A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201310546101.4
申请日:2013-11-06
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/092
Abstract: 本发明公开了抗蚀剂下层组合物、图案形成方法以及包括该图案的半导体集成电路装置。该抗蚀剂下层组合物包括包含由以下化学式1表示的部分的化合物和溶剂。在上述化学式1中,A1、A2、B1、R1、R2与具体实施方式中所定义的相同。[化学式1]
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公开(公告)号:CN102115426B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201010613154.X
申请日:2010-12-29
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C07C33/26 , C07C33/36 , C07C2601/14 , C07C2603/54 , G03F7/091
Abstract: 本发明披露了由以下化学式1表示的含芳香环化合物和包含所述化合物的抗蚀剂的下层组合物。在化学式1中,每个取代基与具体实施方式中定义的相同。所述含芳香环化合物可以具有优异的光学性能、机械特性和蚀刻选择性特性,并且可以利用旋涂涂覆方法应用。它对于利用短波长的光刻过程也是有用的,并显示出最小的残留酸含量。本发明还提供了利用抗蚀剂的下层组合物图案化器件的方法。
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