公开(公告)号：CN112552040A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011549712.0

申请日：2020-12-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  赵鹏 ,  陈菁菁 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种脉冲储能陶瓷材料及制备方法，包含主晶相和改性添加剂；主晶相化学通式为Sr0.35+xK0.25Bi0.35TiO3‑y wt.％MgO，其中0≤x≤0.05，0.1≤y≤5；改性添加剂为Er2O3、Nb2O5、Nd2O3、ZnO、MnCO3、SiO2中的一种或几种，其质量占整个脉冲储能陶瓷材料总质量的0.0～4.0％。配方中不含Pb、Cd等挥发性或重金属，采用A位过量和微量掺杂获得了结构致密的表面形貌。原材料在国内充足，价格低廉，使高性能脉冲储能陶瓷电容器的成本化成为可能，性能有较大提升：抗电强度由260kV/cm提升至305～345kV/cm，储能密度较高，较高的储能效率适于制作脉冲电容器的介质材料，能满足脉冲陶瓷电容器的制作要求。

公开(公告)号：CN108975911B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201810990286.0

申请日：2018-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  张星 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/465 ,  C04B35/453 ,  C04B35/48

Abstract: 本发明提供一种复相岩盐结构超低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，组成通式为Li3+aMg2‑b/3X1‑2b/3Yb+cO6+2c·dZ，X为Nb5+或Ta5+，Y为Ti4+、Sn4+或Zr4+，Z为ZnO或LiF，0.03≤a≤0.12，0.12≤b≤0.38，0≤c≤0.15，0wt％≤d≤5wt％，制备方法为按照通式配料，经过第一次球磨混合、干燥、过筛，预烧，再经过第二次球磨混合，干燥，造粒，排胶，在空气中烧结制成；其制成品的晶相为有序正交相岩盐结构和无序立方相岩盐结构的复合相；本发明提供的微波介质陶瓷材料在两种不同岩盐结构成分可调的情况下，呈现了较优异的性能：其相对介电常数εr在8.8～17.9之间可调，Q×f值为82000GHz～128000GHz，谐振频率温度系数τf在‑33ppm/℃～+11ppm/℃之间可调，制备工艺简单，并且性能稳定，满足现代微波器件的应用需求。

公开(公告)号：CN112194468A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011075136.0

申请日：2020-10-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  温擎宇 ,  杨鸿程 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介电常数、低介电损耗Ca‑Al‑B基微波介质LTCC材料及其制备方法。本发明将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料通过添加助剂使其可应用于LTCC领域，实现了850℃～900℃的低温致密烧结，介电常数5～6.2，损耗低至4.19×10‑4，频率温度系数‑30～‑20ppm/℃。CaAl2B2O7作为CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表，其研究仅限于发光性能以及晶体结构分析，在固相烧结中，其反应过程、物相组成以及微波介电性能与各个物相含量之间的关系均未具体研究。本发明为低介低损LTCC材料提供了一种具有优异性能LTCC材料的新选择。

公开(公告)号：CN108455986B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201810208464.X

申请日：2018-03-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨鸿程 ,  张树人 ,  钟朝位

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种复合微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料化学式为Zn0.15+0.35xTi0.55‑0.05xNb0.3+0.7xO2+2x(x＝0.2‑0.8mol)，其原料组成为ZnO、TiO2、Nb2O5，通过固相法制得；具有中等介电常数(40‑84)，低损耗(1.10×10‑4‑3.02×10‑4)，频率温度系数近零。通过调节x数值调节两相的含量，在保证低的烧结温度的同时，起到改善微波介电性能的作用。适用于多层介质谐振器、微波天线、微波电容器、滤波器等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN110451951A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910844826.9

申请日：2019-09-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  刘帅 ,  张星 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种中温烧结微波MLCC陶瓷材料及制备方法，包括BaO-Nd2O3-TiO2主料、第一添加剂NdAlO3、第二添加剂复合氧化物和第三添加剂，首先合成BaO-Nd2O3-TiO2主料，然后合成第一添加剂，再合成第二添加剂，再将第一、二、三添加剂添加到主料中，经球磨、干燥、过筛、造粒、成型和排胶处理后在空气中于1080～1150℃下烧成，本发明提供的中温烧结微波MLCC陶瓷材料，经检测具有低损耗，较高的Q×f值，近零的电容温度系数，高的介电常数以及高的抗电强度和良好的工艺稳定性。

公开(公告)号：CN109650871A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201910084152.7

申请日：2019-01-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  尚勇 ,  唐斌

IPC: C04B35/44

Abstract: 一种ZnAl2O4陶瓷体系材料及其制备方法，属于陶瓷材料及制备技术领域。本发明材料包括质量分数60％～70％的玻璃和质量分数为30％～40％的氧化铝；所述玻璃为钾铝硼硅系玻璃和锌硼硅系玻璃的混合物，其中钾铝硼硅系玻璃的质量分数为30％～56％，锌硼硅系玻璃的质量分数为12％～35％；玻璃和氧化铝经混合、干燥、成型后低温烧结(810℃～850℃)制得。本发明制得ZnAl2O4陶瓷体系材料的介电常数为4.65～4.98，Q×f值为4746～7360GHz，热膨胀系数为4.7～5.6ppm/℃，抗弯强度为150～202Mpa。本发明相比现有ZnAl2O4基陶瓷材料明显降低了烧结温度，能够兼容LTCC技术用于电路集成，并且介电性能和机械性能优异，同时制备方法简单、原料成本低，与传统玻璃陶瓷的制备工艺基本相同，具有良好的工艺稳定性。

公开(公告)号：CN109516799A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201910057967.6

申请日：2019-01-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  李欣源 ,  唐斌

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C03C3/062 ,  C03C3/064 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091

Abstract: 一种具有高温度稳定性的高介陶瓷电容器材料及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该陶瓷材料包括基料和掺杂料，所述基料的晶相为SrTiO3，所述掺杂料包括占基料质量分数0.03％～0.35％的Nb2O5，0.02％～0.40％的Ta2O5，0.10％～0.50％的Li2CO3，0.05％～0.35％的CaCO3，0.03％～0.40％的SiO2，0.02％～0.40％的Al2O3和0.05％～0.35％的MnCO3；所述掺杂料与基料经混合、成型、于还原性气氛中烧结，最后经氧化热处理制得。本发明制备出的陶瓷材料在-55℃-150℃具有较好的温度稳定性，电容温度变化率ΔC·C-1(-55℃～150℃)在±10％以内，符合X8P标准；并且材料的介电常数为16000～19000，损耗值在2.5％以下，绝缘电阻率在1011Ω·cm，非常适用于高品质单层陶瓷电容器的制作。

公开(公告)号：CN107188557A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710404102.3

申请日：2017-06-01

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  赵昱 ,  谢林杉

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷及其制造领域。本发明陶瓷材料包括将质量百分比为96.4％～97.6％的(CaLiSm)TiO3体系陶瓷和质量百分比为2.4％～3.6％的掺杂剂，经过球磨混合、造粒、成型、排胶和烧结制成主晶相为CaTiO3的微波介质陶瓷材料。本发明在不显著降低品质因数的同时实现了频率温度系数调节至接近于零，且使得介电常数可调；抑制陶瓷材料中锂的挥发，缓解了晶粒异常增长的现象，进而提高了陶瓷材料结构的致密度；同时，本发明陶瓷材料工艺简单，烧结温度范围较宽，具有良好工艺适应性，易于工业化生产，有利于满足微波通信行业需求。

公开(公告)号：CN105272362B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201510760933.5

申请日：2015-11-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  陶煜 ,  唐斌

IPC: C04B41/50 ,  C04B41/85

Abstract: 本发明提供一种晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料及其制备方法，涂覆料组分包括：Cu2O：3～9mol％；B2O3：20～25mol％；SiO2：48～60mol％；MnO2：1～4mol％；La2O3：15～20mol％，涂覆料浆料通过采用溶胶凝胶法制备的超细粉体添加增塑剂和消泡剂后在控制PH值的前提下进行球磨制得，本发明涂覆料避免使用含Pb的掺杂剂，制得的半导体陶瓷片介电常数εr为26000～35000，损耗tgδ值为0.4％～1.0％，电容温度变化率△C/C(％)(‑55℃～125℃)在±15％以内，该涂覆料具有均匀细小的颗粒度，制备方法简便，工艺容易控制，对晶界层半导体陶瓷片性能具有决定性的作用。

公开(公告)号：CN105837213A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610188438.6

申请日：2016-03-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  陈鹤拓 ,  熊喆 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明提供一种添加ReAlO3的微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料化学通式为Ba3.75Nd9.5(Ti1?xCx)18O54+y wt％ReAlO3，C＝MN，其中x为摩尔含量比例，0.03≤x≤0.06，2≤y≤9，y是在Ba3.75Nd9.5(Ti1?xCx)18O54的基础上外加的ReAlO3的质量百分比含量；M代表价态高于四价的Nb，N代表价态低于四价且离子半径与Ti相近的Zn,Co,Ni,Mg,Al中一种元素，M和N同时取代，Re为Nd,Sm,La,Ce其中的一种；制备方法包括配料、分别经过球磨混合，两相分别在1100～1150℃和1450?1500℃下预烧，然后在1400～1450℃下烧结制成；制得的材料介电常数较高，频率温度系数可调同时保持较高的Q×f值，配方中不含Pb、Cd等挥发性或重金属，性能上实现了大幅提升，且原材料在国内供应充足，价格低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。