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公开(公告)号：CN113985334A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111311767.2
申请日：2021-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种磁共振扫描图像信噪比的评估方法，应用于磁共振领域，针对现有技术没有针对ROI的选取过程和方法进行精准量化，导致得到的SNR精确度较低的问题，本发明通过建立不同ROI占比与SNR的关系，得到SNR最大的ROI面积占比；然后对磁共振扫描得到的两张合成图像，分别寻找各自最优的ROI面积占比，通过求两张合成图像各自的ROI区域的信号均值S；以及求得两张合成图像各自的ROI区域相减后的背景数据均值Sc；根据SNR＝1.414*S/Sc求得合成后图像在ROI区域的SNR。
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公开(公告)号：CN111385233B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010094685.6
申请日：2020-02-16
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明属于散射通信技术领域，公开了一种适用于散射通信系统的副峰抑制定时同步方法及应用，首先利用中心对称的序列在中心位置处相关性最大的特点设计训练序列，并利用CAZAC序列优良的自相关互相关特性，将传统的四块训练序列改为两块，避免滑动窗口滑动过程中因序列内部偶对称性出现副峰。其次采用多个度量函数的乘积作为最终度量函数，只有在正确的定时点三个对称关系才能同时达到峰值；在正确定时点附近及其他点，对称关系将被破坏，三个对称关系不会同时出现峰值，度量函数值为零或接近零，得到的定时度量函数只在正确定时点有一个脉冲状峰值。本发明解决了传统算法平台效应、Minn算法峰值多且不尖锐和Park虚假峰值缺陷。
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公开(公告)号：CN113937155A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111150529.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法，该组份渐变复合势垒层HEMT器件，包括SiC衬底/Si衬底、AlN成核层、中部厚度大于两侧厚度的GaN沟道层、AlN插入层、渐变Al组份AlGaN势垒层、与渐变Al组份AlGaN势垒层相邻且厚度相同的固定Al组份AlGaN势垒层、源电极、漏电极、栅电极和钝化层。本发明利用三族氮化物的极化效应，在栅下采用了渐变Al组份AlGaN势垒层，能够有效调节栅下半导体的能带结构，增加了势垒高度，降低了栅泄漏电流；同时在非栅势垒区采用了固定Al组份AlGaN势垒层，能保持沟道区高电子浓度，最终达到降低栅泄漏电流的同时保持漏极输出电流处于较高水平的效果。
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公开(公告)号：CN113030814B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110253687.X
申请日：2021-03-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种磁共振K空间数据校正的方法，应用于磁共振K空间数据处理领域，针对现有技术缺少K空间数据拼接的具体实现方法，本发明对拼接后的K空间数据进行增益与相位补偿，具体的：将三个不同增益参数下的K空间数据通过增益差校正与补偿，归一化到同一个接收增益水平；再对增益补偿后的K空间数据进行相位差校正与补偿。
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公开(公告)号：CN111343111B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010094691.1
申请日：2020-02-16
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明属于散射通信技术领域，公开了一种散射通信干扰抑制均衡方法、系统、介质、程序、通信系统，包括：MMSE频域均衡，将接收信号分块并进行FFT变换到频域，再对频域信号进行MMSE均衡，最后再按照之前的分块方式将信号通过IFFT转换到时域；基于LDPC译码反馈的噪声进行预测，对均衡后的信号做解交织、软解调和译码，然后将译码后的信号进行编码，调制后反馈回去，利用反馈的信号进行可靠性分析和噪声预测，之后将预测出的信号噪声进行消除；残留的码间干扰消除，将噪声消除后的信号进行软判决，对判决后的信号进行FFT变换来估算出残留的码间干扰并进行消除。本发明使得接收端误码性能得到明显的改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113675260A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110863565.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种基于线性缓变掺杂漂移层的GaN肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：从下至上依次层叠设置的阴极、GaN衬底、GaN缓冲层、GaN漂移层和阳极；其中，所述GaN漂移层为线性缓变掺杂GaN漂移层。通过引入线性缓变掺杂漂移层结构使得肖特基接触区域附近净载流子浓度减少，有效抑制阳极金属与GaN接触面处的峰值电场，提高器件的击穿电压。在适合的漂移层厚度下，与传统的垂直结构肖特基二极管相比，本发明提出的二极管在保证较大正向输出特性的同时，具有较高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN113671430A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110886221.3
申请日：2021-08-03
Abstract: 本发明公开一种提升信号动态范围的磁共振接收方法，应用于电子信息技术领域，针对现有技术存在的信号失真以及动态范围不理想的问题，本发明通过传统接收装置内部集成的自动增益控制的功能，简化了软件控制流程；并在接收装置数字域对ADC输出的数字信号进行增益补偿，相位补偿以及直流偏直补偿；实现了对幅值较小的信号进行更大的接收增益，对幅值较大的信号进行较小的接收增益的技术效果，并提高了磁共振接收信号的动态范围。
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公开(公告)号：CN113571589A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110843254.X
申请日：2021-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有隧穿场效应晶体管开态电流小和双极效应严重的问题。其包括源极、栅极、漏极、源区、沟道区和漏区，载流子通过源极进入沟道区并通过漏极离开沟道区，沟道区包括“一”部和“1”部，“1”部包括与“一”部连接的第一连接端，以及与第一连接端相对设置的第二连接端，第二连接端通过漏区连接漏极，“1”部的两侧设置有两个栅极，两个栅极与“1”部之间分别设置有两个第一异质介质，栅极和第一异质介质垂直于第二异质介质设置，且第一异质介质与第二异质介质的高度之和与“1”部相等，栅极与第一异质介质高度相等，“一”部两侧分别设置有两个源极。
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公开(公告)号：CN113359075A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110555694.5
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高性能磁共振成像谱仪，应用于电子信息技术领域，针对现有的谱仪存在的信噪比低的问题，本发明采用近场接收技术，可以有效降低磁共振信号在传输过程中的衰减和干扰；然后将一个窄带噪声混入磁共振射频接收信号，有效降低模数转换器在采样量化过程中由相干采样和量化误差引起的失真谐波幅值，提高谱仪接收机模数转换器的无杂散动态范围；本发明还通过序列扫描参数实时动态更新解决磁共振成像扫描过程中的动态增益优化问题。
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公开(公告)号：CN113347150A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110457772.8
申请日：2021-04-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于物联网技术领域，公开了一种隐私保护的物联网节点优选方法、系统、设备及终端，所述隐私保护的物联网节点优选方法包括：将未知节点的优选问题建模为多节点博弈的多臂赌博机问题，并将节点能力属性建模为能力度量参数；基于汤普森采样算法对能力度量参数进行训练过程，实现节点组的迭代选择；在迭代过程中，对节点能力参数进行更新，节点使用随机响应机制扰动其能力参数的反馈值，使得参数更新过程满足本地化差分隐私约束。本发明能够在无上下文背景的情况下，通过多次迭代选择出最优节点组，保证节点能力敏感属性不被泄露。实验结果表明，与已有技术相比，本发明具有高效性，是一种适应于多样化感知任务的差异化节点优选方法。
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