一种SAR ADC的低压超低功耗高精度比较器

    公开(公告)号:CN104253613B

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201410462018.3

    申请日:2014-09-11

    Abstract: 本发明涉及电子电路技术,具体涉及一种SAR ADC的低压超低功耗高精度比较器。包括前置放大器、可再生锁存器、检测器、比较器时钟发生器和传输门开关。单个可再生锁存器构成精度较低的粗比较器;前置放大器级联可再生锁存器构成精度较高的精比较器。给定一个电压范围,当比较器的输入电压落在电压范围之外,精比较器不工作;当其落在电压范围之内,精比较器工作。本发明的有益效果为,通过检测比较器输入电压的大小来选择不同精度的比较器工作,从而在不影响比较器精度的情况下降低比较器的功耗。本发明尤其适用于低压超低功耗SAR ADC。

    一种逐次逼近全差分模数转换器及其工作流程

    公开(公告)号:CN106603077A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611031377.9

    申请日:2016-11-22

    Abstract: 本发明属于模拟数字转换技术领域,尤其涉及一种逐次逼近全差分模数转换器及其工作流程。本发明基于共模电压复位的全差分结构分段DAC,提出一种新的电荷重分配电容的切换方式。对于普通逐次逼近模数转换器(SAR ADC),一个时钟周期内电容阵列只能切换一次,导致要求的时钟频率高,量化时间长。该切换技术通过分段电容以及流水线式电容切换方式,实现每次时钟周期都有两个数据比较结果,每个周期实现两个电容切换,每一次量化的结果为这一次高H位和上一次低L位的结果。从而达到在不影响SAR ADC精度的前提下提高速度。

    一种SAR ADC分段电容失配的校正方法

    公开(公告)号:CN104242935B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201410466887.3

    申请日:2014-09-15

    Abstract: 本发明基于具有分段电容阵列结构数模转换器DAC的电荷重分配型逐次逼近模数转换器SAR ADC,公开一种针对于DAC分段电容失配的模拟域校正方法。模数转换器包括DAC,比较器,SAR逻辑和校正逻辑,该方法在于校正算法采用基于传统切换规则的单端结构,不同于传统模拟前台校正技术,实时跟踪并校正DAC分段电容失配误差。校正逻辑控制DAC在分段位置进行两次切换,根据两次切换后比较器的比较结果调节低段电容阵列的权重,促使低段电容阵列权重之和收敛于高段电容阵列最低位(LSB)的权重。

    一种基于极值函数的采样时间失配校正方法

    公开(公告)号:CN106330185A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201610723210.2

    申请日:2016-08-25

    CPC classification number: H03M1/1009 H03M2201/63

    Abstract: 本发明针对时间交织模数转换器中通道间的采样时间失配问题,提供一种基于极值函数的采样时间失配校正方法。首先,引入一个参考通道,参考通道的采样时钟依次与时间交织的子通道对齐;然后,参考通道和子通道正常进行量化过程,筛选出参考通道的采样时钟与子通道时钟对齐时刻的输出作为校正所需的数据;然后,将筛选出来的数据对应相减,求绝对值,并累加求和,得到一个关于采样时间失配的极值函数,且该函数的极小值点为无采样时间失配的状态;然后,按照极值函数的函数值的变化,调节对应子通道的时钟延时,使极小值函数向极小值点方向收敛;最后进过数次迭代的过程,极值函数收敛于极小值点,采样时间失配得到校正。

    一种基于动态误差校正技术的电流舵型DAC

    公开(公告)号:CN106330184A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201610703346.7

    申请日:2016-08-22

    CPC classification number: H03M1/1071 H03M1/1095 H03M1/66

    Abstract: 本发明属于数模转换领域,特别涉及一种基于动态误差校正技术的电流舵型DAC。本发明通过高位电流源阵列拆分,而后利用105动态误差检测器检测拆分后的高位电流源的动态误差并通过107电流源匹配组合控制逻辑进行电流源阵列的重新组合,最后结合108随机译码器进行随机译码,显著提高了电流舵型DAC的动态性能。本发明的特点是摆脱了传统DAC中幅值校正算法仅仅校正电流源的幅度误差以及传统动态误差的校正算法经过重组优化后的高位电流源之间的匹配误差依然很大的问题,提高动态性能,最终提高了DAC的性能。

    电流舵数模转换装置
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103546157B

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201310504174.7

    申请日:2013-10-23

    Abstract: 本发明涉及电流舵数模转换装置,包括相连接的偏置数模转换器和数字逻辑控制单元,所述偏置数模转换器的输出端连接待校正数模转换器后,通过选通开关分别连接第一电流比较器和互换开关,其中第一电流比较器的输出端连接所述的数字逻辑控制单元,互换开关通过电流减法器,经第二电流比较器后连接数字逻辑控制单元,并且数字逻辑控制单元的控制端连接至所述互换开关的控制端。本发明通过具有选通窗口的方式来快速建立数模转换器结构,大幅度优化了数模转换器在数字校正过程中校正时间和功耗的消耗,克服了在数字校正过程中校正时间和功耗的消耗过大的问题,有效拓展了数模转换器的快速建立以及低功耗的应用。

    带数字校正的逐次逼近全差分模数转换器及其处理方法

    公开(公告)号:CN103281083B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201310187541.5

    申请日:2013-05-20

    Abstract: 本发明涉及模拟数字转换技术领域,其公开了一种带数字校正的逐次逼近全差分模数转换器及其处理方法,以校正电容阵列的失配误差,提高模数转换器的精度。该模数转换器,采用两个由相互匹配的开关电容阵列构成的DAC单元以全差分的形式接入比较器的正、负输入端;构成DAC的电容的失配误差通过数字校正技术消除:对输入信号进行两次量化,第二次量化时冗余电容取代被校正的单位电容参与量化,而被校正的单位电容则作为冗余电容,根据前后两次量化得到的数字码之差,修正被校正的单位电容的数字权重,使之逐渐收敛于其真实的模拟权重。两次量化得到的数字码的平均值作为ADC的输出。本发明适用于需要高精度的模数转换应用。

    栅压自举开关电路
    48.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103532534B

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201310424298.4

    申请日:2013-09-17

    Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有栅压自举开关电路电路占用面积较大且输入端容性负载也较大的问题,提供了一种栅压自举开关电路,其技术方案可概括为:栅压自举开关电路,其特征在于,包括栅压抬高电路、栅极充放电电路、输入缓冲电路及开关电路,所述栅压抬高电路与栅极充放电电路连接,输入缓冲电路与栅压抬高电路连接,栅极充放电电路与开关电路连接。本发明的有益效果是,大大减小了电路所占用的面积,减少了输入寄生电容,适用于栅压自举开关电路。

    动态模数转换器
    49.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103152053B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201310106848.8

    申请日:2013-03-29

    Abstract: 本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及一种动态模数转换器。本发明所述的动态模数转换器,包括采样保持电路、电压斜率转换电路、斜率数字码转换电路和时钟电路,所述采用保持电路与电压斜率转换电路连接,所述电压斜率转换电路与斜率数字码转换电路连接,所述时钟电路分别与采用保持电路、电压斜率转换电路和斜率数字码转换电路连接。本发明的有益效果为,整体架构简单,适合单端电路,无需内部基准和非交叠时钟,适用于极低功耗应用,并且不需要运放放大器,适合纳米级数字工艺,可通过数字单元来实现时间轴上的动态电压检测,数字单元随着工艺最小尺寸的减小,延迟越来越小,适用于高速应用。本发明尤其适用于数模转换器。

    一种带消隐功能的驱动电路

    公开(公告)号:CN105049030A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510451775.5

    申请日:2015-07-28

    Abstract: 本发明提出了一种带消隐功能的驱动电路,属于功率MOSFET驱动技术领域。包括驱动级模块、推挽输出级模块、功率管、消隐控制模块、消隐采样模块;所述驱动级模块的输入端连接输入驱动信号,输出端连接推挽输出级模块;所述推挽输出级模块输出端连接功率管的栅端、消隐控制模块和消隐采样模块;所述消隐控制模块连接输入驱动信号和消隐采样模块;所述消隐采样模块连接功率管的漏端;所述功率管的源端接地。本发明电路驱动级具有交错延时功能,避免了驱动级推挽输出PMOS管、NMOS管同时导通;同时,采样开关的使用结合消隐控制逻辑,解决了对片内功率MOSFET输出电流进行采样的毛刺问题,达到了消隐目的。

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