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公开(公告)号：CN112435972A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910789869.1
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：衬底，衬底的一侧为电路层；设置在电路层上的至少一个第一芯片，且每个第一芯片与电路层电连接；镶嵌在衬底上的印刷电路板，且印刷电路板外露在电路层一侧；且印刷电路板与至少一个第一芯片电连接；设置在印刷电路板的至少一个第二芯片，且每个第二芯片与所述印刷电路板电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在衬底中承载芯片，方便了芯片的设置，并且通过芯片可以通过印刷电路板、衬底直接散热，提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN112435929A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910790886.7
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本申请提供了一种功率模块的封装方法及功率模块，所述方法包括：在直接键合铜衬底上固定安装半导体芯片；在所述直接键合铜衬底上设置焊盘；利用银浆线连接所述焊盘与所述半导体芯片，并利用键合线连接所述焊盘与IGBT管。通过该方法，减少了键合线损坏的可能性，使得芯片集成度更高，实现了在芯片中包含上桥驱动、下桥驱动以及保护电路等其他电路。
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公开(公告)号：CN112151521B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910561676.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种功率模块及电子设备，功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片，固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写，且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序，以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露，使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性，进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号：CN112151521A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910561676.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种功率模块及电子设备，功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片，固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写，且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序，以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露，使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性，进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号：CN210668349U
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201920935952.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及电子器件技术领域，特别地涉及一种功率模块及电路系统。本实用新型提供的功率模块，通过将采样电阻集成于功率模块内部，简化外围电路，减小电路面积，使其构成集成度更高的模块，有效地减小导线长度，使得电路寄生参数更小，采样精度更高；同时，减小外部走线引起的杂散电感或者其他参数，影响采样准确性，减小外部其他信号的干扰。本实用新型提供的电路系统，由于包括上述的功率模块，因此也具备有上述的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210641225U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921166580.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种智能功率模块的散热结构及空调器，涉及空调技术领域。用于为控制板上的智能功率模块散热，包括：散热组件及支撑机构，所述散热组件可移动的设置于所述支撑机构内部；通过移动所述散热组件，以使所述散热组件与所述智能功率模块靠近或远离。本申请通过设置散热组件为智能功率模块散热，并且散热组件在支撑机构内部可以通过移动，来调节其与智能功率模块靠近或远离，实现调整散热片与智能功率模块的距离，使得散热片与智能功率模块保持接触，散热结构可随时为智能功率模块散热，提升智能功率模块的散热效果。
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公开(公告)号：CN112234030B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201910635287.8
申请日：2019-07-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/8252 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L27/02 , H01L27/088 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种三相逆变功率芯片及其制备方法，该制备方法包括在衬底上形成有源区和位于有源区之外的隔离区，在每个有源区中形成晶体管的源极、漏极和栅极，在隔离区形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，将芯片的源极、漏极和栅极均延伸至与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘，并将晶体管的源极、漏极和栅极和与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘电性连接。采用本发明提供的三相逆变功率芯片的制备方法制备的三相逆变功率芯片，提高了集成度且减小了芯片间的寄生电感，从而提高了电路的工作效率。
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公开(公告)号：CN112289755A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910668280.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种TO封装结构及封装方法，涉及芯片封装技术领域。其中，TO封装结构包括：壳体、基板及引脚，所述基板设置于所述壳体内，所述基板沿所述壳体的长度方向延伸；所述基板具有用于设置芯片的正面及反面，所述基板的正面与所述壳体的第一侧壁具有第一预设距离，所述基板的反面与所述壳体的第二侧壁具有第二预设距离，所述第一侧壁与所述第二侧壁相对设置；所述芯片连接有所述引脚。本方案中基板的两面均可以进行封装，能够使得每个壳体的使用面积得到提升，也就是每个壳体内的基板较现有技术可多封装芯片，有效降低了封装的成本，提高了壳体的利用效率。
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公开(公告)号：CN110718509A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810763291.8
申请日：2018-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电子元件封装结构及封装方法，涉及半导体器件技术领域，解决了现有技术封装保护层与芯片之间封装应力不匹配导致的芯片受损、失效的技术问题。该封装结构包括电子元件、保护层和应力缓冲层，应力缓冲层介于电子元件与保护层之间，且应力缓冲层能缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力。通过在电子元件与保护层之间设置应力缓冲层来缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力，减少电子元件的失效损坏，防止水汽入侵，隔绝离子污染，提高电子元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110504220A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910791503.8
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种功率器件封装方法及功率器件封装结构，涉及半导体技术领域，用于提高现有的封装器件的过流能力题。本发明的功率器件封装方法，通过将第一芯片远离第一框架的侧面与第二芯片远离第二框架的侧面相连，并将所述第一框架与所述第二框架相连，使第一芯片、第二芯片、第一框架和第二框架能够被一同塑封在一个壳体内形成封装结构，使单个封装结构的过流能力增加大，从而降低应用端的成本；此外，由于将第一芯片和第二芯片都塑封在壳体内，因此相比塑封单个芯片的封装结构，相当于减少了封装结构的数量，从而大大缩减应用端实际体积。
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