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公开(公告)号：CN110416065B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910688508.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括：采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层，然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层，并在NaI的辅助下，在600‑700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结。本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单，原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺，能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素，实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长。本发明提出了一种新的生长机制，能更加深入理解TMDCs垂直异质结在成核和动力学方面的生长过程，为基础研究和潜在的器件应用定义了一个多功能的材料平台。
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公开(公告)号：CN112590419A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011332570.2
申请日：2020-11-24
Applicant: 湖南大学
IPC: B42D25/328 , B42D25/405 , B42D25/41
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米复合结构的光学防伪标识，采用如下方法制得，采用如下方法制得，步骤一：制备纳米复合结构，所述纳米复合结构包括衬底以及衬底上方的金纳米结构层，衬底包括单晶硅片或金属氧化物制成，步骤二：纳米复合结构阵列组合成任意图形；步骤三：利用白光照射所述图形，对光进行明场与暗场区分，从而显示出不同的明暗场图案而实现光学防伪。本发明操作简单，难度小，实现可能性高，实际生产价值更大。
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公开(公告)号：CN104901156B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410080676.6
申请日：2014-03-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种亚波长近红外通信光放大器；特别涉及一种以(Yb/Er)2Si2O7单晶纳米线为增益介质的、亚波长近红外通信光放大器。本发明以一维微钠尺寸的稀土硅酸盐单晶纳米线作为增益介质，成功的制备出了微钠尺寸的、亚波长近红外通信光放大器；有效的解决了现有技术无法进行微纳米尺度范围内的光集成的难题。本发明所述稀土硅酸盐纳米线是化学式为(Yb/Er)2Si2O7、直径为500‑800纳米、长度为10‑80微米的稀土硅酸盐纳米线。该纳米材料的具体合成方法是以Au作为催化剂，Si粉或SiO2、无水YbCl3颗粒和无水ErCl3颗粒作为原料，采用化学气相沉积法制得。本发明所制备的稀土硅酸盐纳米线对于实现全光通讯以及光集成器件有极其重要的意义。
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公开(公告)号：CN105092079B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510571867.7
申请日：2015-09-10
Applicant: 湖南大学
IPC: G01K11/20
Abstract: 本发明涉及一种纳米荧光温度计及其制备方法；具体涉及一种稀土掺杂的纳米荧光温度计及其制备方法。本发明所设计的纳米温度计是粒度为50～200nm的荧光材料。其最佳制备方法为：将按设计的组分配取的可溶性铋盐、可溶性铒盐、TiO2粉末以及过量的NaOH作为原料，往原料中加入水后，混合均匀并移至反应釜中，于160℃以上进行水热反应12小时以上，洗涤、烘干，得到所述纳米荧光温度计。本发明的纳米温度计可用于微观环境下的温度检测，比如活体生物细胞的实时在线测量，在生物或其他相关产业中皆可大大提高检测的精度和适用范围。
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公开(公告)号：CN107145022A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710225767.8
申请日：2017-04-07
Applicant: 湖南大学
CPC classification number: G02F1/3551 , G02F1/353 , G02F1/37 , G02F2001/354
Abstract: 本发明涉及一种层状螺旋WS2二维纳米材料的应用，属于层状二维纳米材料微纳光电集成领域。所述应用包括将层状螺旋WS2二维纳米材料用作非线性光学晶体。将层状螺旋WS2二维纳米材料用作非线性光学晶体时，随着层状螺旋WS2二维纳米材料中层数的增加，其非线性光学性质呈叠加的光学效应。该非线性光学晶体的非线性光学信号极强可应用于纳米级功能性光电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103882514B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410071960.7
申请日：2014-02-28
Applicant: 湖南大学
IPC: C30B23/02 , C30B29/62 , C30B29/48 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明为一种化学气相沉积（CVD）一维半导体CdS/CdSSe异质结纳米线的制造方法，生长的纳米线长度为50-100微米，直径为80-400纳米。制备过程中利用一套反应源移动装置，需要将固体粉末源材料依次替换经过高温蒸发区域。本发明通过严格控制每阶段生长温度，生长时间，在反应源材料的替换过程中引入隔离时间来排空前一步反应的残余蒸汽，为异质结不同阶段的生长提供一个洁净的环境。本发明打破了传统CVD难于控制蒸发源生长异质结的技术难题，制备出了具有陡峭界面的CdS/CdSSe异质结纳米线。本发明工艺简单、操作简便、成本低廉，所的产品质量优良。
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公开(公告)号：CN103868595B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410079805.X
申请日：2014-03-06
Applicant: 湖南大学
IPC: G01J3/42 , G01N21/359
Abstract: 本发明公开了一种空间分离的泵浦-探测瞬态吸收光谱仪及实现方法，通过飞秒光源系统产生光源；通过分束镜实现泵浦光和探测光的分束；通过时间延迟线实现探测光不同的时间延迟；通过扫描反射镜组实现探测光在水平平面和竖直平面内的二维旋转和校准；校准是指保证经旋转过的探测光光束能够入射到物镜前段的光圈中；最后由数据采集系统获取探测光和泵浦光共同作用在样品上的二维成像。该空间分离的泵浦-探测瞬态吸收光谱仪及实现方法能实现极高的空间分辨，且能实现载流子、激子或等离激元的可视化探测。
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公开(公告)号：CN104695020A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510098082.2
申请日：2015-03-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种条状InAs纳米带及其制备和应用，属于半导体材料制备与应用技术领域。本发明所述InAs纳米带是化学式为InAs的条状纳米带，所述条状InAs纳米带的带宽为500nm-4μm；长度为5-50μm。本发明通过先沉积得到InAs纳米线，然后控制调整蒸气中In与As的摩尔比为100-1000:1，使得InAs纳米线在沿长度方向生长的同时也往宽度方向生长；得到了结晶质量高的条状InAs纳米带。本发明所设计以及制备的条状InAs纳米带用于集成半导体器件的制备时具有高迁移率、高集成度、好操作等方面的优势。
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公开(公告)号：CN104659652A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510076981.2
申请日：2015-02-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种波浪状纳米带及基于波浪状纳米带的纳米激光器阵列制备方法，通过大量的实验分析得出了如何控制生长过程中气氛条件，巧妙的实现了波浪状CdS纳米带的制备。微结构表征结果表明本波浪状CdS纳米带的形成是由厚度周期变化而引起，形成沿宽度方向具有三角形截面的纳米脊状结构，这些脊状结构沿纳米带长度方向周期排列而形阵列。利用纳米脊状结构形成的沿纳米带宽度方向的光学腔，当光在纳米带中波导时，光将被限域在这些纳米光学腔内，进而产生谐振激射。利用波浪状CdS纳米带在光激发下产生纳米激光器阵列，从而解决了常规表面平整的纳米带无法观察到沿宽度方向的光振荡，并实现基于纳米带的纳米波导腔和纳米激光器阵列。
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公开(公告)号：CN103882514A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410071960.7
申请日：2014-02-28
Applicant: 湖南大学
IPC: C30B23/02 , C30B29/62 , C30B29/48 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明为一种化学气相沉积（CVD）一维半导体CdS/CdSSe异质结纳米线的制造方法，生长的纳米线长度为50-100微米，直径为80-400纳米。制备过程中利用一套反应源移动装置，需要将固体粉末源材料依次替换经过高温蒸发区域。本发明通过严格控制每阶段生长温度，生长时间，在反应源材料的替换过程中引入隔离时间来排空前一步反应的残余蒸汽，为异质结不同阶段的生长提供一个洁净的环境。本发明打破了传统CVD难于控制蒸发源生长异质结的技术难题，制备出了具有陡峭界面的CdS/CdSSe异质结纳米线。本发明工艺简单、操作简便、成本低廉，所的产品质量优良。
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