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公开(公告)号：CN115032724A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210704770.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 清华大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本申请涉及一种双曲超材料的制备方法。所述方法包括：确定目标双曲区间，其中，该目标双曲区间为目标器件所工作的光波波段；根据该目标双曲区间，确定适用于该目标双曲区间的目标金属材料以及目标介质材料，并获取该目标金属材料的第一介电常数以及该目标介质材料的第二介电常数；确定待制备的目标双曲超材料的多个不同方向上的介电常数设计值，其中，该目标双曲超材料应用于该目标器件中；根据该第一介电常数、第二介电常数以及多个不同方向上的介电常数设计值，确定该目标双曲超材料的制备参数，并基于制备参数、目标金属材料以及目标介质材料制备该目标双曲超材料。采用本方法能够为工作于各波段的器件制备双曲超材料。
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公开(公告)号：CN113595631B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110807240.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种可调量子光源生成装置，包括：空间上分离的集成OAM发射器和可预报单光子源，其中，可预报单光子源在泵浦光作用下产生信号光子；所述信号光子作为被预报的光子耦合进集成OAM发射器中、并经集成OAM发射器转换为OAM模式后散射到自由空间；所述OAM模式为通过调节所述集成OAM发射器的参数、动态地调控信号光子的OAM模式的阶次。本发明将信号光子作为被预报的光子耦合进集成OAM发射器中、并经集成OAM发射器转换为OAM模式后散射到自由空间，通过调节所述集成OAM发射器的参数、动态地调控信号光子的OAM模式的阶次，实现了单光子OAM模式的阶次可调，能兼顾发射器和光源的设计，具有操控灵活性。
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公开(公告)号：CN114913944A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110172851.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种光人工神经网络血糖检测芯片及制备方法，用于血糖检测任务，本发明在硬件芯片上嵌入了人工神经网络，将硬件芯片上的光调制层作为人工神经网络的输入层和线性层，将硬件芯片上的光调制层对入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重，将硬件芯片上的图像传感器的平方检波响应作为人工神经网络的非线性层中的第一次非线性激活函数，本发明将血液空间不同点处的图像信息、光谱信息、入射光的角度和入射光的相位信息投影到硬件芯片的光电流响应中，并在处理器中实现电信号的全连接、非线性层中的第二次非线性激活函数以及输出层，从而实现了低功耗、安全可靠的快速准确、非侵入式的血糖检测。
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公开(公告)号：CN113205987B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110373997.5
申请日：2021-04-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01J37/073 , H01J37/065
Abstract: 本发明提供一种基于多层二维材料的平面光致电子发射源，包括泵浦源、阴极电源、栅极电源、电子收集器、范德华异质结，所述范德华异质结包括依次设置的石墨烯材料、绝缘二维材料、过渡金属硫化物材料，其中：所述泵浦源和过渡金属硫化物材料相互作用、用于过渡金属硫化物材料中的价电子发生跃迁；所述阴极电源与过渡金属硫化物材料相连接，所述阴极电源用于提供电子；所述栅极电源与石墨烯材料相连接，用于为栅极提供偏压，降低材料势垒；所述电子收集器用于收集所述范德华异质结发射的电子束。本发明实施例能够产生能散极低的电子束；利用多层二维材料实现平面电子源，有效减少电子在材料中的散射现象，降低了电子源的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113345007A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110519136.3
申请日：2021-05-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种转炉炉口自动定位方法、装置、电子设备及存储介质，包括：获取转炉处于不同角度下的原始转炉点云数据，得到转炉的原始转炉点云数据集；从所述原始转炉点云数据集中，筛选出存在法向量突变的转炉点云数据，得到炉口点云数据集；将所述炉口点云数据集中任一炉口点云数据作为配准基准点云，将所述炉口点云数据集中除所述配准基准点云外的其他炉口点云数据作为非配准基准点云，基于所述配准基准点云，对所述非配准基准点云进行配准，得到在配准基准点云坐标系下的炉口点云融合信息。通过本发明的方法，将炉口点云数据融合到同一坐标系下，可实现在转炉冶炼不停产的情况下，自动对转炉炉口实现快速精准定位，操作简单，测量效率高。
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公开(公告)号：CN111799640B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010591435.3
申请日：2020-06-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于受激放大相干Smith‑Purcell辐射的太赫兹辐射器，包括：电子发射源，用于发射电子束；泵浦源，用于发射泵浦信号，泵浦信号与一级光栅结构进行相互作用得到初步群聚电子；初步群聚电子与一级光栅结构进行相互作用产生相干Smith‑Purcell辐射；与泵浦信号在一级谐振腔结构内垂直谐振，使得电子群聚密度增大，进而使得相干Smith‑Purcell辐射增强；自由电子和相干Smith‑Purcell辐射形成正反馈过程，得到受激放大的相干Smith‑Purcell辐射和周期性群聚电子团。本发明实施例提供的太赫兹辐射器可以在小电流和大束斑的条件下实现受激放大现象。
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公开(公告)号：CN111679363B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010484964.3
申请日：2020-06-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及光子集成器件技术领域，公开了硅波导端面耦合结构及其制作方法。该结构包括由下至上依次叠放的衬底硅、氧化层、硅波导和氮化硅层，氮化硅层的端部构造为脊形结构以形成脊形氮化硅波导，脊形氮化硅波导用于与普通单模光纤端面耦合。该方法包括：利用绝缘体上硅衬底中位于衬底硅上表面氧化层之上的薄膜硅层制备硅波导；在硅波导与光纤耦合的一端制备成宽度逐渐收窄的尖锥结构以形成硅波导尖锥结构；在硅波导与氧化层上方沉积一层氮化硅层；通过对氮化硅层进行浅刻蚀制备出脊形结构以形成脊形氮化硅波导。本发明的脊形氮化硅波导变换模场可以与普通单模光纤匹配，适合硅光子芯片封装过程中硅波导与普通单模光纤的低损耗耦合。
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公开(公告)号：CN112563863A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011411950.5
申请日：2020-12-03
Applicant: 清华大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供的基于双曲超材料的片上太赫兹源及其制备方法，通过由等离子体频率覆盖太赫兹波段的材料与由在太赫兹波段呈现介质性的材料形成双曲超材料结构层，并在双曲超材料结构层的第一面设置狭缝光栅，在双曲超材料结构层的第二面设置电子束，使得双曲超材料结构层可以产生太赫兹辐射，并通过狭缝光栅提取为自由空间中的太赫兹辐射。使用双曲超材料结构层产生太赫兹辐射，可以实现较宽的太赫兹辐射频谱以及太赫兹源的小型化与片上集成化；太赫兹辐射由双曲超材料结构层与电子束中的电子形成的电磁场之间的作用产生，在电子束中电子的动能稳定的情况下可以实现太赫兹辐射的持续稳定输出。
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公开(公告)号：CN112018141A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010821286.5
申请日：2020-08-14
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例提供一种基于不同形状单元的微型光谱芯片，包括：CIS晶圆，光调制层，光调制层包括设置在CIS晶圆的感光区域表面的若干个微纳结构单元，每个微纳结构单元包括多个微纳结构阵列，每个微纳结构单元中、不同微纳结构阵列是由不同形状的内部单元组成的二维光栅。本案中的每个微纳结构单元中、不同微纳结构阵列具有的内部单元形状不同，各组微纳结构阵列对不同波长光的调制作用不同，充分利用“形状”这个自由度，得到对入射光丰富的调制作用，提高了光谱恢复的精度，并且可以降低单元的尺寸；利用基于不同形状的内部单元的二维光栅结构，具有对入射光丰富的宽谱调制特性，实现对入射光频谱的高精度测量。
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