公开(公告)号：CN111679363B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202010484964.3

申请日：2020-06-01

Applicant: 清华大学

Inventor： 张巍 ,  顿鹏翔 ,  黄翊东 ,  冯雪 ,  刘仿 ,  崔开宇

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明涉及光子集成器件技术领域，公开了硅波导端面耦合结构及其制作方法。该结构包括由下至上依次叠放的衬底硅、氧化层、硅波导和氮化硅层，氮化硅层的端部构造为脊形结构以形成脊形氮化硅波导，脊形氮化硅波导用于与普通单模光纤端面耦合。该方法包括：利用绝缘体上硅衬底中位于衬底硅上表面氧化层之上的薄膜硅层制备硅波导；在硅波导与光纤耦合的一端制备成宽度逐渐收窄的尖锥结构以形成硅波导尖锥结构；在硅波导与氧化层上方沉积一层氮化硅层；通过对氮化硅层进行浅刻蚀制备出脊形结构以形成脊形氮化硅波导。本发明的脊形氮化硅波导变换模场可以与普通单模光纤匹配，适合硅光子芯片封装过程中硅波导与普通单模光纤的低损耗耦合。

公开(公告)号：CN111679363A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010484964.3

申请日：2020-06-01

Applicant: 清华大学

Inventor： 张巍 ,  顿鹏翔 ,  黄翊东 ,  冯雪 ,  刘仿 ,  崔开宇

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明涉及光子集成器件技术领域，公开了硅波导端面耦合结构及其制作方法。该结构包括由下至上依次叠放的衬底硅、氧化层、硅波导和氮化硅层，氮化硅层的端部构造为脊形结构以形成脊形氮化硅波导，脊形氮化硅波导用于与普通单模光纤端面耦合。该方法包括：利用绝缘体上硅衬底中位于衬底硅上表面氧化层之上的薄膜硅层制备硅波导；在硅波导与光纤耦合的一端制备成宽度逐渐收窄的尖锥结构以形成硅波导尖锥结构；在硅波导与氧化层上方沉积一层氮化硅层；通过对氮化硅层进行浅刻蚀制备出脊形结构以形成脊形氮化硅波导。本发明的脊形氮化硅波导变换模场可以与普通单模光纤匹配，适合硅光子芯片封装过程中硅波导与普通单模光纤的低损耗耦合。