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公开(公告)号：CN101132045B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200710146678.0
申请日：2007-08-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/025 , H01L33/343
Abstract: 本发明涉及一种半导体元件，其具备：第1导电型的硅基板(2a)，具有第1面(S1a)和第2面(S2a)；第2导电型的硅层(4a)，设置在硅基板(2a)的第1面(S1a)上，并具有位于和硅基板(2a)相接合的面的相对侧的第3面(S3a)；第1电极(12a)，设置在第2面(S2a)上；第2电极(14a)，设置在第3面(S3a)上；氩添加区域(6a)，形成在由硅基板(2a)以及硅层(4a)构成的半导体区域中；其中，氩添加区域(6a)包括氩浓度显示为1×1018cm-3以上、2×1020cm-3以下的区域。
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公开(公告)号：CN100416953C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200480026620.7
申请日：2004-12-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/024 , H01L23/473
CPC classification number: H01S5/02423 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01S5/02476 , H01S5/4025 , H01S5/405 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置(1)，其特征在于包括：具有结合金属部件构成的冷却器本体(21)、在冷却器本体(21)的内部形成的流体流路(30)、外壁面(22)上的冷却区域(23)、以及保留冷却区域(23)并连续地覆盖在外壁面(22)上和内壁面(33)上的树脂层(40)的散热片(20)；以及在与外壁面(22)保持热接触的状态下被配置在冷却区域(23)中的半导体激光元件(80)。保留冷却区域(23)，用树脂层40连续地覆盖在外壁面(22)上和内壁面(33)上，实现防止内壁面与外壁面接触的部分附近的腐蚀。
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公开(公告)号：CN101132046A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710146680.8
申请日：2007-08-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L33/0054
Abstract: 本发明提供硅元件的制造方法，其具有：在显示第1导电型的硅基板(2a)的第1面(S1a)上形成显示第2导电型的硅层(4a)的工序，和在该工序后，使硅层(4a)的第3面(S3a)在30分钟以上6小时以内的时间段，露出于被调整为400℃以上900℃以下的温度及4MPa以上200MPa以下的压力的包含氩气的气氛中的工序。
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公开(公告)号：CN1679175A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820182.8
申请日：2003-08-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0004 , H01L33/40
Abstract: 发光元件(10)具有：设在Si基板(1)的表面上的β－FeSi2膜(2)，设在Si基板(1)的背面侧的第一电极(3)，和设在β－FeSi2膜(2)的表面侧的第二电极(4)。β－FeSi2膜(2)具有与Si基板(1)不同的导电类型。在Si基板(1)与β－FeSi2膜(2)之间形成pn结。β－FeSi2膜(2)作为发光层发挥功能。其发光特性不受基板的种类或纯度的影响。
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公开(公告)号：CN1481569A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN01820827.4
申请日：2001-12-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 在光吸收层2厚时，将发生时间分辨率降低的现象，如果限制光吸收层2的厚度，则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断，所以，相邻的电子浓度分布重叠的区域减少，由于缩短了电子通过所需要的移动时间，可以抑制通过扩散而相互重叠的区域，此外，由于还提高了电场强度，所以，通过它们的相互协同的作用，可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级，厚度为1.3μm时，时间分辨率为40ps，厚度为0.19μm时，时间分辨率为7.5ps。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1120514C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN97120094.7
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号：CN1305640A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN99807437.3
申请日：1999-03-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L23/473 , H01S5/30
CPC classification number: H01S5/02423 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01S5/02268 , H01S5/4031 , H01S5/405 , H05K7/20254 , H01L2924/00
Abstract: 半导体激光叠层式装置1包括3个半导体激光器2a～2c、2个铜板3a和3b、2个引线板4a和4b、供给管5、排出管6、4个绝缘构件7a～7d以及散热片10a～10c。其中,散热片10a～10c每个包括在其上表面形成有供水用槽部22的下部平板构件12、形成有多个导水孔38的中间平板构件14和在其下表面形成排水用槽部30的上部平板构件16,这三块平板构件堆叠在一起并焊接其接触面。
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公开(公告)号：CN1182279A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97122417.X
申请日：1997-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/045 , H01J1/32 , H01J43/10
Abstract: 本发明涉及到传输式电子倍增器与其配套的电子管。该传输式电子倍增器具有高的二次电子产生率和一种容许被检测光入射检测位置的结构。电子管包括:封闭容器;放置在封闭容器中的电子源,向封闭容器中发射电子;面对电子源的阳极;安置在电子源和阳极之间的传输式电子倍增器。该传输式电子倍增器包含有用金刚石或用以金刚石为主要成分的材料作成的薄膜,和用来加固薄膜的加固部件,加固部件还有显露一部分薄膜的孔。
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公开(公告)号：CN1177199A
公开(公告)日：1998-03-25
申请号：CN97118486.0
申请日：1997-09-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J40/16 , H01J1/34 , H01J43/08 , H01J2201/3421 , H01J2231/50
Abstract: 本发明涉及能用于反射型及透射型的、且能获得比单晶金刚石薄膜的量子效率高的光电阴极及装备有它的电子管。本发明的光电阴极至少备有由多晶金刚石或以多晶金刚石为主要成分的材料构成的第1层。在该光电阴极的应用例中,上述第1层的表面用氢或氧进行最终处理。在表面经过用氢或氧最终处理的多晶金刚石薄膜上还可备有由碱性金属或其化合物构成的第2层。
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公开(公告)号：CN106104948B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580013164.0
申请日：2015-03-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。
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