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公开(公告)号：CN109884558B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910124976.2
申请日：2019-02-20
Applicant: 江苏大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器，包括光子晶体平板和磁敏薄膜；光子晶体平板上设有若干阵列布置的空气孔；光子晶体平板上设有点缺陷微腔，磁敏薄膜覆盖在微腔表面；光子晶体平板上设有光子晶体波导。本发明将磁敏薄膜覆盖于光子晶体平板微腔的表面上，随着外界磁场的变化，磁敏薄膜的折射率会发生不同程度的变化，由于倏逝波的耦合作用，从而使光子晶体平板波导输出光谱中的能量损耗发生变化，根据能量损耗的大小反推出外界磁场的变化量，具有安全防爆、抗电磁干扰、质量轻、响应速度快、测量范围大、可进行实时远距离检测等优异特性，又解决了传统光学磁场传感器测量测量微弱磁场灵敏度较低的问题，提高了弱磁场测量的精度。
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公开(公告)号：CN107738414A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711190970.2
申请日：2017-11-24
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: B29C45/332 , B29C45/2606
Abstract: 本发明涉及一种公座连接器双侧面侧抽芯模结构。它主要由抽芯滑块、上固定支撑架和下固定支撑架、固定块、公共T型块、以及带凹槽的契紧限定滑块组成。左右两侧抽芯滑块都设置有上固定支撑架和下固定支撑架,两侧抽芯滑块的外侧设置有外部滑块，外部滑块外侧设置带凹槽的契紧块，外部滑块左右两侧设置固定块和公共固定块使双侧面的公座连接器抽芯滑块完全被固定，因此产品两侧面孔凹槽注塑时完全定位，进一步降低了产品不良率，另外，一模多穴的外部滑块设置有公共固定块，一方面使外部滑块在开合摸时定位更加准确，另一方面减轻左右固定块的摩擦，进而减轻磨损失效现象。
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公开(公告)号：CN107464866A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710614758.8
申请日：2017-07-26
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种具有半球光子晶体复周期结构的高出光效率二极管，包括至下而上依次连接的蓝宝石衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；所述P型半导体层上设有正方晶格的半球光子晶体复周期结构阵列；所述半球光子晶体复周期结构阵列包括若干大半球和小半球，所述大半球的直径大于小半球的直径；所述大半球以晶格常数为a的正方排列，所述小半球也是以晶格常数为a的正方排列均匀布置在大半球的排列中，且所述相邻的大半球和小半球间隔分布组成三角形排列。本发明利用有限时域差分法，在P型半导体层上设计一种简单的大小半球复周期光子晶体结构，使LED的出光率大幅度提高，是普通LED的8.3倍左右。
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公开(公告)号：CN106883841A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710070580.5
申请日：2017-02-09
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/59 , C23C16/26 , C25F3/12
Abstract: 本发明提供了一种高光致发光性能的石墨烯‑多孔硅材料及制备方法，制备步骤如下：1、通过CVD法在铜箔上制备单层石墨烯，得到有石墨烯覆盖的铜箔；2、选择n型单晶硅片，进行双面抛光；3、将步骤2中处理好的n型单晶硅片依次在无水乙醇、去离子水中超声清洗，清洗后吹干；将吹干的n型单晶硅片在氢氟酸/无水乙醇混合溶液中进行电化学腐蚀，电化学腐蚀完成后用去离子水清洗，并吹干得到多孔硅；4、将石墨烯处理后，使多孔硅表面与石墨烯复合；最后将石墨烯与多孔硅复合的材料置于丙酮中去胶，得到所述的高光致发光性能的石墨烯‑多孔硅材料。本发明制备的石墨烯‑多孔硅材料，显著提高了多孔硅的光学性能指标，拓宽了其光学应用前景。
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公开(公告)号：CN102182734B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110119991.1
申请日：2011-05-11
Applicant: 江苏大学
IPC: F16B4/00
Abstract: 本发明公开一种用于电表封装、品牌手机、家电及其他专属设备的一次性防拆卸连接件及使用方法，在挡片正下方是与挡片同轴连接的圆柱形的光杆，光杆的正下方是与光杆同轴连接的半圆柱体，光杆的直径小于半圆柱体的直径，半圆柱体的直径小于挡片的直径；在半圆柱体的侧平面上设置若干个向斜上方延伸的等距卡齿。将两连接件分别从两个被连接件的共同通孔的两端插入，使两连接件各自的卡齿面对面接触，用力压紧，使两连接件各自的卡齿相互配合卡进；本发明采用器件自锁原理实现不可逆操作，可加工成不同规格，易实现系列化和标准化；具备简单可靠的特性，装配方便快捷，有助于提高工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113237849B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110512595.9
申请日：2021-05-11
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种铌酸锂二维光栅激发布洛赫表面波生物传感器及方法，包括至下而上依次设置的缺陷层、Bragg反射镜层、缓冲层和铌酸锂二维光栅层；Bragg反射镜层包括多个低孔隙率多孔硅层和高孔隙率多孔硅层，低孔隙率多孔硅层和高孔隙率多孔硅层周期交替叠加布置；铌酸锂二维光栅层上设有多个空气孔，空气孔以晶格常数a正方形排列。本发明利用严格耦合波分析法，首次实现通过铌酸锂耦合多孔硅激发布洛赫表面波，并且针对大分子吸附和小分子渗透两种不同原理分别提供了不同检测关系式，拓宽了布洛赫表面波器件的使用范围，本发明具有检测灵敏度高、结构简单和检测精确等优点。
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公开(公告)号：CN110277248B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910444451.7
申请日：2019-05-27
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种氧化锌‑多孔硅复合材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：多孔硅的制备：利用电化学阳极刻蚀的方法在单晶硅衬底上制备出多孔硅结构；氧化锌溶胶的制备：配制能够提供锌离子的溶胶；复合材料的制备：利用真空抽滤结合匀胶法在多孔硅表面复合纳米氧化锌材料，经过热处理后形成氧化锌包覆的多孔硅/氧化锌复合材料，即氧化锌‑多孔硅复合材料。利用多孔硅表面的纳米氧化锌层实现了对多孔硅表面的钝化，并且利用氧化锌的赝容特性与多孔硅的双电层特性的协同作用大大提高了多孔硅的电容特性、充放电特性和电化学稳定性，改善了多孔硅表面化学特性活跃的问题，拓宽了多孔硅在发光材料、器件等相关领域的应用前景。
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公开(公告)号：CN112461787A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011191011.4
申请日：2020-10-30
Applicant: 江苏大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本发明提供一种基于布洛赫表面波的铌酸锂光学传感器及方法，由下而上的依次包括光学棱镜、周期性光子晶体和铌酸锂吸光介质层；周期性光子晶体由高折射率材料和低折射率材料交替N个周期排列而成。本发明通过多层膜结构激发BSW，并在吸光介质层处形成足够强的电场，使铌酸锂能够强烈的吸收BSW频率的光波，从而在反射光谱中形成共振峰。建立共振峰波长或方位角与待测样品折射率的关系，通过检测共振峰波长或角度的漂移来实现对待测样本折射率的动态检测和定性分析。本发明传感器制作简单，能实时和可重复性检测待测物，是一种具有高灵敏度和高品质因子的光子晶体折射率传感器。
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公开(公告)号：CN111965158A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010666918.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于电化学腐蚀与硅微结构制备技术领域，涉及多孔硅-金枝晶复合结构的快速制备方法；具体步骤为：首先选择硅片，经切割、清洗，得到预处理后的硅片；然后将氢氟酸、二甲基甲酰胺和四氯金酸溶液，混合，得到电化学腐蚀液；浸入预处理后的硅片，同时施加恒定的电流，进行电化学腐蚀，一步处理即可得到多孔硅-金枝晶复合结构；最后将制备的多孔硅-金枝晶复合结构清洗后，获得最终的复合结构；本发明的通过配制电化学腐蚀液，浸入硅片，实现多孔硅-金纳米复合结构的单步快速制备，并通过改变四氯金酸溶液浓度，对复合结构的SERS性能进行调控；本发明步骤简单、操作方便、用时短，能快速、高效的制备出多孔硅-金枝晶复合结构。
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公开(公告)号：CN111398496A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010103797.3
申请日：2020-02-20
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明一种交错阵列布置的微气相色谱柱，包括硅晶片、沟道结构、玻璃盖片和固定相涂层；硅晶片上设计沟道结构；沟道结构内设有若干直通道，直通道中均设有2n+1排微阵列柱，并对2n+1排微阵列柱从1到2n+1进行序列编号，n为大于或等于1的整数，奇数序列组对齐，偶数序列组对齐，奇数序列组与偶数序列组之间错位布置；每排微阵列柱均包括相同数量、且等距排列的微阵列柱；固定相涂层涂覆在沟道结构内表面及微阵列柱表面；玻璃盖片设置在硅晶片上进行键合封装。本发明首次利用了交错阵列的微填充柱结构实现了色谱柱在涂覆固定相过程中的速度场的分布均匀，从而获得了更均匀的固定相涂层，提高了色谱柱的分离效率。
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