公开(公告)号：CN103183500A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110443640.6

申请日：2011-12-27

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 徐强 ,  任永鹏 ,  林信平 ,  王书敏

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明提供了一种氧化铝陶瓷基板的制备方法及由该方法制备的陶瓷基板，在陶瓷基板粉料中添加第一烧结助剂和第二烧结助剂，所述第一烧结助剂为XCaO·YMgO·ZSiO2的玻璃态粉末，0.1≦X≦0.4，0.1≦Y≦0.4，0.5≦Z≦0.7，X+Y+Z=1，其中X：Y：Z为质量比；第二烧结助剂为BaO；并采用陶瓷基板生坯与表面涂敷有纳米氧化铝粉末的隔烧板隔层叠放后一起放入烧结炉中烧结的方式，所制得的氧化铝陶瓷基片体积密度大，表面平滑度好，抗击穿强度高。

公开(公告)号：CN102206098B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201010139347.6

申请日：2010-03-30

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 张保祥 ,  林信平 ,  任永鹏

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/15 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供了一种陶瓷覆铜基板的制备方法，包括下述步骤：对铜箔进行前处理，所述铜箔的一侧面为用于与陶瓷基片相敷接的结合面，另一侧面为非结合面；在铜箔的非结合面上形成有机保护层；对铜箔进行电化学沉积处理，在Cu2+电解质溶液中于其结合面上形成氧化亚铜层；除去铜箔的非结合面上的有机保护层；将铜箔具有氧化亚铜层的结合面与经过预处理的陶瓷基片相叠合并进行敷接。另外，本发明还提供了一种陶瓷覆铜基板。本发明通过电化学沉积的方法，在铜箔的结合面形成均匀致密的氧化亚铜层，不含引起产生微小气泡的氧化铜，从而在敷接过程中，铜箔与陶瓷的结合面能够形成良好的敷接，极大的增强了铜箔与陶瓷基片的结合强度。

公开(公告)号：CN103011776A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110288653.0

申请日：2011-09-27

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 徐强 ,  林信平 ,  任永鹏 ,  张保祥 ,  王书敏

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/583 ,  C04B35/505 ,  C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B35/44 ,  C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供了一种陶瓷的制备方法，将陶瓷基体、烧结助剂与单质碳混合形成混合物后成型、排胶、烧结；以混合物的总重量为基准，所述单质碳的含量为0.001-1wt%。本发明还提供了由该方法制备得到的陶瓷、对该陶瓷进行表面选择性金属化方法及得到的陶瓷复合材料。本发明提供的陶瓷材料中含有碳元素，可以改善一般白色陶瓷材料对低功率激光器能量束的吸光性，从而可以直接用低功率激光对其进行图形化刻蚀活化，然后放入化学镀液中上镀，且镀层金属与陶瓷材料结合牢固。并且该方法简单容易控制。

公开(公告)号：CN102756515A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110107835.3

申请日：2011-04-28

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 徐强 ,  任永鹏 ,  张保祥 ,  林信平

IPC: B32B18/00 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B37/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供了一种陶瓷覆铝基板的制备方法，包括下述步骤：镀铝膜：采用物理气相沉积的方法在陶瓷基片的至少一表面上镀设一层铝膜；敷接铝箔：在铝膜上依次层叠放置铝基钎料片以及铝箔，烧结后得到陶瓷覆铝基板。本发明还提供了通过上述方法制作的陶瓷覆铝基板，包括陶瓷基片、设于陶瓷基片的至少一表面上的铝箔，所述陶瓷基片与铝箔之间依次形成有铝膜层以及铝基钎料层。本发明所制得的陶瓷覆铝基板的结合力很好、耐冷热冲击能力强，并且制备工艺简单，无需二次加工，节约成本。