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公开(公告)号：CN109511023B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201811479373.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法，压电麦克风包括具有空腔的基底和位于基底上的压电堆叠结构，基底上的空腔为真空的振动空腔，压电堆叠结构依次包括底部电极，压电薄膜和顶部电极，基底包括基底底层，基底中间层和基底顶层，首先在基底底层上刻蚀出空腔，然后沉积基底中间层，之后在真空环境下基底中间层上键合基底顶层形成振动空腔，然后在基底顶层上刻蚀环形凹槽，在环形凹槽内沉积牺牲层，然后在基底顶层上依次沉积底部电极，压电薄膜和顶部电极，在顶部电极上开设腐蚀孔，将牺牲层腐蚀掉，完成压电麦克风及制作。本发明能够保证空腔内部的真空状态，不存在空气抵抗，大大提高了压电薄膜的应变应力，输出更强的电信号。
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公开(公告)号：CN111490748A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010128263.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种薄膜体声波谐振器，包括：上电极、压电层、下电极、上温度补偿层、中温度补偿层和下温度补偿层；上、中、下温度补偿层内嵌于上电极、压电层和下电极中；上、中、下温度补偿层由分别由任意形状的柱形结构组成；其中，柱形结构呈周期性分布，形成上、中、下散射体；上、中、下温度补偿层的散射体结构与分别与上电极、压电层、下电极构成上、中、下声子晶体结构。本发明通过嵌入多层温度补偿结构，可以与压电层形成多层声子晶体结构，一方面可以改变谐振器的温度频率系数，实现频率随温度的零漂移；另一方面，声子晶体结构能够在特定工作频率范围内对杂波进行屏蔽和抑制，可以大大提高谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN111106812A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911404131.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种高性能薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括衬底、空腔、压电堆叠结构以及压电材料周围部分；压电堆叠结构自下而上依次为种子层、下电极、压电材料有效区域和上电极；压电材料有效区域悬浮于空腔上方，且压电材料有效区域面积小于空腔面积，其上、下表面分别与上、下电极一端连接，上、下电极另一端与压电材料周围部分连接；下电极与种子层连接，且下电极与种子层的大小、形状相同。该谐振器工作时，压电材料内部传播的声波在边缘被空气反射，且压电堆叠结构仅由上、下电极和种子层与压电材料周围部分连接的部分束缚，因此能够更加自由的振动，减少杂散模式的产生，进而提高谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN111081629A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911066355.X
申请日：2019-11-04
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/762 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法和空腔位置确定方法，对准标记制作方法包括：步骤1：提供第一组硅片，通过光刻和刻蚀工艺形成空腔结构；步骤2：提供第二组硅片，通过光刻和刻蚀工艺在表面预定位置处形成至少两个凹槽；步骤3：将第二组硅片的上下表面进行氧化处理形成氧化层，凹槽中应填充满氧化物，然后对氧化层进行磨平；步骤4：将两组硅片进行键合，得到带空腔SOI晶圆；步骤5：刻蚀掉带空腔SOI晶圆顶部的氧化物，并研磨顶部硅片至被氧化物填充的凹槽的表面处停止，将氧化物填充的凹槽作为空腔的对准标记，其中，根据对准标记与各个空腔的相对位置关系，确定带空腔SOI晶圆上所有的空腔的位置。
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公开(公告)号：CN110417371A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910557023.5
申请日：2019-06-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器，包括衬底；声子晶体层，声子晶体交叠沉积在衬底表面上，散射体周期排列在基体材料中，散射体的材料与基体不同；压电振荡堆层，由下至上包括底电极，压电材料薄膜和顶电极。本发明利用材料结构设计来加强薄膜体声波谐振器中纵波的反射，以及减少横向剪切波的耗损。散射体能够在特定的工作频率范围内对声波屏蔽，对应工作频率的声波将被完全反射，减小横向剪切波，提高谐振器的Q值。另外所述基于声子晶体的薄膜体声波谐振器不需要在衬底上设置空腔结构，增强了谐振器的稳定性，同时谐振器产生的热量可以有效的通过声子晶体传输和散热，增强了谐振器的散热能力，提高其功率容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110231263A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910433998.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N15/06
Abstract: 本发明公开了一种具有自清洁功能的PM2.5质量传感器及其制备方法，所述的PM2.5质量传感器包括声表面波器件和纳米柱阵列；声表面波器件由一对低谐振频率叉指电极、一对高谐振频率叉指电极、压电薄膜、基底组成；纳米柱阵列生长在压电薄膜上，位于两对叉指电极的对称中心区域。本发明的具有自清洁功能的PM2.5质量传感器通过纳米柱阵列吸附环境空气中的PM2.5颗粒，使低谐振频率叉指电极输出的电信号频率发生漂移来监测PM2.5的浓度；通过高谐振频率叉指电极来实现传感器的自清洁功能。本发明操作简单，能够方便、精确、经济的实现各种环境下PM2.5颗粒浓度的监测。
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公开(公告)号：CN110113026A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910429665.7
申请日：2019-05-22
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/15
Abstract: 本发明属于谐振器技术领域，公开了一种二维兰姆波谐振器，压电层的上下两面布置第一电极阵列、第二电极阵列，第一电极阵列、第二电极阵列分别包括沿第一方向、第二方向排列的多条正电极列、第一负电极列，且正电极列和负电极列交替排布；正电极列包括多个正电极，相邻的两个正电极通过电桥连接，负电极列包括多个负电极，相邻的两个负电极通过电桥连接；第一方向和第二方向互相垂直；第一电极阵列中的任意一个正电极向第二电极阵列的正投影覆盖其中一个负电极，第一电极阵列中的任意一个负电极向第二电极阵列的正投影覆盖其中一个正电极。本发明提供的二维兰姆波谐振器可以提高谐振器机电耦合系数、减少寄生模式。
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公开(公告)号：CN106365235A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610931078.4
申请日：2016-10-31
Applicant: 武汉大学
IPC: C02F1/14 , C02F103/08
Abstract: 本发明公开一种低温低压太阳能局域热法海水淡化系统，包括蒸汽发生系统和蒸汽冷凝收集系统，蒸汽发生系统包括箱体和蒸汽发生器，蒸汽发生器将箱体分成蒸汽室和海水补偿室上下两部分结构，蒸汽室顶部设有太阳能接收窗口，海水补偿室底部设有海水进水管和浓盐水出水管；蒸汽发生器包括毛细孔层和沉积在毛细孔层上表面的太阳能吸收涂层，太阳能吸收涂层用于吸收太阳能并转换成热能；毛细孔层用于将海水输送到太阳能吸收涂层；蒸汽冷凝收集系统包括依次通过管道连接的冷凝器、真空泵和淡水出口，冷凝器入口通过管道与蒸汽室相连。本发明只加热海水表面，形成局部高温，使海水快速蒸发；而海水非蒸发部分仍保持在低温状态，太阳能效率转换高。
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公开(公告)号：CN119354363A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411379997.6
申请日：2024-09-30
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种声表面波无线无源温度传感器和监测系统，所述温度传感器由下至上包括衬底、压电层、顶电极结构，由下至上包括衬底、压电层、顶电极结构，所述衬底带有凹槽，并与压电层形成空腔结构。本发明采用压电材料作为温度敏感材料，采用声表面波的原理进行检测可以应用于无源无线的特殊场景，同时在衬底和压电层之间形成空腔结构，提升了温度传感器的温度检测的范围和精确度。
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公开(公告)号：CN118868846B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411327971.7
申请日：2024-09-24
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/13 , H03H9/02 , H03H9/145 , H03H9/17 , H03H9/25 , H03H9/54 , H03H9/64 , H03H3/02 , H03H3/08
Abstract: 本申请提供了啁啾型衬底、谐振器、滤波器及制备方法，谐振器包括由上至下依次设置的压电层、啁啾型布拉格反射层和衬底层，啁啾型布拉格反射层由多个布拉格反射层堆叠形成，按层叠方向由上至下包括顶层布拉格反射层、中间布拉格反射层、底层布拉格反射层，多个布拉格反射层均由上至下由低声阻抗布拉格反射层和高声阻抗布拉格反射层层叠设置而成，啁啾型布拉格反射层的厚度与啁啾型布拉格反射层的啁啾率相关并沿着层叠方向呈线性变化。本申请提供的啁啾型衬底，通过将各布拉格反射层的厚度设计成线性相关，改善了谐振器目标频率声波反射率，增大衬底的吸收带宽和低频段增强折射率，在4GHz以上，使啁啾型布拉格反射层的反射能力具有频段集中性，有效抑制高频主模态旁的伪模态。
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