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公开(公告)号：CN108540105A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810319927.X
申请日：2018-04-11
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: H03H9/2405 , H03H9/02244 , H03H9/02448 , H03H9/125
Abstract: 本发明公开的射频谐振器结构，包括压电层、以及压电层上下表面分别配置的一定数量的顶部叉指电极和底部叉指电极；压电层上表面位于相邻顶部叉指电极之间的位置均设有沿顶部叉指电极长度方向的沟槽；同时，压电层下表面位于相邻底部叉指电极之间的位置均设有沿底部叉指电极长度方向的沟槽。本发明通过在相邻叉指电极之间的压电层设置沿着叉指电极长度方向的沟槽，来显著消除谐振器的寄生模式，并提升谐振器的机电耦合系数；且易实施，实施成本低。
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公开(公告)号：CN109622245A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811557071.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: B04B5/0442 , B04B9/00 , B04B2005/045
Abstract: 本发明提供了一种便携式血液分离仪，包括驱动部件和离心箱体及分离管道。压电马达做驱动部件，离心箱体内的旋转沟槽设计为圆柱体或者圆台，对应的分离管道呈圆形宽管道，方便血液成分在离心之后的沉积分布。离心宽管道的终端设计有几个由阀门控制的独立的分离管道，便于精确分离。本发明最终解决了现行血细胞分离机体积庞大，运行时间长，噪声大，效率低等问题，有利于医疗仪器和医疗器械领域的发展，具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN109511023A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811479373.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法，压电麦克风包括具有空腔的基底和位于基底上的压电堆叠结构，基底上的空腔为真空的振动空腔，压电堆叠结构依次包括底部电极，压电薄膜和顶部电极，基底包括基底底层，基底中间层和基底顶层，首先在基底底层上刻蚀出空腔，然后沉积基底中间层，之后在真空环境下基底中间层上键合基底顶层形成振动空腔，然后在基底顶层上刻蚀环形凹槽，在环形凹槽内沉积牺牲层，然后在基底顶层上依次沉积底部电极，压电薄膜和顶部电极，在顶部电极上开设腐蚀孔，将牺牲层腐蚀掉，完成压电麦克风及制作。本发明能够保证空腔内部的真空状态，不存在空气抵抗，大大提高了压电薄膜的应变应力，输出更强的电信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109511023B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201811479373.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法，压电麦克风包括具有空腔的基底和位于基底上的压电堆叠结构，基底上的空腔为真空的振动空腔，压电堆叠结构依次包括底部电极，压电薄膜和顶部电极，基底包括基底底层，基底中间层和基底顶层，首先在基底底层上刻蚀出空腔，然后沉积基底中间层，之后在真空环境下基底中间层上键合基底顶层形成振动空腔，然后在基底顶层上刻蚀环形凹槽，在环形凹槽内沉积牺牲层，然后在基底顶层上依次沉积底部电极，压电薄膜和顶部电极，在顶部电极上开设腐蚀孔，将牺牲层腐蚀掉，完成压电麦克风及制作。本发明能够保证空腔内部的真空状态，不存在空气抵抗，大大提高了压电薄膜的应变应力，输出更强的电信号。
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公开(公告)号：CN108917991B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810685353.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN108964629A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810725684.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: H03H9/02015 , H03H9/171 , H03H2009/02196
Abstract: 本发明属于微电子技术，具体涉及一种可调谐的薄膜体声波谐振器，包括衬底、空腔、底电极层、调谐层和压电震荡堆；压电震荡堆包括中间电极层、压电层和上电极层；直流偏压施加于中间电极层和底电极层上。该薄膜体声波谐振器直流偏压加在所述底电极和中间电极上，调谐层具有压电特性，且和底电极层均采用环状。这样在较小的直流偏压下，FBAR可以产生较大的偏置位移，从而产生较大的特征频率的改变。因此，可以在低压下实现FBAR谐振频率的较大调节，能极大的扩展FBAR的应用范围。
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公开(公告)号：CN108917991A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810685353.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN108566174A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810343079.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器及制备方法，所述薄膜体声波谐振器包括带预设空腔的SOI基片衬底和换能器堆叠结构；所述预设空腔由侧壁的防护墙和底部的防护底围成，所述防护墙和所述防护底用来保证SOI基片衬底不被过度腐蚀；所述换能器堆叠结构位于所述SOI基片衬底上、且与所述预设空腔相对；所述换能器堆叠结构上设有贯穿换能器堆叠结构、且与所述预设空腔相通的至少一释放通道。本发明可避免预设空腔腐蚀过程中的腐蚀不够和腐蚀过度，能够精准控制预设空腔的大小和形状，实现薄膜体声波谐振器的有效制备。
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