-
公开(公告)号:CN112699095A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011584307.2
申请日:2020-12-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于ANN的光学特性建模数据库生成方法,包括以下步骤:生成ANN的训练数据,训练数据至少包括:光学特征参数以及光栅尺寸参数;基于ANN训练模型对光栅尺寸参数进行训练,从而学习得到光学特征参数与光栅尺寸参数的训练标签之间的映射关系;对步骤S2中的光栅尺寸参数训练的质量进行评价;基于光学测量手段得到的真实的光学特征参数,对步骤S2训练得到的模型产生的光栅尺寸参数进行实验验证;通过步骤S3的反复学习优化和步骤S4的实验验证得到光学特征参数和光栅尺寸参数之间的准确映射关系,以此建立光学特性建模数据库,从而解决了现有的光学特性建模数据库生成方法难以省时高效建立相对准确数据库的缺点。
-
公开(公告)号:CN112685889A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202011573097.7
申请日:2020-12-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种用于检测系统缺陷的简化测试结构设计方法,包括:步骤S1、模拟计算出实际器件的最终工艺窗口,模拟计算出实际器件工艺窗口以外的系统缺陷;步骤S2、依据实际器件制程仿真的结果提取关键结构;步骤S3、根据提取的关键结构进行简化测试结构的设计;步骤S4、将设计的简化测试结构作为仿真模型的输入,模拟计算出简化测试结构制程最终的系统缺陷;步骤S5、对比实际器件制程仿真与简化测试结构制程仿真在相同工艺窗口下所产生的系统缺陷信息是否一致,本发明采用了仿真手段与实验验证相结合的简化测试结构设计方法,依据两个制程仿真结果进行系统缺陷对比进行简化测试结构设计,并在仿真后进行实验验证,确保仿真设计可靠性。
-
公开(公告)号:CN111458985A
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN202010249063.6
申请日:2020-04-01
Applicant: 武汉大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光学技术领域,公开了一种光刻中颗粒类污染的测量方法,通过光学测量得到颗粒类污染的测量光谱,通过建模仿真得到颗粒类污染的模拟光谱数据库;通过数值拟合,在模拟光谱数据库中寻求与测量光谱相匹配的光谱作为拟合光谱,将拟合光谱对应的物理模型作为匹配物理模型;从匹配物理模型中读取颗粒的参数信息,作为颗粒类污染的测量结果,根据测量结果判断颗粒类污染的类型。本发明解决了现有技术中测量光刻过程中污染的分辨率较低、测量速度较慢的问题。本发明可以对光刻过程中的污染进行实时测量,且测量的分辨率高、测量速度快,能够判断出颗粒类污染的具体类型。
-
公开(公告)号:CN215005943U
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN202121277696.4
申请日:2021-06-08
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司 , 武汉大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本实用新型提供了一种用于微透镜阵列制造的一体化装置,包括:用于光刻的激光直写腔、第一真空过渡舱门、用于光刻胶显影的显影转运腔、第二真空过渡舱门以及用于刻蚀加工的等离子体刻蚀腔,所述激光直写腔与所述显影转运腔通过所述第一真空过渡舱门转运样品并实现彼此隔离,所述显影转运腔与所述等离子体刻蚀腔通过第二真空过渡舱门转运样品并实现彼此隔离。本实用新型将激光直写光刻设备、显影设备、等离子体刻蚀机的多个功能集成于一体,能够实现微透镜阵列的一体化制造。由于本实用新型装置集成度高,中间步骤少,洁净度高,有效减少了芯片制造工艺中的风险。另外,本实用新型所述的装置自动化程度高,结构简单,节省了人工成本和设备成本。
-
公开(公告)号:CN215679035U
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202121287067.X
申请日:2021-06-09
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司 , 武汉大学
Abstract: 本实用新型提供了一种大幅面微结构阵列自动生产线设备,依次包括:激光直写x方向运动平台,激光头,载物台,激光直写设备无尘箱,大理石材质稳定平台,转移平台,高精度旋转电机,直线电机,步进电机,真空吸嘴,吸附板,清洗吸嘴,旋转电机,皮带轮以及移动平台。本实用新型的自动生产线设备,通过流水线式地自动进行图案化曝光、转运显影、清洗、转移压印等步骤,可以提高微结构产品生产效率,并解决人工手动分段操作、成本较高且质量难以保证的问题。
-
公开(公告)号:CN215006245U
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN202121272827.X
申请日:2021-06-08
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司 , 武汉大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本实用新型提供了一种用于实现双面激光直写光刻的装置,包括:用于支撑衬底的支架主体、用于限制衬底X方向位移的X方向调节螺丝、用于限制衬底Y方向位移的Y方向调节螺丝以及用于限制衬底Z方向位移的Z方向调节螺丝,所述支架主体由一底面及设置在所述底面上的边框构成,并且在所述边框内侧沿边框具有阶梯部,用于支撑衬底并限制衬底Z方向向下的自由度,所述衬底与所述支架主体通过间隙配合安装在一起。与现有技术相比,本实用新型的装置可以实现衬底上3D结构如微透镜阵列的双面制备。并且本实用新型的装置结构简单,制备成本低,并且可以适用于不同尺寸与形状的衬底。
-
-
-
-
-