荧光体的制造方法
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102226085B

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201110100509.X

    申请日:2006-03-20

    Inventor: 广崎尚登

    CPC classification number: C09K11/0883 C09K11/7734

    Abstract: 本发明提供一种荧光体的制造方法,所述荧光体为在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体。所述方法包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和氧化铕粉末的混合物在氮气气氛中、在1820~2200℃的温度范围内进行烧成的烧成工序;所述混合物的比例由fSi3N4·gAlN·hEu2O3的摩尔组成式表示,且f、g和h满足f+g+h=1、0.04≤g≤0.14和0.002≤h≤0.006的关系式。

    荧光体及其制造方法
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101146891B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200680009535.9

    申请日:2006-03-20

    Inventor: 广崎尚登

    CPC classification number: C09K11/0883 C09K11/7734

    Abstract: 本发明提供了在紫外线和可见光激发下发光的绿色荧光体,与以往的稀土激活赛纶荧光体相比,其绿色亮度更高,与以往的氧化物荧光体相比,其耐久性更好。在具有β型Si3N4晶体结构的氮化物或氮氧化物晶体中固溶Eu,成功地得到通过照射激发源而发出在500nm~600nm范围的波长具有发光峰的荧光的荧光体。在500nm~600nm波长范围内的发光强度高,是优异的绿色荧光体。

Patent Agency Ranking